GaN基光栅外腔半导体激光器研究进展

作     者：姚真瑜 吕雪芹 张保平 

作者机构：厦门大学物理系福建厦门361005 厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院福建厦门361005 电子工程系福建厦门361005 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2013年第50卷第10期

页      面：609-614,622页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61106044,61274052,61306087) 福建省自然科学基金计划资助项目(2013J05096) 

主　　题：GaN基 光栅外腔半导体激光器 可调谐波长 窄线宽 高精度光谱测试 气体探测 全息数据存储 

摘      要：介绍了光栅外腔半导体激光器应用外部光栅实现选模和线宽压窄的基本原理,以及Littrow和Littman两种典型外腔结构和主要组成光学元件,讨论了主要性能表征参数包括调谐范围、激射线宽和边模抑制比等,分析了其关于稳定性的主要技术难点。在此基础上,详细综述了GaN基光栅外腔半导体激光器的国内外研究进展,主要集中在线宽、无跳模调谐范围和功率三个性能指标的优化上,特别提及了厦门大学研究小组的工作进展。最后讨论了其在高精度光谱测试、气体探测和大容量全息数据存储中的应用,并且列举了铟原子的光谱测试和NO气体探测。