检索结果-南通市图书馆

Reversible Phase Change for C-RAM Nano-Cell-Element Fabricated by Focused Ion Beam Method

Chinese Physics Letters 2005年第3期22卷 758-761页

作者：刘波 CHENBomy researchcentreoffunctionalsemiconductorfilmengineeringandtechnology StateKeyLaboratoryofFunctionalMaterialsforInformaticsShanghaiInstituteofMicrosystemandInformationTechnologyChineseAcademyofSciences SiliconStorageTechnology Inc.1171SonoraCourtSunnyvaleCA94086USA

A single nano-cell-element of chalcogenide-random access memory was fabricated by using the focused ion beam method. The minimum contact size between the Ge2Sb2Te5 phase change film and the top electrode film for the cell element is with diameter of 60nm. The reversible phase transition between the RESET state and the SET state was successively realized. The minimum SET current is obtained to be about 0.28mA.

关键词： Reversible Phase Change C-RAM Nano-Cell-Element Fabricated Focused Ion Beam Method

来源：

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

Single Cell Element of Chalcogenide Randoul Access Memory Fabricated with the Focused Ion Beam Method

引用

Chinese Physics Letters 2004年第10期21卷 2054-2056页

作者：刘波宋志棠封松林 CHENBomy researchcentreoffunctionalsemiconductorfilmengineeringandtechnology.StateKeyLaboratoryofFunctionalMaterialsforInformatics ShanghaiInstituteofMicrosystemandInformationTechnologyChineseAcademyofSciences200050 SiliconStorageTechnology Inc1171SonoraCourtSunnyvaleCA94086USA

来源：

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：