检索结果-南通市图书馆

检索条件"机构=Compass Design Automation. 1865 Lundy Avenue"

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Pin Allocation for clock Routing

Pin Allocation for clock Routing

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1996第二届国际专用集成电路会议（上海）

作者： Junwei Jiang compass design automation.1865 lundy avenue M/S 410 San JoseCA 95131 USA

＜正＞We present two algorithms for allocating clock pin positions to reduce connection length while maintaining zero clock *** the channel routing case,a graph model is introduced to precisely represent the problem. Based on the model,a clock tree with minimal length,depth and skew is *** a given placement, the depth of the clock tree is proved to be minimal while minimizing the clock net length,therefore the latency of the clock net can be predicted accurately. For the case of BBL design methodology,the connection lengths are reduced by setting the pitchmatching point among the adjacent *** significantly increases the local connectivity and decreases the global connectivity of the clock *** good results over those published were *** to 35%improvements on net lengths were made in the BBL cases.

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MOSFET DRAIN ENGINEERING FOR LOW-POWER APPLICATIONS

MOSFET DRAIN ENGINEERING FOR LOW-POWER APPLICATIONS

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1995 4th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology

作者： Felix Fujishiro Lily Ding Ed Nowak Ying·Tsong Loh compass design automation. 1865 lundy avenue San Jose CA 95131 USA VLSI Technology Inc.. 1109 McKay Drive San Jose CA 95131 USA VLSI Technology Inc.. 1109 McKay Drive San Jose CA 95131 USA VLSI Technology Inc.. 1109 McKay Drive San Jose CA 95131 USA

＜正＞ The lightly doped drain （LDD） transistor structure has been used for several sub-micron process generations to improve hot-carrier immunity for 5-volt applications. The principal challenge for LDD design is to optimize current-drive capability, thus improving circuit performance, while maintaining acceptable hot-carrier lifetime. The challenge for deep sub-micron devices remains the same, but some of the design constraints have changed. Reduction of the supply voltage Vdd inherently improves the hot-carrier lifetime, thus potentially allowing greater latitude in MOS device design. In this paper, the current-drive capability of MOSFETs with various drain structures is studied for 3.3-volt applications.

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