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机构

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作者

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  • 1 篇 王非
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  • 1 篇 姚祥
  • 1 篇 冯晓辉
  • 1 篇 顾祥
  • 1 篇 王文渊
  • 1 篇 唐逸
  • 1 篇 铁宏安
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  • 1 篇 任敏
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检索条件"机构=Huahong NEC Electronics Company"
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An improved HCI degradation model for a VLSI MOSFET
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引用
Journal of Semiconductors 2009年 第12期30卷 33-36页
作者： 唐逸 万星拱 顾祥 王文渊 张会锐 刘玉伟 Shanghai Integrated Circuit Research and Development Center Shanghai Hua Hong nec electronics company Ltd
An improved hot carrier injection （HCI） degradation model was proposed based on interface trap generation and oxide charge injection theory. It was evident that the degradation behavior of electric parameters such a... 详细信息
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Above 700 V superjunction MOSFETs fabricated by deep trench etching and epitaxial growth
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Journal of Semiconductors 2010年 第8期31卷 48-52页
作者： 李泽宏 任敏 张波 马俊 胡涛 张帅 王非 陈俭 State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices University of Electronic Science and Technology Shanghai Hua Hong nec electronics company Limited
Silicon superjunction power MOSFETs were fabricated with deep trench etching and epitaxial growth,based on the process platform of the Shanghai Hua Hong nec electronics company *** breakdown voltages of the fabricated... 详细信息
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球面像差的容限——一种工艺窗口的实验性研究(英文)
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电子工业专用设备 2005年 第10期34卷 30-34页
作者： Zhiyong Wang Ping Zheng Qiang Wu huahong nec electronics company Ltd. Shanghai 201206 P.R. China
球面像差能破坏光刻的成像质量。它不仅影响工艺窗口, 即, 曝光容裕度和焦深( DOF ),而且也降低了掩模误差因子( MEF ), 这能导致附加的掩模费用。尽管最近已经报道了一些系统的测量方法, 但这种像差的程度到实际实验工艺窗口的降级之... 详细信息
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2．1GHz CMOS低噪声放大器
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引用
固体电子学研究与进展 2008年 第2期28卷 212-214页
作者： 铁宏安 李拂晓 李向阳 冯晓辉 姚祥 魏倩 张斌 翁长羽 南京电子器件研究所 南京210016 上海华虹nec电子有限公司 上海201206
采用上海华虹nec0.35μm标准CMOS工艺进行RFCMOS窄带低噪声放大器的设计和制作。测试结果表明,在2.1GHz时,输入驻波比1.1,输出驻波比1.5,增益18dB,噪声系数2.7dB,P-1dB输出功率9dBm。
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