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Harmonic Distortion Rate Analysis of H-Bridges Multilevel Inverter

材料科学与工程（中英文B版） 2011年第3期1卷 308-315页

作者： Mohamed Nejib Ben Nasr Khammassi Anis Kebir Faouzi Ben Ammar unite de recherche sicisi ESSTT 5av. Taha Hussein BP 56 Bab Mnara-1008 Universite de Tunis Tunisia unite de recherche. LSE INSAT Centre Urbain Nord BP 676 1080 Tunisia

This paper represents comparative study on two control techniques applied to H-bridges multilevel inverter. The considered techniques are standard PWM and harmonic elimination control. Their performances are compared in terms of THD and commutation’s losses so that the choice of power switches is optimized. Simulation results indicated that the harmonic elimination technique exhibits better results than the standard PWM technique, which is sustained by the reduce of the commutation losses, and a power rise for the switches ensuring the use of GTOs, IGCTs.

关键词：多电平逆变器 H桥失真率 PWM技术谐波技术标准电源开关控制技术

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Cascaded H-Bridges Asymmetrical 11-Levels Optimization

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材料科学与工程（中英文B版） 2011年第4期1卷 496-503页

作者： Mohamed Nejib Ben Nasr Khammassi Anis Kebir Faouzi Ben Ammar unite de recherche sicisi ESSTT 5av. Taha Hussein BP 56 Bab Mnara-lO08 Universite de Tunis Tunisia Unitd de recherche.＂ LSE INSA T Centre Urbain Nord BP 676 1080 Tunis

The following dissertation aims at investigating the multilevel topology basis through the analyses of the harmonic elimination control modeling methodology of the asymmetrical inverter. Thus the contribution of this paper can be summarized mainly by the fact that the pre-calculated PWM control used to control the symmetrical structure, as applied to the asymmetrical structure with a reduced number of cells, provides the same performance level resolution and signal strength to the load terminals, which guarantees a constant voltage frequency report. This observation is similar for the three cells, which allows the use of different drivers such as MOSFET, IGBT and GTO. These results have a good performance from the intrinsic proprieties of each semiconductor for each cell.

关键词：水平分辨率不对称非对称结构优化 H桥级联 MOSFET 消谐控制

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