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Characterization of Mn—Doped Ba1—xSrxTiO3 Thin Films Prepared by the Sol—Gel Method
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Chinese Physics Letters 2002年 第11期19卷 1724-1726页
作者: 任天令 鲍军波 InstituteofMicroelectronics TsinghuaUniversityBeijing100084 InstituteofMicroelectronics TsinghuaUniversityBeijing100084 DepartmentofSolidElectronics HuazhongUniversityofScienceandT
Undoped and Mn-doped Ba1-xSrxTiO3 (BST) thin films have been fabricated on Pt/Ti/SiO2/Si by an aqueous acetate sol-gel method. The BST stock solution can be easily mixed with an aqueous metal ion solution and is stabl... 详细信息
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Optical Absorption of Sol-Gel Derived ZnO/TiO_(2) Nanocomposite Films
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Chinese Physics Letters 2001年 第11期18卷 1520-1522页
作者: YUAN Zhi-Hao TANG Cheng-Chun FAN Shou-Shan Department of Chemistry Tsinghua UniversityBeijing 100084 Department of Physics Tsinghua UniversityBeijing 100084
ZnO/TiO_(2) nanocomposite films on quartz substrates were prepared by the sol-gel method, and the corresponding optical absorption properties were investigated. In the ultraviolet region, it was found that the positio... 详细信息
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A Remote Quantum Adding Machine
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Chinese Physics Letters 2002年 第11期19卷 1579-1580页
作者: 张圣醒 龙桂鲁 DepartmentofPhysics TsinghuaUniversityBeijing100084 KeyLaboratoryforQuantumInformationandMeasurements MinistryofEducationBeijing100084 CenterforAtomicandMolecularNanosciences T
We design a scheme to perform additions of N remote addends. This adder is useful for some quantum information processing purposes, such as statistics and multi-party quantum game. The quantum remote adder is construc... 详细信息
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On a New Class of Self-Referencing, 1/τ Atomic Clocks
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Chinese Physics Letters 2014年 第8期31卷 24-26页
作者: 王力军 DepartmentofPhysics TsinghuaUniversityBeijing100084 JointInstituteforMeasurementScience(JMI) TsinghuaUniversityBeijing100084 DepartmentofPrecisionInstrument TsinghuaUniversityBeijing100084 NationalInstituteofMetrologyofChina Beijing100013
The merit of a modern atomic clock is measured by its phase stability. A clock's absolute time-keeping uncertainty typically worsens over its operating time τ as Δτα√τ, with an Allan deviation of sy σy(τ)=...
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Fabrication of Pentacene Thin-Film Transistors with Patterned Polyimide Photoresist as Gate Dielectrics and Research of Their Degradation
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Chinese Physics Letters 2004年 第11期21卷 2278-2280页
作者: 梁琰 董桂芳 胡远川 胡雁 王立铎 邱勇 KeyLabofOrganicOptoelectronics&MolecularEngineeringofMinistryofEducation TsinghuaUniversityBeijing100084 DepartmentofChemistry TsinghuaUniversityBeijing100084
Pentacene organic thin-film transistors using commercial photoresist as gate dielectrics were fabricated. The photoresist was spin-coated and directly patterned by photolithography. As a result, the fabrication proces... 详细信息
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Gas phase tricholoethylene removal at low concentration using activated carbon fiber
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Journal of Environmental Sciences 2004年 第1期16卷 53-55页
作者: LIUJun HUANGZheng-hong WANGZhan-sheng KANGFei-yu DepartmentofEnvironmentScienceandEngineering TsinghuaUniversityBeijing100084China DepartmentofMaterialScienceandEngineering TsinghuaUniversityBeijing100084China
The breakthrough adsorption behaviors of gas phase trichloroethylene in a packed bed of activated carbon fibers(ACF) were investigated. The specific surface area of the ACF was 600 m 2/g, 1400 m 2/g and 1600 m 2/g,... 详细信息
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Processes of depositing platinum on carbon nanotubes and their effect on performance of proton exchange membrane fuel cell
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Journal of University of Science and Technology Beijing 2004年 第4期11卷 349-353页
作者: YanhuiLi JunDing JunfengChen ZongqiangMao CailuXu DehaiWu DepartmentofMechanicalEngineering TsinghuaUniversityBeijing100084China InstituteofNuclearEnergyTechnology TsinghuaUniversityBeijing100084China
The ultrafine platinum nanoparticles deposited on the surfaces of carbonnanotubes (Pt/CNTs) were prepared by a chemical precipitation method and used as the catalyst ofproton exchange membrane fuel cell. The depositin... 详细信息
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Electrical Performance of Electron Irradiated SiGe HBT and Si BJT
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Journal of Materials Science & Technology 2004年 第6期20卷 706-708页
作者: WentaoHUANG JilinWANG ZhinongLIU PeiyiCHEN PeihsinTSIEN XiangtiMENG InstituteofMicroelectronics TsinghuaUniversityBeijing100084China InstituteofNuclearEnergyTechnology TsinghuaUniversityBeijing100084China
The change of electrical performances of 1 MeV electron irradiated silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistor (HBT) and Si bipolar junction transistor (BJT) was studied. After electron irradiation, bot... 详细信息
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Effect of lanthanum ion implantation on oxidation behavior of zircaloy
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Journal of University of Science and Technology Beijing 2004年 第3期11卷 260-262页
作者: XiaoyangLiu XindeBai DepartmentofEngineeringPhysics TsinghuaUniversityBeijing100084China DepartmentofMaterialsScienceandEngineering TsinghuaUniversityBeijing100084China
In order to investigate the effect of lanthanum ion implantation on theoxidation behavior of zircaloy at 500℃, Zircaloy specimens were implanted by lanthanum ions with adose range from 5xl0^(16) to 2xl0^(17) ions/cm^... 详细信息
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Design and Efficient Hardware Implementation Schemes for Non-Quasi-Cyclic LDPC Codes
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Tsinghua Science and Technology 2017年 第1期22卷 92-103页
作者: Baihong Lin Yukui Pei Liuguo Yin Jianhua Lu Department of Electronic Engineering Tsinghua UniversityBeijing 100084 China School of Aerospace Tsinghua UniversityBeijing 100084
The design of a high-speed decoder using traditional partly parallel architecture for Non-Quasi-Cyclic(NQC) Low-Density Parity-Check(LDPC) codes is a challenging problem due to its high memory-block cost and low h... 详细信息
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