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检索条件"机构=Minerva Center and Jack and Pearl Resnick Institute of Advanced Technology"
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Uniform fabrication of Ge nanocrystals embedded into SiO2 film via neutron transmutation doping
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Progress in Natural Science:Materials International 2014年 第5期24卷 226-231页
作者： Wei Liu Tiecheng Lu Qingyun Chen Youwen Hu Shaobo Dun Issai Shlimak Department of Physics and Key Laboratory for Radiation Physics and technology of Ministry of Education Sichuan University School of National Defence and technology Southwest University of Science and Technology minerva center and jack and pearl resnick institute of advanced technology Department of Physics Bar-Ilan University
Nanocrystalline74Ge embedded SiO2 films were prepared by employing ion implantation and neutron transmutation doping *** electron microscopy, energy dispersive x-ray spectroscopy, and photoluminescence of the obtained... 详细信息
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