亚微米、深亚微米LDD MOSFET的衬底电流模型中特征长度改进的描述(英文)
An Improved Description of Characteristics Length in Substrate Current Model for Submicron and Deep-Submicron LDD MOSFET's作者机构：西安电子科技大学微电子研究所西安710071
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)
年 卷 期：2004年第25卷第9期
页 面：1084-1090页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家自然科学基金资助项目 (批准号 :60 2 0 60 0 6)~~
主 题：轻掺杂漏MOSFET 衬底电流 特征长度 最大横向电场
摘 要：建立了衬底电流模型中特征长度参数的改进描述 ,该参数的引入使衬底电流模型能够有效地适用于从微米尺寸到亚微米、深亚微米尺寸的 L DD MOSFET.在以双曲正切函数描述的 I- V特性基础上 ,该解析模型的运算量远低于基于数值分析的物理模型 ,其中提取参数的运用也大大提高了模型的精度 ,模拟结果与实验数据有很好的一致性 .
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