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作者

  • 1 篇 yung kee yeo
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ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF HOT-TEMPERATURE ION-IMPLANTED GAN WITH SI AT 800℃
ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF HOT-TEMPERATURE ION-IMP...
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第8届国际材联电子材料国际研讨会
作者： James A.Fellows Yung Kee Yeo Robert L. hengehold Air Force Institute of Technology Wright-Patterson Air Force Base OH 45433 USA Daniel K. Johnstone Air Force Office of Scientific Research Arlington VA 22203 USA hengehold Air Force Institute of Technology Wright-Patterson Air Force Base OH 45433 USA Daniel K. Johnstone Air Force Office of Scientific Research Arlington VA 22203 USA hengehold Air Force Institute of Technology Wright-Patterson Air Force Base OH 45433 USA Daniel K. Johnstone Air Force Office of Scientific Research Arlington VA 22203 USA
＜正＞ The group Ⅲ-nitrides currently receive extensive attention for their applications in the next generation of electronic and photonic devices. In spite of recent progress in epitaxial growth, the fabrication of ...
来源： cnki会议 评论
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