微机电系统中SU-8厚光刻胶的内应力研究

作     者：杜立群 朱神渺 DU Li-qun;ZHU Shen-miao

作者机构：大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室辽宁大连116023 大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室辽宁大连116023 

出 版 物：《光学精密工程》 (Optics and Precision Engineering)

年 卷 期：2007年第15卷第9期

页      面：1377-1382页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(No.50675025) 教育部和大连市留学回国人员科研启动基金资助项目 

主　　题：SU-8 内应力测量 基片曲率法 Stoney公式 

摘      要：在对基片曲率法常用的Stoney公式进行必要修正的基础上,提出了适合计算SU-8胶层内应力的理论模型,并采用轮廓法直观地测量了内应力引起的基底曲率的变化。通过ANSYS仿真揭示了基片直径,胶层厚度及后烘温度三者对基片曲率的影响。仿真结果表明:后烘温度是影响胶层内应力的主要因素。实验测量了后烘温度分别为55℃、70℃和85℃三种条件下的SU-8胶层的内应力。结果表明:降低后烘温度能有效地减小SU-8胶层的内应力,实验测量值与仿真计算值基本吻合。内应力的测量为SU-8胶层内应力的定量研究奠定了基础。