GaAs图形衬底上InAs量子点生长停顿的动力学蒙特卡罗模拟
Kinetic Monte Carlo Simulation of InAs Quantum Dots Growth Pause on GaAs Patterned Substrate作者机构：清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室北京100084
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)
年 卷 期：2005年第26卷第4期
页 面：707-710页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60244001 60390074)~~
摘 要：采用动力学蒙特卡罗模拟方法对GaAs图形衬底上自组织生长InAs量子点的停顿过程进行了研究.用衬底束缚能的表面分布模拟衬底图形,考察生长之后的停顿时间对量子点形成的影响.结果表明,合适的停顿时间使图形衬底上的量子点分布更趋规则化,对量子点的定位生长有积极的影响.
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