晶体管、MOS器件
出 版 物：《电子科技文摘》 (Sci.& Tech.Abstract)
年 卷 期：2003年第1期
页 面：21-22页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：MOS器件 调制掺杂 场效应管 子敏 郭红霞 导通电阻 SiGe 张虹 泄漏电流 噪声模型
摘 要：030031110keVX 射线在加速实验辐照中的优势[刊]/郭红霞//微电子学.—2002.32(4).—269～272(D)0300312调制掺杂层在 SiGe PMOSFET 中的应用[刊]/史进//微电子学.—2002,32(4).—249～252(D)0300313氟离子敏场效应管的研制[刊]/张虹//传感器技术.—2002,21(9).—27～28(D)
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