Layout dependence of total-ionizing-dose response in 65-nm bulk Si pMOSFET

作     者：Zhexuan REN Xia AN Gensong LI Xing ZHANG Ru HUANG Zhexuan REN;Xia AN;Gensong LI;Xing ZHANG;Ru HUANG

作者机构：Key Laboratory of Microelectronic Devices and CircuitsInstitute of MicroelectronicsPeking University 

出 版 物：《Science China(Information Sciences)》 (中国科学:信息科学(英文版))

年 卷 期：2021年第64卷第2期

页      面：271-272页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）] 

基　　金：supported in part by National Natural Science Foundation of China (Grant Nos.61421005, 61434007) 111 Project (Grant No. B18001) 

主　　题：radiation TID LDE 65nm PMOS SA 

摘      要：Dear editor,Strain technology has become a common solution in the semiconductor manufacturing industry since 90-nm technology node to overcome the severe carrier mobility degradation of nanoscale microelectronic devices [1]. Since layout may affect the stress distribution, layout dependent effect(LDE)becomes a serious issue in advanced technology nodes.