检索结果-南通市图书馆

作者：王海波鲁迅美术学院

学位级别：硕士

二十世纪以来绘画的表现形式得到了空前的扩展和创新,当下是一个艺术表现形式多元化的时代,艺术观念和绘画手段没有任何界限的时代。追求新颖、视觉冲击力、科技创新等成为当代视觉艺术形式表现的重点。在现当代绘画艺术中艺术家都在寻... 详细信息

二十世纪以来绘画的表现形式得到了空前的扩展和创新,当下是一个艺术表现形式多元化的时代,艺术观念和绘画手段没有任何界限的时代。追求新颖、视觉冲击力、科技创新等成为当代视觉艺术形式表现的重点。在现当代绘画艺术中艺术家都在寻找自己独特的形式表现方式,尽力把自己的艺术区别于其他人。可是有很多艺术作品从某种视角看,在视觉结构的形式表达上很相似。不同艺术作品中存在着的类似的表现形式,本论文通过艺术作品中类似的表现形式对现当代绘画的形式表现进行研究和分析。本论文的研究内容分为以下四个部分:第一部分对视觉结构的形式表现中分割的应用进行解析,以马蒂斯和迪本科恩的作品为例,以分割画面的角度去解析艺术家如何构建和谐的画面,解析艺术作品在画面分割上的特点。第二部分对视觉结构的形式表现中空间感的分析,空间的意义很广,这部分只分析颜色之间的虚实和叠放关系所产生的层次空间。对艺术家阿尔伯特·厄伦和理查德·里希特等艺术作品进行解读探讨这种颜色间的层次空间关系在艺术形式表现上的特点。第三部分对视觉结构的形式表现中材质应用的分析,这部分在探讨画面中材质上的不同影响到的视觉感受的不同。艺术家罗伯特·劳森伯格和安塞姆·基弗的作品中不同材质的视觉对比,材料的应用、肌理和机械平涂效果的对比等。第四部分对视觉结构的形式表现中作品留白的分析,对中国画及西方油画的留白特征和开放性进行简单地解析,探究它们之间有没有潜在的联系。

关键词：形式表现画面分割空间材质

泰国色军府职业学校汉语教学推广情况调查报告

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泰国色军府职业学校汉语教学推广情况调查报告

作者：董玉河北师范大学

学位级别：硕士

近年来，在泰国政府的支持推动下，汉语在泰国的地位也逐步上升，形成了从基础教育到高等教育的全面的汉语教育网络。但在职业教育方面，汉语教育推广仍显缓慢。随着汉语热在泰国传播，针对泰国某一地区或学校汉语教学情况的调查... 详细信息

近年来，在泰国政府的支持推动下，汉语在泰国的地位也逐步上升，形成了从基础教育到高等教育的全面的汉语教育网络。但在职业教育方面，汉语教育推广仍显缓慢。随着汉语热在泰国传播，针对泰国某一地区或学校汉语教学情况的调查研究已有很多，但针对东北部职业学校的汉语推广情况调查的研究却为零，因此笔者借在泰国东北部色军府任教之机，对色军府中所有开展汉语教育的职业学校进行了汉语教育推广情况调查。本文主要内容如下：首先，阐述泰国的职业教育发展情况、汉语教育推广发展史和汉语教育在职业学校的发展情况;然后，通过问卷调查、走访和课堂观摩等方式对色军府中所有开设汉语课的职业学校进行汉语推广情况调查，从学校、教师、教材和学生四个角度找出职业学校汉语推广过程中存在的不足。最后，对如何促进职业学校汉语教育推广提出建议。通过本次调查，笔者发现以下问题：色军府内各职业学校汉语教学各自为政，缺乏统一管理机构，汉语课每节课时间过长，汉语活动少;教师数量少、不稳定和缺乏教学经验;学生无教材、教师使用教材五花八门，混乱不一，介绍中国文化的音像视频教材数量少且陈旧落时;学生学习动机不强。因此，笔者提出以下建议：色军府要成立统一管理机构;职业学校要缩短每节课时长，学校间或学校内部多组织汉语活动;培养本土教师，公立职业学校放低门槛，私立学校提高教师待遇;教育部和学校合作，统一教材，为学生配备教材;及时丰富更新中国文化视频资料;学校和教师通过鼓励和严格要求，增强学生学习动机。

关键词：泰国色军府职业学校汉语推广

多元共治何以从“名”到“实”？——基于D社区治理结构的个案研究

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多元共治何以从“名”到“实”？——基于D社区治理结构的个案研究

作者：吕江蕊华中科技大学

学位级别：硕士

多元共治是实现基层治理能力与体系现代化的必要途径,是多元主体的有机整合而非机械叠加,其本质是主体间有序互助的行动级序网络的构建。故如何理解多元共治的复杂型态、促进多元共治迈向实质性协同治理,成为基层治理创新的关键。本文... 详细信息

多元共治是实现基层治理能力与体系现代化的必要途径,是多元主体的有机整合而非机械叠加,其本质是主体间有序互助的行动级序网络的构建。故如何理解多元共治的复杂型态、促进多元共治迈向实质性协同治理,成为基层治理创新的关键。本文基于多中心治理理论,对多元的中心性分层,提出了嵌套式的圈层结构,并基于“圈层弹性”区分了我国多元共治“名”“实”之分的两种治理结构,即拼凑型多元共治与功能型多元共治作为本文的分析框架。之后通过焦点团体、深度访谈、参与式观察等方法,对过去10年D社区的多元共治治理过程进行了纵向考察,从D社区多元共治的两个阶段入手研究了多元共治结构由名到实的复杂型态,并总结了促进多元共治从“名”到“实”的实现途径。研究发现,在“名义治理”阶段,拼凑型多元共治呈现出“刚性断层”特征,源于在开发区多重堕距的治理基础下,面对压力型任务环境,基层采取了两种执行策略导致了政策执行偏差。以焦点事件—新冠疫情的催化为始,多元共治之后经历了“激活-强化-稳定”的发展历程,形成了“弹性圈层”的功能性结构。基于两种治理结构,本文发现从拼凑到功能,社区治理结构经历了由集权到分权、由占位者到行动者、由刚性隔离到弹性协作、由支配式整合到多样化整合的转变。两种结构的治理效果也由“内卷”转变成“内生”,跳出了社区“改而不变”的发展怪圈,实现了基于社区资产的可持续性发展。本文提出营造社区共同体的策略以推动多元共治的名实融合,即治理共同体的营造实现融合式的制度供给体系、行动共同体的营造实现合作型的治理实施模式和责任共同体的营造实现持续型动力维护机制。本文提出“圈层弹性”的概念来阐释多元共治的复杂型态,区分了不同的结构类型,建立了多元共治的中观理论,增强了理论的分析效力,也揭示出基层运作中复杂治理情境下多元治理主体的互动逻辑以及结构形成背后的具体原因。最后,结构优化策略的提出将为基层提供指引。这无疑具有理论和实践的双重意义。

关键词：圈层弹性拼凑型多元共治功能型多元共治名实融合共同体

增强型GaN Trench-Gate MIS-HFET阈值电压调控技术

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增强型GaN Trench-Gate MIS-HFET阈值电压调控技术

作者：杨溢电子科技大学

学位级别：硕士

功率半导体器件在电能控制和转化领域扮演着重要的角色,通过对其进行合理的设计可以提升电能转化效率,增强系统稳定性,及作为开关元件控制能量的传输。GaN功率开关器件是近年来国际学术界和工业界的研究热点,其凭借高击穿电压、高工作... 详细信息

功率半导体器件在电能控制和转化领域扮演着重要的角色,通过对其进行合理的设计可以提升电能转化效率,增强系统稳定性,及作为开关元件控制能量的传输。GaN功率开关器件是近年来国际学术界和工业界的研究热点,其凭借高击穿电压、高工作温度和高开关频率的优越特性有望成为下一代高效、高速电力电子的理想候选方案之一。增强型是保证功率开关器件稳定、可靠、安全工作的关键,高阈值电压可有效避免增强型器件实际工作中寄生电容等多种因素导致的器件“误开启”问题,而凹槽栅技术是增强型GaN的重要实现方法之一,也是GaN功率器件领域的研究难点。本文通过仿真及实验的方法,对增强型GaN Trench-Gate MIS-HFET阈值电压调控技术进行研究。本文首先介绍了GaN HFET的基本工作原理,分析对比了各增强型实现方法,讲解了制备GaN凹槽栅器件的常规工艺流程,重点阐明了凹槽栅氟离子埋层这一新技术方案的设计思路及工作原理,并通过仿真手段证实了凹槽栅基础上引入F离子埋层结构可实现阈值电压的调控,为实验流片奠定基础。然后本文设计了制备凹槽栅氟离子埋层器件的工艺流程,在进行核心工艺研发过程中,开发了一种高质量湿法腐蚀栅槽的方法。对势垒层进行高温氧化,氧化反应可自动终止于异质结界面,通过热碱溶液腐蚀氧化后势垒层可得到精确全刻蚀的低损伤栅槽,界面均方根粗糙度仅为0.298nm。该探究结果提供了一种高质量凹槽栅的刻蚀方法和较大窗口工艺条件。最后本文优化得到凹槽栅刻蚀及氟离子注入的核心工艺实验条件。通过去除界面自然氧化层,N等离子体处理,插入AlN介质层等一系列栅槽刻蚀后表面处理工艺得到阈值电压回滞0.05V的高质量栅槽。利用RIE设备刻蚀牺牲层过程中逐步注入F离子的方法引入F离子埋层结构,实现阈值电压的正向调制。最终得到阈值电压5.0V,阈值回滞0.1V,V=10V时饱和电流400mA/mm性能优异的器件,实现阈值电压大范围调控的同时保持了器件较强的输运能力。

关键词： GaN增强型器件 Trench-Gate F离子埋层界面处理阈值电压调控

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2*4阵列超低电容ESD保护器件的设计

2*4阵列超低电容ESD保护器件的设计

作者：王梁浩电子科技大学

学位级别：硕士

静电放电现象广泛存在于半导体芯片生产,运输和使用的各个环节。ESD事件发生时会产生极大的能量消耗,往往会对芯片的功能产生破坏性的影响,造成财产上的损失,因此合格的ESD防护器件对于芯片和终端厂商非常重要。用于高速数据传输接口的... 详细信息

静电放电现象广泛存在于半导体芯片生产,运输和使用的各个环节。ESD事件发生时会产生极大的能量消耗,往往会对芯片的功能产生破坏性的影响,造成财产上的损失,因此合格的ESD防护器件对于芯片和终端厂商非常重要。用于高速数据传输接口的ESD防护器件需要极小的电容才能避免因为阻抗不匹配而带来的数据丢失问题。基于此,本文将设计一款主要用于USB3.0和HDMI数据接口的ESD防护器件,具体研究内容如下:1、介绍课题的研究背景和国内外目前的研究现状,阐释ESD的破坏性和ESD防护对集成电路产业的重要性。2、从ESD防护的原理出发,将ESD防护器件分为snapback型和无snapback型,再分别介绍ESD的放电模型和测试模型并给出等效电路和等级划分。介绍二极管等常用的ESD防护器件的防护原理和TVS等系统级的ESD防护器件。给出ESD失效的判断标准。为随后的结构和工艺设计以及仿真指明了方向。3、给出设计目标并就目前设计中存在的触发电压过大的问题提出了通过引用辅助触发器件来降低触发电压的解决办法。和代工厂确定工艺路线并对关键步骤进行解释分析。提出给出本次设计拟采用的结构图,并采用串联小电容二极管的方法降低器件的电容。4、借助TCAD仿真软件,在确认的结构图基础上进行仿真拉偏,并根据器件结构的复杂性确定仿真拉偏的顺序。每一组仿真拉偏结果都会从理论上解释原因并通过比较仿真结果选择最优值。在所有器件的参数都满足要求后将器件通过电路连接并进行多脉冲TLP仿真,最终得到电容0.3pF,触发电压6.86V,维持电压1.5V,8A下正向钳位电压5.7V,反向箝位电压3.5V;16A下正向钳位电压7.5V,反向箝位电压5.15V的8通道ESD防护阵列并给出版图的设计方案。最后,本文也结合了国内外的产品提出了目前市场上ESD防护的设计方向,对以后的ESD阵列器件的开发具有一定的意义。

关键词： ESD阵列小电容辅助触发 TLP仿真

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一种具有超势垒结构的高压二极管设计

一种具有超势垒结构的高压二极管设计

作者：牛博电子科技大学

学位级别：硕士

在本文中,将超势垒结构运用到高压二极管中,提出一种具有超势垒结构的高压二极管,并利用寿命控制实验优化其动态特性。研究内容主要围绕一种具有超势垒结构的高压二极管的研制工作。从功率整流器的应用出发,介绍功率整流器的发展动态,... 详细信息

在本文中,将超势垒结构运用到高压二极管中,提出一种具有超势垒结构的高压二极管,并利用寿命控制实验优化其动态特性。研究内容主要围绕一种具有超势垒结构的高压二极管的研制工作。从功率整流器的应用出发,介绍功率整流器的发展动态,以及新的应用需求对功率整流器性能的要求。对超势垒结构整流器件的工作原理进行分析,并对正向导通压降有关的公式进行推导。从原理和公式上,分析当超势垒结构运用到高压器件中遇到的问题,以及解决这些问题的措施。提出一种具有超势垒结构的高压二极管,主要是将P型埋层结构与超势垒结构结合,这样能够有效提高器件耐压,克服超势垒结构器件耐压低的缺点。对耐压为600V的一种具有超势垒结构的高压二极管进行设计:1.利用MEDICI对器件进行仿真,验证器件结构的可行性并得到器件各个参数的初始值。2.然后根据以上仿真结果以及代工厂的工艺条件,制定器件的工艺步骤,利用仿真软件TSUPREM4和MEDICI对器件的工艺进行优化,经过仿真拉偏,得到的器件参数如下:反向击穿电压BV=733V、正向导通压降VF=1.10V、反向恢复时间Trr=101ns。同已有的低压超势垒结构器件相比,增加了P型埋层结构之后,超势垒结构能够运用到高压领域。3.在以上仿真结果的基础上,对本文提出的一种具有超势垒结构的高压二极管进行版图制作并流片制造。流片完成后,对各个分片条件的芯片进行测试,测试结果如下:反向击穿电压BV=671V、正向导通压降VF=0.92V、反向恢复时间Trr=305ns。对以上流片结果进行寿命控制实验,设置多个实验分片条件。经过寿命控制实验之后,再进行测试,得到的测试结果如下:反向击穿电压BV=675V、正向导通压降VF=1.97V、反向恢复时间Trr=64ns。通过同某产品参数的对比,表明本文提出的一种具有超势垒结构的高压二极管具有同国外同类产品相当的性能。

关键词：超势垒结构二极管高压动态电学特性

干部管理中的容错纠错机制研究 ——以贵州省凤冈县干部召回为例

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干部管理中的容错纠错机制研究 ——以...

作者：冯婷贵州大学

学位级别：硕士

权力运行效能的提高依赖于干部积极作为,并尽可能地少犯不必要的错误。随着我国进入全面深化改革时期,生态领域的旧疾、扶贫领域的顽疾、新增矛盾的冲击等都使干部面临更大的工作压力和能力考验。在同样的工作压力和任务下,有些干部选... 详细信息

权力运行效能的提高依赖于干部积极作为,并尽可能地少犯不必要的错误。随着我国进入全面深化改革时期,生态领域的旧疾、扶贫领域的顽疾、新增矛盾的冲击等都使干部面临更大的工作压力和能力考验。在同样的工作压力和任务下,有些干部选择懒政怠政逃避压力,有些干部则积极作为应对压力,然而这两种选择却可能有同样的结果——问责。当前问责泛化、简单化问题突出,“一出错就问责”的管理打击了有工作进取心的干部,在高压力、低资源、广问责的工作环境下,基于资源保存理性,干部会选择避责行为,懒政怠政就是一种典型的避责行为。懒政怠政与国家经济社会发展需求是背道而驰的,但问责又不能全面有效地消除干部工作中的懒政怠政行为。因此,建立容错纠错机制以弥补问责缺陷尤为重要。本文通过文献分析法与个案研究法开展对干部管理中容错纠错机制的研究。根据热力学中的耗散结构理论,提炼建构出“干部容错纠错的管理耗散结构模型”,解释干部容错纠错机制的压力导向、目标导向、内容导向和运行导向。在干部容错纠错的管理耗散结构下,以贵州省凤冈县干部召回作为实践样本呈现干部容错纠错机制的运行过程,分析实施效果、发展困境,提出改进建议。干部容错纠错机制的内容导向是可容之错,可容之错分为非主观性探索失误和边缘化懒政怠政。非主观性探索失误带来的经验教训可以避免同类错误的出现,故其对系统的能量损耗不大,反而是边缘化懒政怠政有行为动机的主动性、行为方式的隐蔽性等特点,致使其未能得到及时识别和纠正,大肆损耗系统能量,应该被重点关注。贵州省凤冈县干部召回制度对存在边缘化懒政怠政行为的干部进行召回管理,以列举负面清单的方式对干部工作错误进行识别,以上下级联动进行错误评估,以集中教育和跟踪考察进行错误处理,以回岗工作和组织处理双向流动进行容错纠错的结果应用。干部召回制度最终促进了全县干部思想认识的提升和工作作风的转变,提高了政府工作效率和公信力。然而,由于问世时间较短,干部容错纠错机制仍然面临错误识别不精准的操作化困境、为机会主义创设新空间的悖论困境和缺乏包容氛围的环境困境,这些困境限制了容错纠错机制的发展。为发展完善干部容错纠错机制,可试图从建立申诉机制、开通容错纠错监督渠道、优化结果应用等方面破解困境,推动干部容错纠错机制整体效能的发挥和目标的实现。

关键词：干部管理容错纠错机制耗散结构边缘化懒政怠政干部召回

屏蔽栅MOSFET总剂量辐射效应机理与加固研究

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屏蔽栅MOSFET总剂量辐射效应机理与加固研究

作者：涂俊杰电子科技大学

学位级别：硕士

屏蔽栅MOSFET(Shielded Gate Trench Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,SGT MOSFET)作为中低压功率器件的代表,具有功率损耗低、开关速度快的优点,但其在航空航天领域的应用却受到了辐射效应的制约。然而,目前国内外... 详细信息

屏蔽栅MOSFET(Shielded Gate Trench Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,SGT MOSFET)作为中低压功率器件的代表,具有功率损耗低、开关速度快的优点,但其在航空航天领域的应用却受到了辐射效应的制约。然而,目前国内外关于SGT MOSFET的总剂量辐射(Total Ionizing Dose,TID)效应的研究还非常有限,因此本文通过实验和仿真的方法对SGT MOSFET的总剂量辐射效应机理做出了探究,建立了失效模型,并据此提出了抗辐射加固措施。本文的主要工作内容与成果如下:首先,通过对SGT MOSFET的总剂量辐射效应进行系统的实验研究,明确了其阈值电压、导通电阻及击穿电压在经受总剂量辐射之后的变化规律。然后,利用Sentaurus TCAD软件对SGT MOSFET的总剂量辐射退化进行了仿真分析。结果表明,SGT MOSFET受总剂量辐射影响最严重的退化行为是阈值电压和击穿电压的大幅降低。其中,阈值电压受总剂量辐射影响而线性减小,击穿电压随辐射剂量的增大出现了“慢-快-慢”的退化趋势。根据仿真结果和理论分析对器件电学参数受辐射而退化的原因做出了解释。基于二维泊松方程,建立了辐致电场再分布解析模型,为器件的击穿电压抗辐射加固提供理论指导。接着,在实验和理论研究的基础上,提出了SGT MOSFET抗总剂量辐射加固方案。从结构参数改良的角度分别提出了降低栅氧化层厚度、降低屏蔽栅氧化层厚度及降低漂移区掺杂浓度这三种加固措施。其中,降低栅氧化层厚度能抑制总剂量辐射后的阈值电压下降,而根据辐致电场再分布模型得出的后两种方法对击穿电压退化现象有改善作用。除此之外,根据理论推导提出了一种具有均匀轻掺杂的缓冲层(Buffer Layer)与线性掺杂的漂移区(Linearly Doped Drift Region)的新结构BLD(Buffer above Linear Drift)-SGT MOSFET。相比简单地降低漂移区掺杂浓度,BLD-SGT MOSFET结构不仅能更好地抑制总剂量辐射后的击穿电压退化,还在导通电阻方面具有明显的优势。与同等导通电阻的常规SGT MOSFET相比,BLD-SGT MOSFET实现了2倍的击穿电压抗辐射能力。为了探究BLD-SGT MOSFET结构加固方法的稳定性,分别研究了漂移区掺杂浓度梯度k、Buffer层厚度L以及Buffer层掺杂浓度N对该结构基本性能和抗辐射能力的影响。最后,从工艺优化的角度给出了后栅氧工艺及牺牲氧化法,有利于获得缺陷更少的氧化层。

关键词：总剂量辐射效应屏蔽栅MOSFET 阈值电压击穿电压抗辐射加固

针对中高级班印尼学习者的汉语惯用语偏误与教学研究

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针对中高级班印尼学习者的汉语惯用语偏误与教学研究

作者：林余玲(Noviyanti) 河北师范大学

学位级别：硕士

惯用语是熟语的一部分,其词语简单但能表达丰富的意义,深入于印尼人与中国人的日常生活交际中。但因为两国人民的生活习惯、价值观念、历史文化等因素有诸多的不同,导致两语中惯用语的使用与表达形式上也存在着一定的差别。相对而言,汉... 详细信息

惯用语是熟语的一部分,其词语简单但能表达丰富的意义,深入于印尼人与中国人的日常生活交际中。但因为两国人民的生活习惯、价值观念、历史文化等因素有诸多的不同,导致两语中惯用语的使用与表达形式上也存在着一定的差别。相对而言,汉语惯用语在对外汉语教学中应该成为印尼学习者的教学难点,因此需要受到重视。笔者对中高级汉语水平的印尼学习者进行问卷调查后发现,目前在印尼汉语惯用语教学并未受到重视,同时也没有系统的教学,使这么多年来的印尼汉语学习者都没学到真实地道的汉语。调查数据证明,他们在汉惯用语的使用上有了书写、语法、语义和语用的大量偏误。产生偏误的各种因素,即是受到了母语负迁移、汉语结构语义与语用负迁移、中国历史与传统文化、教师教学与语言环境的影响。基于印尼学习者的偏误规律与产生偏误的种种原因,本论文还列出了针对印尼学习者的教学语料范围选定建议、有效的汉惯用语教学方法、以及对教师与学习者本身的教学建议。希望,有针对性的汉惯用语教学课堂使教学变得更有趣、更有高效,能培养出个个精通汉语的印尼学习者。本论文主要分为五章:第一章,绪论。综述选题的缘由、研究意义、研究对象与方法、以及国内外相关研究的状况。第二章,问卷调查与统计分析。交待的是针对印尼学习者汉语惯用语教学的问卷调查设计与其分析结果。第三章,印尼学习者使用惯用语的偏误分析。讲述了印尼学习者使用惯用语时在书写、语义、语用、语法上产生的偏误,并通过偏误分析归纳出偏误的产生因素。第四章,针对印尼学习者的汉语惯用语的教学建议与策略。通过观察双语惯用各方面的特征以及学生的偏误例证,从而提出了一些对于教师与学习者有效的惯用语教学建议与策略。第五章,结语。若教师与印尼学习者在教学过程中能把握本论中提出的惯用语教学重难点的与方法,希望印尼学习者不仅会更了解两国的灿烂文化,而且将会在生活中更生动自然地运用汉惯用语。

关键词：汉语惯用语偏误分析教学建议中高级汉语水平的印尼学习者

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贵州省科技人才队伍建设问题研究

贵州省科技人才队伍建设问题研究

作者：申厚诣贵州大学

学位级别：硕士

随着经济社会的迅猛发展,人才的重要作用愈发凸显。贵州作为西部的一个欠发达省份,自2014年以来深入实施以大数据为引领的区域科技创新战略以来,通过积极谋划人才发展思路,人才已被定位为推动贵州省转型发展的关键资源。近年来,贵州省... 详细信息

随着经济社会的迅猛发展,人才的重要作用愈发凸显。贵州作为西部的一个欠发达省份,自2014年以来深入实施以大数据为引领的区域科技创新战略以来,通过积极谋划人才发展思路,人才已被定位为推动贵州省转型发展的关键资源。近年来,贵州省加强科技人才队伍建设,科技人才队伍建设水平迈向了新台阶,为服务全省经济社会发展提供了有力的智力支持。本文以贵州省科技人才队伍为研究对象,通过运用国内外丰富的人才有关理论和实践经验,针对性的找出目前贵州省科技人才队伍建设中存在的困难和问题,深入剖析原因并提出对策建议,具有较强的理论意义和现实意义。本文主要分为六个部分。第一部分主要介绍论文写作的总体构思以及研究背景意义,运用的研究方法以及国内外的研究现状等。第二部分主要介绍论文主要研究对象的概念以及运用的研究理论。重点对本文研究的科技人才、科技人才队伍以及科技人才队伍建设体系构成等核心概念进行界定,并对运用的人才激励理论和人才流动理论进行阐述。第三部分主要是对贵州省科技人才现状和科技人才队伍建设现状分析,运用数据分析、调查问卷、访谈等方法,对贵州省科技人力资源水平现状、科技人才现状、科技人才队伍建设现状进行分析和阐述。第四部分从人才数量不足、人才支持政策竞争力不强、人才培育力度不足、人才流失现象时有发生四个方面说明了当前贵州科技人才队伍建设存在的问题,并从人才供给能力不强、人才支持政策更新不及时、科技人才专项经费投入不足、人才激励保障力度不强四个方面深入剖析了原因。第五部分是对策建议。提出了强化人才供给、更新完善人才政策体系、加大财政投入、大力营造人才优先发展环境四个方面的优化提升建议,希望能为贵州实现后发赶超,建设创新型省份做出应用贡献。

关键词：人才科技人才科技人才队伍