德国AIM公司三代红外探测器的发展

作     者：J. Zieglerl D. Eich M. Mahlein T. Schallenberg R. Scheibner J. Wendler J. Wenisch R.Wollrab V. Daumer R. Rehm F. Rutz M. Walther 田萦(译) 王忆锋(校对) 

作者机构：AIM Infrarot-Module GmbH Theresienstr. 2 D-74072 Heilbronn Germany Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics Tullastr. 72 D-79108 Freiburg Germany 不详 

出 版 物：《云光技术》 

年 卷 期：2012年第44卷第2期

页      面：37-48页

学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程] 

主　　题：红外探测器 三代探测器 HgCdTe MCT 双色 双波段 MW/LW 百万像素,MBE,II-型超晶格锑化物,T2SL 

摘      要：三代红外探测器组件——双色（DC），双波段（DB）以及大规模2-DY0阵要求精细的生产技术：诸如分子束外延（MBE）以及新的列阵制备工艺，此类技术可以满足日趋复杂的器件结构及低成本的需求。AIM公司将采用上述三种技术制备高性能器件以扩大其未来的业务。DC／MW／MW探测器基于II-型超晶格锑化物（IAF通过MBE技术制备而成），像元规格为384×288，像元中心距为40μm。AIM公司的DB／MW／LW／FPA（焦平面列阵）选用了MBE技术，通过在CdZnTe衬底上生长MCT，该技术与IAF公司合作完成。由AIM公司制备了像元规格为640×512，像元中心距为15μm的FPA。尽管在不同的衬底上用MBE方法生长MW／MCT薄膜具有挑战性，但对于制备具备百万像素的大规模2维FPA（MW1280×1024，像元中心距为15μm）而言，这种技术是必要的。本文给出了上述三代FPA及集成探测器杜瓦制冷机组件（IDCAs）的发展现状及近期测试结果。