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湿法刻蚀对硅微表面损伤层及金属离子残留控制研究

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清洗世界 2024年第7期40卷 40-43页

作者：刘志彪祝建敏王少凡李熊李长苏杭州盾源聚芯半导体科技有限公司

半导体硅部件是集成电路制程工艺中关键零部件，其制造过程主要通过机械铣削的方式实现产品特征加工，这种加工方式难以避免在硅表面形成亚表面损伤层，这不仅影响硅部件表面质量，同时产品表面金属离子残留难以进行控制。本文阐述了硅... 详细信息

半导体硅部件是集成电路制程工艺中关键零部件，其制造过程主要通过机械铣削的方式实现产品特征加工，这种加工方式难以避免在硅表面形成亚表面损伤层，这不仅影响硅部件表面质量，同时产品表面金属离子残留难以进行控制。本文阐述了硅湿法刻蚀机理及金属离子污染物在硅表面吸附方式，通过混合酸刻蚀的方案的设计，实现硅微表面亚表面损伤层有效腐蚀去除，同时对硅表面关键金属离子残留去除率整体达到60%以上，实现较好的金属离子去除效果。

关键词：硅微表面湿法刻蚀微表面损伤层金属离子

硅凝胶性能对IGBT模块绝缘可靠性影响研究

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当代化工研究 2024年第17期 65-67页

作者：肖婉艳周望君任亚东株洲中车时代半导体有限公司湖南412001

本文对两种硅凝胶的成分结构、热学性能、物理性能和电学性能进行表征并研究了其高温老化后的退化情况,将两种硅凝胶灌封到高压模块中进行绝缘性能表征和绝缘退化研究。研究结果表明,两种高绝缘强度的硅凝胶粘附性越强、热稳定性越高,... 详细信息

本文对两种硅凝胶的成分结构、热学性能、物理性能和电学性能进行表征并研究了其高温老化后的退化情况,将两种硅凝胶灌封到高压模块中进行绝缘性能表征和绝缘退化研究。研究结果表明,两种高绝缘强度的硅凝胶粘附性越强、热稳定性越高,其灌封模块的绝缘可靠性越强。

关键词：硅凝胶局部放电量绝缘可靠性 IGBT模块

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推进企业业财融合的路径分析

市场周刊 2024年第12期37卷 135-138页

作者：韩盼锋西安光谷半导体有限公司陕西西安710026

随着信息技术的高速发展,财务和业务之间的配合已成为企业工作的重要方向,业财融合也是财务领域研究的重点。文章通过对推进企业业财融合工作的路径进行分析,首先探讨了企业业财融合的瓶颈,之后结合业财融合的要求论述了人员融合、信息... 详细信息

随着信息技术的高速发展,财务和业务之间的配合已成为企业工作的重要方向,业财融合也是财务领域研究的重点。文章通过对推进企业业财融合工作的路径进行分析,首先探讨了企业业财融合的瓶颈,之后结合业财融合的要求论述了人员融合、信息系统融合、供应链管理融合、财务分析融合环节的业财融合要求,对企业实现有序发展的目标具有一定参考意义。

关键词：企业业财融合路径

基于改进双注塑连杆机构的半导体塑封装置研究

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今日制造与升级 2024年第7期 56-58页

作者：纵雷安徽大华半导体科技有限公司安徽合肥230000

文章提出了一种基于改进双注塑连杆机构的半导体塑封装置,结构设计巧妙,在保证较大的杠杆力的同时,合模的稳定性也得到提高。相比于180t单压机封装2条引线框架,基于改进双注塑连杆机构的半导体塑封装置合模压力可达到200t,同时一次性能... 详细信息

文章提出了一种基于改进双注塑连杆机构的半导体塑封装置,结构设计巧妙,在保证较大的杠杆力的同时,合模的稳定性也得到提高。相比于180t单压机封装2条引线框架,基于改进双注塑连杆机构的半导体塑封装置合模压力可达到200t,同时一次性能够塑封4条引线框架,产能提高了100%。

关键词：双注塑连杆机构塑封装置

高速电镀铜技术在先进封装金属互连中的研究进展

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微纳电子技术 2024年第7期61卷 54-61页

作者：陈平夏良贺京峰刘冰贵州振华风光半导体股份有限公司贵阳550018

简单阐述了高速电镀铜技术在先进封装金属互连结构中的应用,重点介绍了电镀液、电镀设备和工艺控制三个因素对电镀速率和质量的影响,并对国内外电镀液添加剂种类、电镀液配方、电镀设备对流传质速率、电镀设备电流密度控制能力以及电镀... 详细信息

简单阐述了高速电镀铜技术在先进封装金属互连结构中的应用,重点介绍了电镀液、电镀设备和工艺控制三个因素对电镀速率和质量的影响,并对国内外电镀液添加剂种类、电镀液配方、电镀设备对流传质速率、电镀设备电流密度控制能力以及电镀工艺参数优化等因素对高速电镀铜沉积速率和质量的影响进行了评述。最后,总结了不同晶粒取向和晶粒大小的铜镀层在先进封装混合键合技术中的应用优势,并展望了高速电镀技术未来的应用领域与发展方向。

关键词：高速电镀先进封装金属互连酸性镀铜工艺优化

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扇出型晶圆级封装翘曲仿真与控制研究进展

微纳电子与智能制造 2024年第1期6卷 12-18页

作者：朱炳皓贵州振华风光半导体股份有限公司贵阳550018

对扇出型晶圆级封装晶圆重构工艺过程中翘曲产生的原因进行阐述,总结了近年来国内外翘曲仿真与控制的研究进展。从晶圆重构工艺所用的材料、设计的重构结构,以及重构涉及的模塑固化、减薄和解键合等方面的仿真分析结果,分析了翘曲的形... 详细信息

对扇出型晶圆级封装晶圆重构工艺过程中翘曲产生的原因进行阐述,总结了近年来国内外翘曲仿真与控制的研究进展。从晶圆重构工艺所用的材料、设计的重构结构,以及重构涉及的模塑固化、减薄和解键合等方面的仿真分析结果,分析了翘曲的形成原因。此外,将晶圆重构仿真分析结果与实验测试结果进行对比。最后,对重构晶圆翘曲矫正未来的发展方向进行展望。

关键词：扇出型晶圆级封装晶圆重构翘曲矫正有限元分析

PEN衬底氧化镓基柔性紫外探测器的制备与性能研究(特邀)

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光子学报 2024年第7期53卷 49-57页

作者：丁悦皇甫倩倩左清源梁金龙弭伟王迪张兴成刘振何林安天津理工大学集成电路科学与工程学院天津300384 中国科学院微电子研究所北京100029 天津英孚瑞半导体科技有限公司天津300382

针对传统硬性衬底无法弯折的问题,采用聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)衬底制备柔性紫外光电探测器。柔性衬底具有的抗曲折性,能够提升探测器的鲁棒性,并且能让其适用于各种复杂形态的应用场景,同时减少占用空间,有助于整个电路的集成化。实验... 详细信息

针对传统硬性衬底无法弯折的问题,采用聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)衬底制备柔性紫外光电探测器。柔性衬底具有的抗曲折性,能够提升探测器的鲁棒性,并且能让其适用于各种复杂形态的应用场景,同时减少占用空间,有助于整个电路的集成化。实验使用磁控溅射镀膜工艺首先在PEN衬底上生长氧化镓薄膜,并在氧化镓薄膜上生长氧化铟锡电极,在室温下成功制备柔性氧化镓紫外光电探测器,器件响应波长处于小于280 nm的深紫外区。将器件弯折20000次后其暗电流无显著变化,光电流增大,保持了良好的紫外光探测性能,探测器上升时间和衰减时间分别为0.24 s/0.74 s和0.10 s/0.71 s,其电流-时间特性曲线呈现周期性稳定,表明即使经过多次弯折,柔性氧化镓紫外探测器仍然具有良好的光电探测性能。

关键词：半导体光电探测器柔性紫外探测器射频磁控溅射氧化镓聚萘二甲酸乙二醇酯氧化铟锡

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晶圆微凸点技术在先进封装中的应用研究进展

微纳电子与智能制造 2024年第1期6卷 1-11页

作者：刘冰夏良贺京峰孔云陈平贵州振华风光半导体股份有限公司贵阳550018

先进封装技术持续朝着连接密集化、堆叠多样化和功能系统化的方向发展,探索了扇出型封装、2.5D/3D封装、系统级封装等多种封装工艺。晶圆微凸点技术已被广泛应用于各种先进封装工艺中,是最重要的基础技术之一。本文介绍了微凸点制备的... 详细信息

先进封装技术持续朝着连接密集化、堆叠多样化和功能系统化的方向发展,探索了扇出型封装、2.5D/3D封装、系统级封装等多种封装工艺。晶圆微凸点技术已被广泛应用于各种先进封装工艺中,是最重要的基础技术之一。本文介绍了微凸点制备的主要技术并进行优劣势比较,同时详述了锡球凸点和铜柱凸点两种不同的微凸点结构,为微凸点技术的更深入研究提供参考。最后,本文整理了微凸点技术在先进封装中的应用,并展望了未来的发展趋势。

关键词：先进封装微凸点制备技术凸点结构

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半导体行业废水处理与再生技术探讨

广东化工 2024年第18期51卷 122-126页

作者：郭莉李旭鹏株洲中车时代半导体有限公司湖南株洲412000

随着中国半导体行业的高速发展,该行业的生产过程中纯水使用量和废水排放量不断增加。本文对半导体行业废水的特性和主要废水类型进行了系统梳理,对各种废水处理方法及其优缺点进行了总结,并探讨了废水再生工艺和其中的膜污堵机制及解... 详细信息

随着中国半导体行业的高速发展,该行业的生产过程中纯水使用量和废水排放量不断增加。本文对半导体行业废水的特性和主要废水类型进行了系统梳理,对各种废水处理方法及其优缺点进行了总结,并探讨了废水再生工艺和其中的膜污堵机制及解决措施。最后,本文展望了半导体行业废水处理和再生方面的未来发展。

关键词：半导体行业废水处理工艺废水再生膜污堵