准同型相界(MPB)附近BS-PT高温压电陶瓷研究

作     者：冯亚军 徐卓 李振荣 张麟 姚熹 FENG Ya-Jun;XU Zhuo;LI Zhen-Rong;ZHANG Lin;YAO Xi

作者机构：西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室西安710049 

出 版 物：《无机材料学报》 (Journal of Inorganic Materials)

年 卷 期：2006年第21卷第5期

页      面：1127-1133页

核心收录：

学科分类：080801[工学-电机与电器] 0808[工学-电气工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家"973"计划(2002CB613307) 国家自然科学基金(50472052) 教育部重点科研项目(03155) 

主　　题：BS-PT 准同型相界 高居里温度 压电陶瓷 

摘      要：(1-x)BiScO3-xPbTiO3陶瓷(简记BS-PT)在x=64．0％附近存在一个从菱方晶系过渡到四方晶系的准同型相界,在此相界附近材料能获得优良的介电和压电性能．本文选取PbTiO3含量在64．0％-65．5％的准同型相界附近的材料组分,利用传统的固相烧结反应法合成了纯钙钛矿相结构的BS-PT陶瓷,通过对材料的相结构形成过程和内部形貌分析以及对介电、压电性能的研究,发现在x=64．5％的组分条件下,BS-PT陶瓷材料获得了准同型相界范围内的最优的压电性能,其室温压电常数d33可达500pC／N,且居里温度(Tc)达到了438℃,剩余极化强度和电致应变分别为44μC／cm2和3．5‰．研究表明,准同型相界附近的BS-PT陶瓷是一种优良的压电换能器和传感器材料．