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电网用5200V压接式逆导IGBT模块

半导体技术 2024年第10期49卷 873-878页

作者：朱利恒王滨蔡海陈星覃荣震肖强株洲中车时代半导体有限公司功率半导体与集成技术全国重点实验室湖南株洲412001

为了进一步增大功率密度、降低热阻,基于平面增强型U形IGBT元胞结构设计了一种优化芯片背面的逆导(RC)IGBT芯片。通过将RC-IGBT芯片柔性压接封装成模块,研究模块的高温动、静态性能和子模组的极限性能。通过在芯片正面增加n型载流子存... 详细信息

为了进一步增大功率密度、降低热阻,基于平面增强型U形IGBT元胞结构设计了一种优化芯片背面的逆导(RC)IGBT芯片。通过将RC-IGBT芯片柔性压接封装成模块,研究模块的高温动、静态性能和子模组的极限性能。通过在芯片正面增加n型载流子存储层结构和结型场效应晶体管(JFET)区注入降低正向导通压降(V_(CE,on)),通过在芯片背面逐渐减小n+区域宽度消除正向导通压降回跳现象。测试结果表明,该模块在125℃、3000 A下V_(CE,on)为3.18 V,反向导通压降(V_(F))为1.95 V。3400 V母线电压下,子模组IGBT能关断3.9倍额定电流,可以通过21 V栅压、10μs的一类短路极限测试;快恢复二极管(FRD)的反向恢复瞬时功率峰值达6 MW以上,并可通过峰值电流达23倍额定电流(11.5 kA)的浪涌测试。相比同类产品,该RC-IGBT模块静态性能和极限性能均具有明显优势,能应用于大电流复杂工况的电网环境中。

关键词：逆导(RC)IGBT 压接模块低导通损耗宽安全工作区浪涌电流

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ASM330LHBG1惯性模块

传感器世界 2024年第5期30卷 41-42页

作者：意法半导体(中国)投资有限公司意法半导体(中国)投资有限公司

意法半导体推出了ASM330LHBG1汽车三轴加速度计和三轴陀螺仪模块及安全软件库,为汽车厂商带来一个经济高效的功能安全性应用解决方案。ASM330LHBG1符合AEC-Q1001级标准,适用于-40~125℃环境工作温度,可安装在发动机舱周边和阳光直射区... 详细信息

意法半导体推出了ASM330LHBG1汽车三轴加速度计和三轴陀螺仪模块及安全软件库,为汽车厂商带来一个经济高效的功能安全性应用解决方案。ASM330LHBG1符合AEC-Q1001级标准,适用于-40~125℃环境工作温度,可安装在发动机舱周边和阳光直射区域等工作环境。这些模块可以提高车辆导航、车身电子、驾驶辅助设备和高度自动化驾驶系统的定位准确度和可靠性。典型应用包括导航系统、防抖摄像头、激光雷达和雷达、主动悬架、车门模块、车联网(V2X)系统、自适应车灯、动作激活功能。

关键词：主动悬架发动机舱车辆导航驾驶辅助车联网车身电子意法半导体三轴加速度计

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氢终端金刚石薄膜生长及其表面结构

物理学报 2024年第8期73卷 323-328页

作者：马孟宇蔚翠何泽召郭建超刘庆彬冯志红中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 河北半导体研究所固态微波器件与电路全国重点实验室石家庄050051

氢终端金刚石的导电性问题是目前限制其在器件领域应用的关键因素.传统的氢终端金刚石制备工艺由于金刚石中含有杂质元素以及表面的加工损伤的存在,限制了氢终端金刚石的电特性.在金刚石衬底上直接外延一层高纯、表面平整的氢终端金刚... 详细信息

氢终端金刚石的导电性问题是目前限制其在器件领域应用的关键因素.传统的氢终端金刚石制备工艺由于金刚石中含有杂质元素以及表面的加工损伤的存在,限制了氢终端金刚石的电特性.在金刚石衬底上直接外延一层高纯、表面平整的氢终端金刚石薄膜成为一种可行方案,但该方案仍存在薄膜质量表征困难,表面粗糙度较大等问题.本文采用微波等离子体化学气相沉积(CVD)技术,在含氮CVD金刚石衬底上外延一层亚微米级厚度金刚石薄膜,并研究分析了不同甲烷浓度对金刚石薄膜生长以及导电性能的影响.测试结果显示:金刚石薄膜生长厚度为230—810 nm,且外延层氮浓度含量低于1×10^(16) atom/cm^(3),不同的甲烷浓度生长时,金刚石外延层表面出现了三种生长模式,这主要与金刚石的生长和刻蚀作用相关.经过短时间生长后的金刚石薄膜表面为氢终端(2×1:H)结构,而氧、氮元素在其中的占比极低,这使得生长后的金刚石薄膜具有P型导电特性.霍尔测试结果显示,甲烷浓度为4%条件下生长的氢终端金刚石薄膜导电性最好,其方块电阻为4981Ω/square,空穴迁移率为207 cm^(2)/(V·s),有效地提升了氢终端金刚石电特性,为推进大功率金刚石器件发展应用起到支撑作用.

关键词：氢终端金刚石甲烷浓度生长模式电性能

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第三代半导体发展现状及未来展望

科技导报 2024年第8期42卷 29-38页

作者：高爽郑宇亭张志国中电科第三代半导体科技有限公司北京100041

在分析第三代半导体重要战略意义的基础上,讨论了中国在相关领域技术和产业化能力的发展状况,阐述了“大尺寸、降成本”是当前碳化硅及氮化镓技术的发展重心,并探讨了第三代半导体行业企业发展模式以及可能存在的问题及风险。尽管中国... 详细信息

在分析第三代半导体重要战略意义的基础上,讨论了中国在相关领域技术和产业化能力的发展状况,阐述了“大尺寸、降成本”是当前碳化硅及氮化镓技术的发展重心,并探讨了第三代半导体行业企业发展模式以及可能存在的问题及风险。尽管中国已具备良好基础,但仍存在不足,建议在国家政策的指导下,以应用牵引实现发展,加大产线的持续支持力度,系统地丰富产品形态,促进第三代半导体产业高质量发展,把握未来应用新机遇。

关键词：第三代半导体碳化硅氮化镓 5G通讯企业模式

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GPU芯片的图形渲染引擎设计及实现

信息与电脑 2024年第14期36卷 160-162页

作者：何寅超威半导体(中国)有限公司上海200135

在当前视觉呈现领域,提高极致渲染的效率与降低延迟成为该领域的核心挑战。分割帧渲染(Scissor Frame Rendering,SFR)技术虽能提升效率,但冗余计算与图形处理器(Graphics Processing Unit,GPU)间的顺序同步限制了其在多GPU环境下的程序... 详细信息

在当前视觉呈现领域,提高极致渲染的效率与降低延迟成为该领域的核心挑战。分割帧渲染(Scissor Frame Rendering,SFR)技术虽能提升效率,但冗余计算与图形处理器(Graphics Processing Unit,GPU)间的顺序同步限制了其在多GPU环境下的程序扩展。本研究创新性地提出了针对多GPU系统的SFR优化方案,它利用图像合成并行性,通过精细任务分配与协同机制消除了传统性能障碍。优化GPU间的数据交换,减少等待时间,智能调度最大化计算资源利用,避免冗余计算。实验证明,新方案在多GPU环境下显著提升了性能与扩展性。当GPU数量增加时,渲染效率提升,延迟保持极低,有效验证了其在大规模并行渲染中的优势。

关键词： GPU 图形渲染大规模模型

PEN衬底氧化镓基柔性紫外探测器的制备与性能研究(特邀)

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光子学报 2024年第7期53卷 49-57页

作者：丁悦皇甫倩倩左清源梁金龙弭伟王迪张兴成刘振何林安天津理工大学集成电路科学与工程学院天津300384 中国科学院微电子研究所北京100029 天津英孚瑞半导体科技有限公司天津300382

针对传统硬性衬底无法弯折的问题,采用聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)衬底制备柔性紫外光电探测器。柔性衬底具有的抗曲折性,能够提升探测器的鲁棒性,并且能让其适用于各种复杂形态的应用场景,同时减少占用空间,有助于整个电路的集成化。实验... 详细信息

针对传统硬性衬底无法弯折的问题,采用聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)衬底制备柔性紫外光电探测器。柔性衬底具有的抗曲折性,能够提升探测器的鲁棒性,并且能让其适用于各种复杂形态的应用场景,同时减少占用空间,有助于整个电路的集成化。实验使用磁控溅射镀膜工艺首先在PEN衬底上生长氧化镓薄膜,并在氧化镓薄膜上生长氧化铟锡电极,在室温下成功制备柔性氧化镓紫外光电探测器,器件响应波长处于小于280 nm的深紫外区。将器件弯折20000次后其暗电流无显著变化,光电流增大,保持了良好的紫外光探测性能,探测器上升时间和衰减时间分别为0.24 s/0.74 s和0.10 s/0.71 s,其电流-时间特性曲线呈现周期性稳定,表明即使经过多次弯折,柔性氧化镓紫外探测器仍然具有良好的光电探测性能。

关键词：半导体光电探测器柔性紫外探测器射频磁控溅射氧化镓聚萘二甲酸乙二醇酯氧化铟锡

应用于高速serdes的数字CDR研究与设计

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中国集成电路 2024年第10期 67-72页

作者：栾昌海赵玉彬牛芯半导体(深圳)有限公司

本文采用40nm工艺，设计了一款应用于高速serdes的数字CDR电路。为了保证电路设计参数合理性，本文先对CDR环路做了建模分析，在满足CDR性能基础上确定各环路参数。为兼顾比例路径低延时以及积分路径低功耗小面积要求，本设计中将比例... 详细信息

本文采用40nm工艺，设计了一款应用于高速serdes的数字CDR电路。为了保证电路设计参数合理性，本文先对CDR环路做了建模分析，在满足CDR性能基础上确定各环路参数。为兼顾比例路径低延时以及积分路径低功耗小面积要求，本设计中将比例路径置于模拟域，使得其反馈路径更短；而积分路径置于数字域，功能实现简单且面积更紧凑。电路仿真结果表明本设计可以准确完成时钟恢复与数据重定时。

关键词： CDR 比例路径积分路径降采样

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中国航天精神对企业文化建设的启示

现代企业文化 2024年第25期 4-6页

作者：胡家王勇黄承键徐乐南京南瑞半导体有限公司

本文探讨了中国航天精神对企业文化建设的深刻启示。航天精神以其崇高的使命感、坚韧不拔的毅力、严谨高效的工作作风，以及持续创新的成功方法，为企业文化的塑造提供了宝贵经验。本文从理想信念、工作作风、成功方法等方面，详细分析... 详细信息

本文探讨了中国航天精神对企业文化建设的深刻启示。航天精神以其崇高的使命感、坚韧不拔的毅力、严谨高效的工作作风，以及持续创新的成功方法，为企业文化的塑造提供了宝贵经验。本文从理想信念、工作作风、成功方法等方面，详细分析了航天精神在企业文化建设中的具体应用，强调了航天精神在塑造企业文化、提升团队凝聚力、推动创新发展等方面的重要作用。最后，本文总结了航天精神对企业文化的启示，呼吁企业积极学习和借鉴，以实现企业文化建设的创新发展。

关键词：中国航天精神企业文化建设启示

平面栅极碳化硅垂直MOSFET功率器件栅氧可靠性筛选研究进展综述

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中国集成电路 2024年第9期33卷 16-23页

作者：司乙川广东芯粤能半导体有限公司

随着碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)功率器件的广泛应用,其面临的栅极可靠性问题亟待解决,本文回顾了平面栅极碳化硅垂直MOSFET功率器件的栅极结构以及目前业界常用的栅氧筛选方法,介绍了栅氧早期失效物理模型并且讨论了... 详细信息

随着碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)功率器件的广泛应用,其面临的栅极可靠性问题亟待解决,本文回顾了平面栅极碳化硅垂直MOSFET功率器件的栅极结构以及目前业界常用的栅氧筛选方法,介绍了栅氧早期失效物理模型并且讨论了这些物理模型与筛选方法之间的适用性。

关键词：碳化硅功率半导体栅极氧化层可靠性筛选