氯硅烷吸收HCl工艺的模拟

作     者：李寿琴 杨楠 鲜洪 梁勇 张铁锋 Li Shouqin;Yang Nan;Xian Hong;Liang Yong;Zhang Tiefeng

作者机构：四川永祥股份有限公司四川乐山614800 四川永祥多晶硅有限公司四川乐山614800 山东鲁新设计工程有限公司山东淄博255000 

出 版 物：《四川化工》 (Sichuan Chemical Industry)

年 卷 期：2021年第24卷第2期

页      面：4-6页

学科分类：081702[工学-化学工艺] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 

主　　题：HCl 氯硅烷 吸收 ASPEN plus 多晶硅 

摘      要：采用ASPEN plus软件对改良西门子法制备多晶硅工艺中的HCl吸收过程进行了模拟。提高压力至11bar以上,降低温度至-40℃以下,有利于H 2纯度提升至85%(w)以上。同时分析了压力、吸收剂量和温度,以及吸收剂组成等对吸收效果的影响。在不同温度和压力下,分别计算了HCl在SiHCl_(3)和SiCl_(4)中的溶解度。虽然HCl在SiHCl_(3)中比SiCl_(4)中的溶解度高,但由于SiHCl_(3)挥发度比SiCl_(4)小,所以随着吸收剂中SiHCl_(3)增多,吸收后的H 2纯度反而会降低。