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锗片表面钝化探究进展

Research Progress of the Surface Passivation on Germanium Wafer

作     者:杨静 韩焕鹏 张伟才 YANG Jing;HAN Huanpeng;ZHANG Weicai

作者机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220 

出 版 物:《电子工业专用设备》 (Equipment for Electronic Products Manufacturing)

年 卷 期:2021年第50卷第4期

页      面:27-30,39页

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

主  题:锗片 钝化 表面质量 悬挂键 界面态密度 

摘      要:从锗片实际应用中存在的表面均匀性差、表面质量不稳定问题出发,对影响锗片表面质量的因素进行了分析。研究结果表明,对锗片表面进行钝化后,能够改变锗抛光片表面的悬挂键状态、降低界面态密度,最终提高锗片的实际应用效果。并重点对氢钝化、氯钝化、氮钝化、硫钝化、硅钝化、氟钝化、烷烃钝化等主流钝化方式的适用性及优劣性进行了对比分析,对比分析主要从钝化液种类的选取、钝化时间与温度、钝化效果几个方面进行。

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