咨询与建议

限定检索结果

文献类型

  • 3 篇 期刊文献
  • 1 篇 会议

馆藏范围

  • 4 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 4 篇 工学
    • 4 篇 材料科学与工程(可...
    • 3 篇 电子科学与技术(可...

主题

  • 1 篇 半导体
  • 1 篇 本征
  • 1 篇 可靠性测试
  • 1 篇 电路结构
  • 1 篇 研发过程
  • 1 篇 工艺开发
  • 1 篇 量测技术
  • 1 篇 ipce测量
  • 1 篇 量子效率测量方法
  • 1 篇 电流-电压
  • 1 篇 霍尔效应
  • 1 篇 高介电常数
  • 1 篇 测量
  • 1 篇 高k材料
  • 1 篇 光谱响应
  • 1 篇 测量技术
  • 1 篇 晶圆
  • 1 篇 新材料
  • 1 篇 电荷
  • 1 篇 晶体管

机构

  • 2 篇 keithley instrum...
  • 1 篇 crowntech
  • 1 篇 keithley instrum...
  • 1 篇 sematech

作者

  • 1 篇 c.d.young
  • 1 篇 陈为群
  • 1 篇 r.choi
  • 1 篇 dave rubin yuega...
  • 1 篇 b.h.lee
  • 1 篇 y.zhao
  • 1 篇 stephen blight

语言

  • 4 篇 中文
检索条件"机构=Keithley Instruments Inc."
4 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
晶圆级可靠性测试成为器件和工艺开发的关键步骤
收藏 引用
集成电路应用 2006年 第5期23卷 40-43页
作者: Dave Rubin Yuegang Zhao keithley instruments inc.
随着器件尺寸的持续减小,以及在器件的制造中不断使用新材料,对晶圆级可靠性测试的要求越来越高,在器件研发过程中这些发展也对可靠性测试和建模也提出了新的要求,为了满足这些挑战需要开发更快、更敏感、更具灵活性的可靠性测试工具。
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
脉冲测量技术越过高K材料电荷捕获的壁垒
收藏 引用
集成电路应用 2006年 第6期23卷 24-27页
作者: Y.Zhao C.D.Young R.Choi B.H.Lee keithley instruments inc. Sematech
由于高介电常数的栅电路结构在俘获电荷机制上存在负面影响,常规的直流量测技术已经捉襟见肘了。脉冲电流-电压量测技术能够彻底解决这一难题,从而得到高介电常数栅电路结构晶体管的本征电学表现。
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
利用霍尔效应纵断面描绘法测量半导体的载流子浓度和迁移率(英文)
收藏 引用
计量学报 1992年 第1期13卷 64-70页
作者: Stephen Blight keithley instruments lnc.USA
差分霍尔效应纵断面描绘是表征半导体分层特性的重要手段。本文着重介绍它的原理、系统设计、测量结果及实际应用。
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
为什么会发生量子效率或IPCE测量结果偏高的现象
为什么会发生量子效率或IPCE测量结果偏高的现象
收藏 引用
第七届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会
作者: 陈为群 CROWNTECH INC.北京颐光新源
量子效率(QE,IPCE)是太阳电池最重要的技术指标,对其准确的测量是进一步研究工作的重要基础,然而业内某些在用太阳电池量子效率(IPCE)测试设备,测量值严重偏大,甚至可将传统晶硅电池的QE测出大于110%~115%的结果,违反光电效应基本原理... 详细信息
来源: cnki会议 评论