共面波导形式的倒扣焊X波段低噪声放大器
X-band CPW LNA by Flip-chip作者机构：南京电子器件研究所南京210016
出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)
年 卷 期：2004年第24卷第3期
页 面：291-295页
核心收录：
学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 080902[工学-电路与系统] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学]
主 题：微波单片集成电路 倒扣焊技术 共面波导 低噪声放大器
摘 要：研究了倒扣焊封装的共面波导 ( CPW) X波段低噪声单片放大器的设计方法、制作工艺及测量结果 ,验证了倒扣焊技术在微波频段应用的可行性。低噪声放大器单片是在 Ga As MMIC工艺线上用全离子注入、0 .8μm栅工艺研制完成。单片电路使用共面波导作为传输线 ,它可以将电磁场束缚在较小的空间内 ,受倒扣衬底的影响较微带线小。与传统的引线键合技术相比 ,单片倒扣焊于陶瓷载体上 ,性能有明显改善 ,在 9.2～ 10 .3GHz,G≈ 12 .1d B。
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