反向流动垂直喷淋式MOCVD反应器生长GaN的化学反应数值模拟

作     者：徐谦 左然 XU Qian;ZUO Ran

作者机构：江苏大学能源与动力工程学院镇江212013 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2007年第36卷第2期

页      面：338-343页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(No.60376006) 

主　　题：GaN生长 MOCVD反应器 表面化学反应 数值模拟 

摘      要：本文提出了MOCVD生长GaN的表面循环反应模型,将该反应模型应用于作者新近提出的反向流动垂直喷淋式反应器,进行三维数值模拟。得出反应器内流速、温度和TMGa浓度分布,以及GaN的生长速率分布。将此计算结果与传统的反应器情况进行对比,发现在相同参数情况下,两种反应器的衬底上方温度分布都比较均匀,近衬底处温度梯度较大,高温区域被压制在离衬底较近的区域,流线均比较平滑,在衬底上方没有明显的旋涡;新型反应器内反应气体在近衬底处的浓度均匀性以及GaN在基片表面的沉积均匀性都优于传统反应器,但沉积速率小于后者,大约只有后者的1/2。