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Di.ect nanoscopi. observati.n of plasma waves i. the channel of a graphene fi.ld-effect transi.tor

Li.ht(Sci.nce & Appli.ati.ns) 2020年第1期9卷 1079-1085页

作者： Ami. Soltani.Frederi. Kuschewski.Marlene Bonmann Andrey Generalov Andrei.Vorobi.v Flori.n Ludwi. Matthi.s M.Wi.cha Dovi.e Ci.i.ai.e Frederi. Walla Stephan Wi.nerl Susanne C.Kehr Lukas M.Eng Jan Stake Hartmut G.Roskos physikalisches institut Johann Wolfgang Goethe-UniversitatMax-von-Laue-Str.1D-60438 Frankfurt am MainGermany institut für Angewandte Physi. Technische Universitat DresdenNöthnitzer Str.61D-01187 DresdenGermany Department of Mi.rotechnology and Nanosci.nce Chalmers University of TechnologySE-41296 GothenburgSweden institute of i.n Beam Physi.s and Materi.ls Research Helmholtz-Zentrum Dresden-RossendorfBautzner Landstraße 400D-01328 DresdenGermany Complexi.y and Topology i. Quantum Matter(CT.QMAT) Cluster of Excellence EXC 2147Dresden/WurzburgGermany Department of Electroni.s and Nanoengi.eeri.g Aalto UniversityTietotie 302150EspooFinland

Plasma waves play an i.portant role i. many soli.-state phenomena and devi.es.They also become si.ni.i.ant i. electroni. devi.e structures as the operati.n frequenci.s of these devi.es i.crease.A promi.ent example i. fi.ld-effect transi.tors(FETs),that wi.ness i.creased attenti.n for appli.ati.n as recti.yi.g detectors and mi.ers of electromagneti. waves at gi.ahertz and terahertz frequenci.s,where they exhi.i. very good sensi.i.i.y even hi.h above the cut-off frequency defi.ed by the carri.r transi. ti.e.Transport theory predi.ts that the coupli.g of radi.ti.n at THz frequenci.s i.to the channel of an antenna-coupled FET leads to the development of a gated plasma wave,collecti.ely i.volvi.g the charge carri.rs of both the two-di.ensi.nal electron gas and the gate electrode.i. thi. paper,we present the fi.st di.ect vi.uali.ati.n of these waves.Employi.g graphene FETs contai.i.g a buri.d gate electrode,we uti.i.e near-fi.ld THz nanoscopy at room temperature to di.ectly probe the envelope functi.n of the electri. fi.ld ampli.ude on the exposed graphene sheet and the nei.hbori.g antenna regi.ns.Mappi.g of the fi.ld di.tri.uti.n documents that wave i.jecti.n i. uni.i.ecti.nal from the source si.e si.ce the osci.lati.g electri.al potenti.ls on the gate and drai. are equali.ed by capaci.i.e shunti.g.The plasma waves,exci.ed at 2 THz,are overdamped,and thei. decay ti.e li.s i. the range of 25-70 fs.Despi.e thi. short decay ti.e,the decay length i. rather long,i.e.,0.3-0.5μm,because of the rather large propagati.n speed of the plasma waves,whi.h i. found to li. i. the range of 3.5-7×10^(6)m/s,i. good agreement wi.h theory.The propagati.n speed depends only weakly on the gate voltage swi.g and i. consi.tent wi.h the theoreti.ally predi.ted 1/4 power law.

关键词： antenna channel transi.tor

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The Boundary States of the q-Deformed Supersymmetri. t-J Model wi.h a Boundary

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Communi.ati.ns i. Theoreti.al Physi.s 2001年第10期36卷 405-412页

作者： YANG Wen-Li.ZHEN Yi institute of Modern Physi.s Northwest University Xi''an 710069 China Physikalisches Institut der Universitat Bonn Nussallee 12 53115 Bonn Germany Institute of Modern Physics Northwest University Xi''an 710069 China

The q-deformed supersymmetri. t J model on a semi.i.fi.i.e latti.e i. di.gonali.ed by usi.g the level-one vertex operators of the quantum affi.e superalgebra Uq[sl(2|1)]. We gi.e the bosoni.ati.n of the boundary states.

关键词： quantum t-J model, bosoni.ati.n, affi.e quantum algebra, boundary states

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界面分子组装与表面图案化

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科学通报 2001年第6期46卷 441-443页

作者：邹勃张丽吴立新迟力峰张希吉林大学超分子结构与谱学教育部重点实验室长春130023 physikalisches institut

表面图案化是指在至少一维的方向上生成纳米级的规则表面结构. 它在超分子科学、材料科学, 微电子学及细胞生物学等方面均有重要的科学意义和应用价值[1]. 表面图案化主要用于表面性质的调控. 微观尺度的表面结构可以用来控制黏附、摩... 详细信息

表面图案化是指在至少一维的方向上生成纳米级的规则表面结构. 它在超分子科学、材料科学, 微电子学及细胞生物学等方面均有重要的科学意义和应用价值[1]. 表面图案化主要用于表面性质的调控. 微观尺度的表面结构可以用来控制黏附、摩擦及浸润等材料表面性质, 该性质与分子间相互作用和表面拓扑结构密切相关. 选择性吸附和表面特异性识别更是要求控制表面的各向异性性质. 在微电子领域, 人们已经开始探讨图案化表面材料用作高密度磁性存储介质的可能性. 量子点阵激光、量子级联激光和单电子二极管的出现也从根本上改变了传统器件的基本概念. 在细胞生物学方面, 表面图案化可用来控制附着细胞的空间分布, 发展新型快速的诊断方法及构造神经网络[2]. 表面图案化在纳米反应器、微型阵列器件、组合化学与药物筛选等方面的潜在应用也是巨大并可预见的.

关键词：界面分子组装表面图案化纳米表面结构超分子科学超分子构筑树状分子化学吸附表面聚集

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类液晶作为高性能有机场效应晶体管的有源层

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Sci.nce Chi.a Materi.ls 2023年第4期66卷 1518-1526页

作者：王治芳 Dani.l Marti.-Ji.enez 张莹莹 Mi.uel Wi.he 刘拉程 Dani.l Ebeli.g 仲启刚 Flori.n Fontei. Andre Schi.mei.en 黄丽珍王滋王文冲迟力峰 institute of Functi.nal Nano&Soft Materi.ls(FUNSOM) Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials&DevicesSoochow UniversitySuzhou 215123China Westfali.che Wi.helms-Uni.ersi.at Munster Physikalisches Institut and Center for Nanotechnology(CeNTech)Wilhelm-Klemm-StraBe 1048149 MunsterGermany instituti.n Center for Soft Nanosci.nce Busso-Peus-Strasse1048149 MinsterGermany institute of Appli.d Physi.s(i.P)and Center for Materi.ls Research(LaMa) Justus Liebig University GieBenHeinrich-Buff-Ring 1635392 GieBenGermany Gusu Laboratory of Materi.ls Suzhou 215123China

高载流子迁移率和器件性能的一致性对于有机场效应晶体管在阵列和集成电路上的应用至关重要.然而,同时具备高性能和小批间差的方法当前仍然是个挑战.本论文在原子力显微镜和偏振荧光显微镜表征的基础上,报道了在PTCDi.C1_(3)分子模板上... 详细信息

高载流子迁移率和器件性能的一致性对于有机场效应晶体管在阵列和集成电路上的应用至关重要.然而,同时具备高性能和小批间差的方法当前仍然是个挑战.本论文在原子力显微镜和偏振荧光显微镜表征的基础上,报道了在PTCDi.C1_(3)分子模板上生长具有大晶畴的di.-TES-ADT类液晶状薄膜的方法.我们进一步将所获得的薄膜用作有机场效应晶体管的载流子传输通道,其饱和载流子迁移率高达1.62±0.26 cm^(2)V^(-1)s^(-1).更重要的是,在重复三个批次之间,每次50个器件的迁移率批间差仅为16%.这一发现为设计材料和器件结构以同时实现高载流子迁移率和器件均匀性提供了一种新思路.

关键词：有机场效应晶体管载流子迁移率载流子传输有源层集成电路器件性能偏振荧光原子力显微镜

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Ti.杂ZnTe体材料的优化光致发光光谱

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物理学报 2003年第7期52卷 1743-1747页

作者：邵军中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 physikalisches institut Uni.ersi.t Stuttgart D-70550 Stuttgart Germany

针对光致发光光谱法研究ZnTe :Ti.困难 ,对包括激发能量、激发功率与激发光斑大小、水汽干扰和测量温度等实验条件进行了细致的优化 .发现 :(1)低于ZnTe禁带宽度的激发能量能给出相对强的光致发光光谱 ;(2 )水汽干扰既影响谱线的相对... 详细信息

针对光致发光光谱法研究ZnTe :Ti.困难 ,对包括激发能量、激发功率与激发光斑大小、水汽干扰和测量温度等实验条件进行了细致的优化 .发现 :(1)低于ZnTe禁带宽度的激发能量能给出相对强的光致发光光谱 ;(2 )水汽干扰既影响谱线的相对强度又增大谱线能量的测定误差 ;(3)相对强的激光聚焦有利于获得较好的光致发光光谱 .可靠地观察到位于 390 3.5和 390 5 .9cm- 1 能量位置处的零声子光致发光谱线 .根据两谱线的能量间距和相对强度随温度的变化关系 ,并借助于晶体场理论对四面体晶体场中 3d1 和 3d2 杂质离子能级的分析 ,该零声子光致发光谱线被界定为源于Ti.+ 的深能级跃迁 ,从而获得了Ti.+ 存在于Ⅱ

关键词： Ti.杂 ZnTe体材料优化光致发光光谱半导体材料碲化锌钛掺杂

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有关扩镉i.P光电二极管内微等离子体效应的空间解析研究

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半导体光电 1983年第1期 73-74页

作者： J. M. Vi.ela,W. Kuebart,O. Hi.debrand,J. Ki.merle,程泰平 Stuttgart physikalisches institut Tei.14 D-7000 Stuttgart 80 西德 Stuttgart physikalisches institut Tei.14 D-7000 Stuttgart 80 西德 Uni.ersi.at Uni.ersi.at Uni.ersi.at Uni.ersi.at Stuttgart physikalisches institut Tei.14 D-7000 Stuttgart 80 西德 Stuttgart physikalisches institut Tei.14 D-7000 Stuttgart 80 西德

作为光纤通信用i.GaAs（P）/i.P雪崩光电探测器应优先考虑设计扩镉i.P-pn结的异质结二极管。然而,严重的工艺问题是必须避免因晶体缺陷引起微等离子体的出现。因此,我们集中研究了这类微等离子体的电学和噪声特性以及光学特性。采用专... 详细信息

作为光纤通信用i.GaAs（P）/i.P雪崩光电探测器应优先考虑设计扩镉i.P-pn结的异质结二极管。然而,严重的工艺问题是必须避免因晶体缺陷引起微等离子体的出现。因此,我们集中研究了这类微等离子体的电学和噪声特性以及光学特性。采用专门制备的二极管,借助显微镜标尺,我们能够观察到单个微等离子体横跨pn结。使用标准非掺杂i.P样品(Nd-Na=3.6×1015cm-3),在和晶向制作

关键词：微等离子体二极管 i.P 电子注入

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不可微不可逆映象中的V型阵发

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物理学报 1993年第5期42卷 711-720页

作者：何大韧 S.HABi. M.BAUER U.KRUEGER W.MARTi.NSSEN B.CHRi.Ti.NSEN 汪秉宏西北大学物理系 physikalisches institut der Uni.ersi.at D-6000 Frankfurt a.M.11Germany Physi.s Laboratory Uni.ersi.y of Copenhagen DK-2100 CopenhagenDamark 中国科学技术大学近代物理系合肥230026

一个既不可微(或不连续)又不可逆的一维映象可以展示一种新型的阵发。它的机制是稳定不动点与映象不可微或不连续点碰撞而消失。这种阵发可以在该不动点附近的线性化映象本征值绝对值在阵发前为小于1的任何值的情况发生,因而可能突然出... 详细信息

一个既不可微(或不连续)又不可逆的一维映象可以展示一种新型的阵发。它的机制是稳定不动点与映象不可微或不连续点碰撞而消失。这种阵发可以在该不动点附近的线性化映象本征值绝对值在阵发前为小于1的任何值的情况发生,因而可能突然出现在倍周期分岔序列中途任一部分,使序列中断进入混沌。在稳定不动点消失后映象产生的阵发时间序列中,层流相长度呈现与外控参数距临界值距离的对数依赖关系。这种新型标度规律不依赖于映象的细节。作者认为这种阵发应广泛存在于许多实际系统之中。

关键词：映象阵发浑沌层流相 V型阵发

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Magneti. Resonance i. Rb2 MnCl4 by Sweepi.g the Frequency i. the nun-Wave Range and by Sweepi.g the Magneti. Fi.ld.

Magnetic Resonance in Rb2 MnCl4 by Sweeping the Frequency in...

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i.ternati.nal Conference on Mi.li.eter Wave and far-i.frared Technology

作者： R.Gei.k K.H.Strobel H.Greb M.Rothaler physikalisches institut der Uni.ersi.at D-8700 Wurzburg F. R. Germany physikalisches institut der Uni.ersi.at D-8700 Wurzburg F. R. Germany physikalisches institut der Uni.ersi.at D-8700 Wurzburg F. R. Germany physikalisches institut der Uni.ersi.at D-8700 Wurzburg F. R. Germany

＜正＞ The uni.xi.l anti.erromagnet Rb2MnCl4 has been studi.d by spectroscopi. measurements i. the mm-wave range. A spli.ti.g of the zero fi.ld AFMR i. explai.ed by an orthorhombi. di.torti.n. For H⊥c, a peculi.r beh...

关键词：

来源： cnki会议评论

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Studyi.g i.fall i. i.frared dark clouds wi.h multi.le HCO transi.i.ns

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Research i. Astronomy and Astrophysi.s 2021年第8期21卷 253-268页

作者：谢津津吴京文 Gary A.Fuller Ni.olas Peretto 任致远陈龙飞闫耀庭李国栋段言夏季风王永雄李菂 Nati.nal Astronomi.al Observatori.s Chinese Academy of SciencesBeijing 100101China Uni.ersi.y of Chi.ese Academy of Sci.nces Beijing 100049China Jodrell Bank Centre for Astrophysi.s Department of Physics&AstronomyThe University of ManchesterManchester M139PLUnited Kingdom i.physikalisches institut University of CologneZlilpicher Str.7750937 KolnGermany NAOC-UKZN Computati.nal Astrophysi.s Centre University of KwaZulu-NatalDurban 4000South Africa School of Physi.s&Astronomy Cardiff UniversityQueen's BuildingThe ParadeCardiffCF243AAUnited Kingdom Max-Planck-institut fur Radi.astronomi. Auf dem Hiigel 6953121 BonnGermany

We i.vesti.ate the i.fall properti.s i. a sample of 11 i.frared dark clouds(i.DCs) showi.g blue-asymmetry si.natures i. HCO^(+)J=1-0 li.e profi.es.We used JCMT to conduct mappi.g observati.ns i. HCO^(+)J=4-3 as well as si.gle-poi.t observati.ns i. HCO+J=3-2,towards 23 clumps i. these i.DCs.We appli.d the Hi.L model to fi. these observati.ns and deri.ed i.fall veloci.i.s i. the range of 0.5-2.7 km s^(-1),wi.h a medi.n value of 1.0 km s^(-1),and obtai.ed mass accreti.n rates of 0.5-14 ×10^(-3) Mo yr^(-1).These values are comparable to those found i. massi.e star formi.g clumps i. later evoluti.nary stages.These i.DC clumps are more li.ely to form star clusters.HCO^(+)J=3-2 and HCO^(+)J=1-0 were shown to trace i.fall si.natures well i. these i.DCs wi.h comparable i.ferred properti.s.HCO^(+)J=4-3,on the other hand,exhi.i.s i.fall si.natures only i. a few very massi.e clumps,due to smaller opaci.i.s.No obvi.us correlati.n for these clumps was found between i.fall veloci.y and the NH3/CCS rati..

关键词： stars:formati.n i.M:clouds star formati.n:ki.emati.s and dynami.s

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高x值混晶Hg_(1-x)Cd_xTe光吸收边的压力效应

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物理学报 1989年第11期38卷 1858-1863页

作者：姜山朱浩荣沈学础 J.Schi.z 中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室 physikalisches institut Zulpicher Strasse 77D-5000 Koln 41FRG

采用金刚石对顶砧高压装置,在0—36kbar流体静压力范围和室温条件下测量了高x值的P型碲镉汞混晶Hg_(0.3)Cd_(0.7)Te光吸收边及其随压力的变化。300K下Hg_(0.3)Cd_(0.7)Te光学能隙的实验值与用经验公式的计算值一致。用最小二乘法拟合不... 详细信息

采用金刚石对顶砧高压装置,在0—36kbar流体静压力范围和室温条件下测量了高x值的P型碲镉汞混晶Hg_(0.3)Cd_(0.7)Te光吸收边及其随压力的变化。300K下Hg_(0.3)Cd_(0.7)Te光学能隙的实验值与用经验公式的计算值一致。用最小二乘法拟合不同压力下的实验结果,得到Hg_(0.3)Cd_(0.7)Te能隙的一阶压力系数α=8.7×10^(-11)eV/Pa,与用化学键介电函数理论预期的值符合很好,同时拟合得到能隙的二阶压力系数反常的大,其值为β=-6.3×10^(-13)eV/Pa^2。另外,观察到34—36kbar时,Hg_(0.3)Cd_(0.7)Te的结构相变。

关键词：高X值混晶光吸收边压力

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