负偏压对磁控溅射Ti膜沉积速率和表面形貌的影响

作     者：段玲珑 吴卫东 何智兵 许华 唐永建 徐金城 DUAN Ling-long;WU Wei-dong;HE Zhi-bing;XU Hua;TANG Yong-jian;XU Jin-cheng

作者机构：兰州大学物理科学与技术学院材料物理与化学实验室兰州730000 中国工程物理研究院激光聚变研究中心四川绵阳621900 

出 版 物：《强激光与粒子束》 (High Power Laser and Particle Beams)

年 卷 期：2008年第20卷第3期

页      面：505-508页

核心收录：

学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

主　　题：Ti薄膜 磁控溅射 负偏压 沉积速率 表面形貌 

摘      要：采用直流磁控溅射加负偏压的方法制备了Ti膜,研究了不同偏压条件对Ti膜沉积速率、密度、生长方式及表面形貌的影响。随着偏压逐渐增大,Ti膜沉积速率分三个阶段变化:0^-40 V之间沉积速率基本不变;-40^-80 V之间沉积速率迅速降低;超过-80 V后沉积速率随偏压的下降速度又放缓。Ti膜密度随偏压增加而增大,负偏压为-119.1 V时开始饱和并趋于块体Ti材密度。加负偏压能够抑制Ti膜的柱状生长方式;偏压可以改善Ti膜的表面形貌,对于40 W和100 W的溅射功率,负偏压分别在-100 V和-80 V左右时制备出表面光洁性能较佳的Ti膜。