检索结果-南通市图书馆

世界电子元器件 2012年第1期 48-49页

作者： Cherif Assad 飞思卡尔半导体公司

19世纪末，汽车的出现，带来了交通运输行业的一场革命，出现了一些永垂青史的先驱发明者，例如：卡尔·奔驰发明了汽油发动机，具有创业精神的亨利·福特发明了T型车（这是第一款面向美国中产阶级的汽车）。

关键词：交通运输行业 19世纪末汽油发动机发明者创业精神汽车奔驰福特

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硅高压整流器件的中子辐照效应研究

微电子学 1988年第6期 19-23页

作者：周荷秀路金印吴有臣李锐河北半导体研究所

本文概述了硅高压整流器件在中子辐照下的损伤机理。通过对器件的物理分析,指出器件在中子辐照下失效的主要原因是少子寿命的降低而导致W/2L的增大,从而使体电阻R_n增大。文章给出了提高器件抗中子辐照性能的设计思想及两种有效的手段,... 详细信息

本文概述了硅高压整流器件在中子辐照下的损伤机理。通过对器件的物理分析,指出器件在中子辐照下失效的主要原因是少子寿命的降低而导致W/2L的增大,从而使体电阻R_n增大。文章给出了提高器件抗中子辐照性能的设计思想及两种有效的手段,即提高器件的掺杂浓度和降低器件的高阻区宽度。文中还对比了几个加固与未加固器件的中子辐照结果。

关键词：硅高压整流器件中子辐照失效机理

紧束缚法计算GaAs-GaP超晶格的能带结构及电子的有关性质

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Journal of Semiconductors 1983年第2期 124-132页

作者：刘文明李甲吉林大学半导体系

本文使用紧束缚法研究了GaAs-GaP超晶格的能带结构和电子的有关性质.久期方程的矩阵元中包括了一直到次近邻的原子轨道间的相互作用积分.本文计算了超晶格（GaAs）1-（GaP）;布里渊区中三条主要对称线上的能带;计算了超晶格（GaAs）m-（... 详细信息

本文使用紧束缚法研究了GaAs-GaP超晶格的能带结构和电子的有关性质.久期方程的矩阵元中包括了一直到次近邻的原子轨道间的相互作用积分.本文计算了超晶格（GaAs）1-（GaP）;布里渊区中三条主要对称线上的能带;计算了超晶格（GaAs）m-（GaP）n在Γ点、X点和M点的能带值,这里m+n≤10;讨论了m=n时禁带宽度随周期长度的变化、周期长度不变时组分变化对禁带宽度的影响以及在几个典型的单电子状态中电子处于各个原子上的几率.

关键词：超晶格超点阵 GaAs-GaP 能带结构电子能态紧束缚法 GaP

厚表层Si柔性绝缘衬底上SiC薄膜的外延生长

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Journal of Semiconductors 2004年第12期25卷 1652-1657页

作者：王晓峰王雷赵万顺孙国胜黄风义曾一平中国科学院半导体研究所新材料实验室北京100083

利用 L PCVD方法 ,在厚表层 Si(SOL≈ 0 .5 μm)柔性绝缘衬底 (SOI) (0 0 1)上外延生长出了可与硅衬底上外延晶体质量相比拟的 Si C/ SOI,表明 SOI是一种很有潜力的柔性衬底 .Ram an光谱结果表明 Si C/ SOI外延层比 Si C/Si外延层有更... 详细信息

利用 L PCVD方法 ,在厚表层 Si(SOL≈ 0 .5 μm)柔性绝缘衬底 (SOI) (0 0 1)上外延生长出了可与硅衬底上外延晶体质量相比拟的 Si C/ SOI,表明 SOI是一种很有潜力的柔性衬底 .Ram an光谱结果表明 Si C/ SOI外延层比 Si C/Si外延层有更大的残存应力 ,对此从理论上进行了解释 .利用 X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM)、扫描电镜 (SEM)和喇曼散射光谱 (RAM)技术研究了外延材料的晶体结构。

关键词： SOI SiC 大失配残存应变空洞

基于小波和最小绝对误差的去噪抗扰动辨识方法

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电子学报 2003年第2期31卷 192-195页

作者：余世明冯浩王守觉浙江工业大学智能信息系统研究所中国科学院半导体研究所北京100083

噪声和扰动是影响系统辨识的两个不利因素 ,而实际系统不可避免地受到噪声的污染和瞬时扰动的影响 .本文采用不同的小波函数和不同的阈值处理方法 ,对噪声污染的系统输出进行多次小波分解、去噪和重构 ,从而达到削减噪声的目的 .对于去... 详细信息

噪声和扰动是影响系统辨识的两个不利因素 ,而实际系统不可避免地受到噪声的污染和瞬时扰动的影响 .本文采用不同的小波函数和不同的阈值处理方法 ,对噪声污染的系统输出进行多次小波分解、去噪和重构 ,从而达到削减噪声的目的 .对于去噪后的数据 ,由于包含瞬时扰动 ,利用最小二乘辨识算法仍然不能获得满意的结果 .为此 ,在小波去噪的基础上 ,提出了一种最小绝对误差 (LA)辨识算法 .仿真研究表明 ,本文提出的方法能够同时克服噪声和瞬时扰动的不利影响。

关键词：系统辨识小波噪声扰动最小绝对误差

铝中注N~＋后氮化铝的合成及Cu杂质偏析的研究

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核技术 1994年第7期17卷 411-416页

作者：林成鲁李金华 Hemment.P.L.F 中国科学院上海冶金研究所常州半导体厂萨里大学

＜１００＞Ｓｉ衬底上淀积厚度为７００ｎｍ的铝薄膜（铝中含０．８５ｗｔ．％的Ｃｕ）．以剂量为４．３×１０１７－１．５×１０^（１８）ｃｍ^（－２）４００ｋｅｖＮ＿２~＋或３５０ｋｅＶＮ~＋的注入到铝薄膜中或铝和硅的界面。用... 详细信息

＜１００＞Ｓｉ衬底上淀积厚度为７００ｎｍ的铝薄膜（铝中含０．８５ｗｔ．％的Ｃｕ）．以剂量为４．３×１０１７－１．５×１０^（１８）ｃｍ^（－２）４００ｋｅｖＮ＿２~＋或３５０ｋｅＶＮ~＋的注入到铝薄膜中或铝和硅的界面。用扩展电阻测试．背散射和沟道技术以及红外光谱分析研究氮化铝的形成和Ｃｕ杂质在铝薄膜中的深度分布变化．扩展电阻与背出射分析证实了符合ＡｌＮ化学计量比的绝缘层的形成．红外分析说明此绝缘层具有ＡｌＮ的特征吸收峰（６５０ｃｍ－１）．Ｎ＋注入引起的点缺陷导致了Ｃｕ杂质向氮化铝中的偏析．

关键词：氮化铝离子注入杂质偏析

非晶纳米Ni_(500)团簇等温晶化过程中的结构与动力学研究

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物理学报 2013年第18期62卷 326-331页

作者：徐志欣李家云孙民华姚秀伟半导体纳米复合材料省部共建重点实验室哈尔滨师范大学物理与电子工程学院哈尔滨150025

采用分子动力学方法和镶嵌原子势,模拟了500个Ni原子(简称Ni500)组成的纳米团簇的等温晶化过程.通过对纳米Ni团簇的动力学行为和微观结构演变的研究,发现Ni500在高温时是一步晶化的,在低温时则呈现出多步晶化的特征.在多步晶化的过程中... 详细信息

采用分子动力学方法和镶嵌原子势,模拟了500个Ni原子(简称Ni500)组成的纳米团簇的等温晶化过程.通过对纳米Ni团簇的动力学行为和微观结构演变的研究,发现Ni500在高温时是一步晶化的,在低温时则呈现出多步晶化的特征.在多步晶化的过程中,团簇结构会陷入多个亚稳态结构,经过原子重排,进入能量更低的亚稳态,最后完成晶化.在多步晶化过程中,原子的位置重排是通过协同跳跃运动实现的,其协同运动方式不但有常见的线型协同运动,也有多个原子的集体平移运动等其他形式.

关键词：分子动力学模拟纳米Ni团簇协同运动

LED照明的全方位渗透由高能效驱动方案点亮前景

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电源世界 2010年第2期 49-51页

作者： ON semiconductor 安森美半导体

本文分析了LED照明的现状和发展趋势,介绍了安森美半导体LED通用照明驱动模块和驱动方案。

关键词：照明 LED 驱动

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视网膜假体的研究进展

高技术通讯 2009年第10期19卷 1092-1100页

作者：王淑静裴为华张旭郭凯朱琳归强王宇陈弘达中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

根据视觉假体(visual prosthesis)在视觉通路上刺激部位的不同,概括地介绍了以植入微电子芯片为主要手段的视皮层假体、视神经假体和视网膜假体的视觉修复方法,分析比较了这三种视觉假体的利弊和技术难点。重点论述了研究的热点——视... 详细信息

根据视觉假体(visual prosthesis)在视觉通路上刺激部位的不同,概括地介绍了以植入微电子芯片为主要手段的视皮层假体、视神经假体和视网膜假体的视觉修复方法,分析比较了这三种视觉假体的利弊和技术难点。重点论述了研究的热点——视网膜假体研究,介绍了从事该热点研究的两大子方向——视网膜下假体(subretinal prosthesis)和视网膜表层假体(epiretinal prosthesis)研究的主要团队的系统研制和植入实验的进展。最后讨论了视觉假体研究所面临的一些如能量供给、神经网络的模拟、器件集成、电极修饰及生物相容性封装等共性问题,充分肯定了视觉假体研究已取得的成绩并展望了其光明的研究前景。

关键词：视觉假体视网膜微电子植入电刺激

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光存储用玻璃半导体研究的进展

无机材料学报 1975年第1期 63-64页

全息照相所用的记录介质,目前多丰采用银盐照相底片,其缺点是不能立即看到被拍摄的图象,必须要经过显影和定影处理才能观察,而玻璃半导体用作全息照象记录介质,无需显影和定影,能实时观察。同时,现有底片,一张只能拍摄一幅图象,而玻璃... 详细信息

全息照相所用的记录介质,目前多丰采用银盐照相底片,其缺点是不能立即看到被拍摄的图象,必须要经过显影和定影处理才能观察,而玻璃半导体用作全息照象记录介质,无需显影和定影,能实时观察。同时,现有底片,一张只能拍摄一幅图象,而玻璃半导体能将已拍摄的图象擦除掉,然后反复使用多次。这种新型的全息记录介质,对全息照相技术的发展

关键词：全息记录介质擦除全息照相技术图象光存储光存贮