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多晶硅表面金属催化化学腐蚀法制绒研究现状

Texturing Technology on Multicrystalline Silicon Wafer by Metal-catalyzed Chemical Etching:a Review

作     者:武晓玮 李佳艳 WU Xiaowei;LI Jiayan

作者机构:大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室大连116024 大连理工大学材料科学与工程学院大连116024 

出 版 物:《无机材料学报》 (Journal of Inorganic Materials)

年 卷 期:2021年第36卷第6期

页      面:570-578页

核心收录:

学科分类:08[工学] 080502[工学-材料学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 

基  金:国家自然科学基金(51574057) 

主  题:金刚线切割 多晶硅 金属催化化学腐蚀法 制绒 综述 

摘      要:在多晶硅太阳能电池的生产过程中,金刚线切割(Diamond wire sawing,DWS)技术具有切割速度快、精度高、原材料损耗少等优点,受到了广泛关注。金刚线切割多晶硅表面形成的损伤层较浅,与传统的酸腐蚀制绒技术无法匹配,金属催化化学腐蚀法应运而生。金属催化化学腐蚀法制绒具有操作简单、结构可控且易形成高深宽比的绒面等优点,具有广阔的应用前景。本文总结了不同类型的金属催化剂在制绒过程中的腐蚀机理及其形成的绒面结构,深入分析和讨论了具有代表性的银、铜的单一及复合催化腐蚀过程及绒面结构和电池片性能。最后对金刚线切割多晶硅片表面的金属催化化学腐蚀法存在的问题进行了分析,并展望了未来的研究方向。

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