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Continuous wave operation of GaAsBi microdisk lasers at room temperature with large wavelengths ranging from 1.27 to 1.41 μm

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Photonics research 2019年第5期7卷 508-512页

作者： Xiu Liu Lijuan Wang Xuan Fang Taojie Zhou Guohong Xiang Boyuan Xiang Xueqing Chen Suikong Hark Hao Liang Shumin Wang Zhaoyu Zhang School of Science and Engineering The Chinese University of Hong Kong Shenzhen 518172 China University of Chinese Academy of Sciences Beijing 100049 China Key Laboratory of Terahertz Solid-State Technology Chinese Academy of Sciences Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology CAS Shanghai 200050 China Key Laboratory for Photonic and Electronic Bandgap Materials Ministry of Education School of Physics and Electronic Engineering Harbin Normal University Harbin 150025 China Department of microtechnology and Nanoscience Chalmers University of Technology 41296 Gothenburg Sweden

Submicron-meter size GaAsBi disk resonators were fabricated with the GaAsBi/GaAs single-quantum-well(QW)-structure grown by molecular beam epitaxy. The GaAsBi/GaAs QW revealed very broad photoluminescence signals in the wavelength range of 1100–1400 nm at 300 K. The 750 nm diameter and 220 nm thick disk resonators were optically pumped and exhibited lasing characteristics with continuous wave operation at room *** our knowledge, it is the first demonstration of a lasing wavelength longer than 1.3 μm with a maximum value of 1.4 μm in a GaAsBi/GaAs material system. The lasing wavelength spans about 130 nm by adjusting the disk diameter, covering almost the entire O band. The ultrasmall GaAsBi disk lasers may have great potential for highly dense on-chip integration with large tunability in the O band.

关键词： wave room diamete our

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半导体量子电子和光电子器件

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物理学进展 2001年第3期21卷 255-277页

作者：傅英徐文兰陆卫 Laboratory of Physical Electronics and Photonics Microtechnology Center at ChalmersDepartment of PhysicsFysikgrand 3University of Gothenburg and Chalmers University of TechnologyS-412 96 GothenburgSweden 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室

本文阐述了半导体异质结构电子的量子特性 ,如电子波输运、库仑阻塞效应等。介绍了几种新颖、典型的量子电子器件和量子光电子器件的物理模型和基本原理。这些器件包括了单电子晶体管、共振隧穿二极管、高电子迁移率晶体管、δ掺杂场效... 详细信息

本文阐述了半导体异质结构电子的量子特性 ,如电子波输运、库仑阻塞效应等。介绍了几种新颖、典型的量子电子器件和量子光电子器件的物理模型和基本原理。这些器件包括了单电子晶体管、共振隧穿二极管、高电子迁移率晶体管、δ掺杂场效应晶体管、量子点元胞自动机、量子阱红外探测器、埋沟异质结半导体激光器、量子级联激光器等。给出了作者在半导体量子器件物理方面的最新研究结果。

关键词：半导体异质结构量子器件电子波输运库仑阻塞光电子器件电子

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Piezoelectric bimorph MEMS speakers

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Nanotechnology and Precision Engineering 2022年第3期5卷 1-8页

作者： Yiming Lang Chengze Liu Ahmed Fawzy Chen Sun Shaobo Gong Menglun Zhang State Key Laboratory of Precision Measuring Technology and Instruments Tianjin UniversityTianjin 300072China Nanotechnology Central Lab Electronics Research Institute(ERI)Cairo 12622Egypt

One of the key requirements for MEMS speakers is to increase the sound pressure level(SPL)while keeping the size as small as *** this paper we present a MEMS speaker based on piezoelectric bimorph cantilevers that produces a higher SPL than conventional unimorph cantilever *** active diaphragm size is 1.4×1.4 mm^(2).The bimorph cantilevers are connected in parallel to make full use of the actuation *** 1 kHz,the measured SPL reached 73 dB and the peak SPL reached 102 dB at the resonance frequency of 10 kHz in a 711 ear simulator under a driving voltage of 10 V_(rms).The total harmonic distortion of the MEMS speaker was less than 3%in the range from 100 Hz to 20 *** the absolute SPL was not the highest,this work provides a better SPL for all piezoelectric MEMS speakers.

关键词： Piezoelectric Microspeaker Bimorph Aluminum nitride

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