化学机械抛光过程低k/铜表面材料去除机制及损伤机制研究进展

作     者：司丽娜 刘万宁 吴锐奇 阎红娟 杨晔 张淑婷 SI Lina;LIU Wanning WU Ruiqi;YAN Hongjuan;YANG Ye;ZHANG Shuting

作者机构：北方工业大学机械与材料工程学院北京100144 

出 版 物：《润滑与密封》 (Lubrication Engineering)

年 卷 期：2021年第46卷第4期

页      面：135-139,146页

学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：北京市自然科学基金项目(3212003,3204037) 国家自然科学基金项目(51775044) 北方工业大学科研启动基金项目. 

主　　题：化学机械抛光 low-k材料 异质表面 材料去除机制 损伤机制 

摘      要：针对低k介质/铜表面在平坦化加工中极易造成材料界面剥离、互连线损伤和表面不平整等问题,国内外学者对CMP过程中的材料去除机制以及损伤机制开展了大量的研究工作。对集成电路平坦化工艺——化学机械抛光过程中低k介质/铜界面的力学行为和摩擦损伤特性研究进展进行综述,介绍异质表面的材料去除行为及去除理论研究现状;展望了化学机械抛光过程低k介质/铜表面去除机制研究的研究趋势,即通过对异质界面的分子原子迁移行为研究,揭示异质表面的微观材料去除机制及损伤形成机制,最终寻找到异质表面平坦化及损伤控制方法。