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Crystallization　Kinetics　of　Amorphous　In44Sb20Te36　Phase-Change　Optical　Recording　Films　on　a　Nanosecond　Scale

Chinese Physics Letters 2004年第6期21卷 1096-1099页

作者： ZHANGXue-Ru WUTTIGMattias DepartmentofPhysics HarbinInstituteofTechnologyHarbin150001 physikalischesinstitutderrwthaachen D-52056AachenGermany

We propose a simple method to investigate the crystallization kinetics of amorphous In44Sb20Te36 films on a nanosecond scale, based on local reflectivity measurements of the nanosecond laser-induced crystallization using a static tester. The pulse condition in terms of laser power and pulse width required for the onset of crystallization is established. Applying this pulse condition and Kissinger's analysis, an activation energy of 0.57eV is estimated for the crystallization. This value deviates substantially from the activation energy determined at lower sample temperatures where crystallization proceeds in a time scale of seconds rather than nanoseconds.

关键词： Crystallization kinetics

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