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In-Situ Rs and Improvement in Thermal Stability of Nickel Silicides Using Different Interlayer Films

In-Situ Rs and Improvement in Thermal Stability of Nickel Silicides Using Different Interlayer Films

作     者:Chi-Ting Wu Wen-Hsi Lee Ying-Lang Wang Shih-Chieh Chang 

作者机构:Department of Electrical Engineering National Cheng Kung University Tainan 701 Taiwan. Institute of Lighting and Energy Photonics National Chiao Tung University Hsinchu 30050 Taiwan 

出 版 物:《材料科学与工程(中英文A版)》 (Journal of Materials Science and Engineering A)

年 卷 期:2015年第5卷第3期

页      面:164-170页

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0821[工学-纺织科学与工程] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 082102[工学-纺织材料与纺织品设计] 

主  题:高热稳定性 硅化镍 原位 镍硅化物  腐蚀速率 NiSi 电阻率 

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