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银掺杂ZnO薄膜光电功能材料的研究进展

Research Progress in Optoelectronic Ag-doped ZnO films

作     者:段理 于晓晨 王卓 樊小勇 DUAN Li;YU Xiaochen;WANG Zhuo;FAN Xiaoyong

作者机构:长安大学材料科学与工程学院西安710064 

出 版 物:《材料导报》 (Materials Reports)

年 卷 期:2010年第24卷第19期

页      面:132-135,142页

核心收录:

学科分类:08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

基  金:国家自然科学基金(20903016) 

主  题:银掺杂ZnO薄膜 p型 光电特性 

摘      要:近年来人们发现利用银掺杂方案能制备出导电性良好的p型ZnO薄膜,并能增强ZnO的紫外发光强度,还可以形成各种纳米微结构从而产生一些新的特性。这很可能为ZnO基光电器件的应用提供新思路。综述了几年来国内外在银掺杂ZnO薄膜的电学性质、光学性质和结构方面的研究进展,并探讨了目前存在的问题及今后研究的方向。

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