辐射致冷用氮化硅薄膜的微观结构和光学性质

作     者：梁宗存 沈辉 李戬洪 Liang Zongcun,Shen Hui,Li Jianhong (Guangzhou Institute of Energy Conversion,Chinese Academy of Sciences,Guangzhou 510070,China)

作者机构：中国科学院广州能源研究所广州510070 

出 版 物：《太阳能学报》 (Acta Energiae Solaris Sinica)

年 卷 期：2001年第22卷第3期

页      面：302-305页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：氮化硅薄膜 辐射致冷 微观结构 光学性质 

摘      要：采用射频等离子体化学气相沉积 (PECVD)法制备了SiNx 薄膜。用X 射线荧光光谱、红外吸收光谱、红外反射光谱以及扫描电镜对薄膜的成分、结构、表面形貌和光学性质进行了初步研究。X 射线荧光分析表明SiNx 薄膜的组成为SiN0 .3 5。从红外透过光谱可见 ,氮参加了反应并生成Si N键 ,薄膜中有少量的Si H键和N H键。红外反射光谱表明SiN0 .3 5薄膜是非常好的窗口材料 ,在 8～ 13μm波段内具有很低的反射率 ,8～ 13μm波段外反射率高 ,适合制备辐射制冷体。