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了解客户成功之所需——飞兆半导体公司全球销售及市场推广执行副总裁林康乐专访

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中国电子商情 2012年第1期 62-63页

作者：林康乐飞兆半导体公司

对飞兆半导体来说,帮助客户实现成功是头等大事。作为全球性半导体解决方案供应商,我们的目标是与客户合作,解决客户所面临的至关重要的业务难题,包括设计的困难挑战、缩短产品上市时间,以及实现产品差异化。

关键词：飞兆半导体公司客户合作执行副总裁市场推广成功产品差异化专访销售

飞兆半导体的过压保护器件具有USB/充电器检测功能有效地简化设计

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电子技术应用 2009年第4期35卷 25-25页

作者：飞兆半导体公司飞兆半导体公司

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）为手机、移动音频、计算机和消费应用设计人员提供了一款具有USB／充电器检测功能并高度集成的过压保护（OVP）器件FAN3989。该器件片内集成了FET并内置自动检测功能，可以侦测USB充电器的插... 详细信息

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）为手机、移动音频、计算机和消费应用设计人员提供了一款具有USB／充电器检测功能并高度集成的过压保护（OVP）器件FAN3989。该器件片内集成了FET并内置自动检测功能，可以侦测USB充电器的插拔，所有功能均集成于单片封装内。相比分立式实现方案，这类集成式自动检测功能可以更简化设计，

关键词：过压保护器件自动检测功能飞兆半导体公司设计人员充电器 USB 高度集成计算机

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飞兆半导体推出最新智能型栅极驱动光耦合器

中国集成电路 2012年第11期21卷 87-87页

太阳能逆变器、马达驱动器以及不间断电源（UPS）等大功率工业应用均需要一种具备高性能和核心保护功能的栅极驱动光电耦合器。为了帮助设计人员应对这一挑战，飞兆半导体公司（FairchildSemiconductor）开发了一款先进的具有2．5A输出... 详细信息

太阳能逆变器、马达驱动器以及不间断电源（UPS）等大功率工业应用均需要一种具备高性能和核心保护功能的栅极驱动光电耦合器。为了帮助设计人员应对这一挑战，飞兆半导体公司（FairchildSemiconductor）开发了一款先进的具有2．5A输出电流能力的智能IGBT光电耦合驱动器产晶，即FOD8316智能式栅极驱动光电耦合器。

关键词：飞兆半导体公司栅极驱动智能型光耦合器光电耦合器马达驱动器不间断电源保护功能

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飞兆半导体2011年展望

世界电子元器件 2011年第1期 41-41页

作者：陈坤和飞兆半导体中国及东南亚地区销售和市场推广部

在历史上，技术创新有助于简化工作并提高生产率，这些将在2011年继续成为关注的焦点。电子产品的繁荣兴旺正在推动开发节能解决方案的需求。此外，易于使用和移动连接陛船陕了采纳改进的终端产品的速度，飞兆半导体在2011年的关键领域... 详细信息

在历史上，技术创新有助于简化工作并提高生产率，这些将在2011年继续成为关注的焦点。电子产品的繁荣兴旺正在推动开发节能解决方案的需求。此外，易于使用和移动连接陛船陕了采纳改进的终端产品的速度，飞兆半导体在2011年的关键领域包括：

关键词：飞兆半导体展望高生产率技术创新电子产品终端产品移动连接

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第三代半导体发展现状及未来展望

科技导报 2024年第8期42卷 29-38页

作者：高爽郑宇亭张志国中电科第三代半导体科技有限公司北京100041

在分析第三代半导体重要战略意义的基础上,讨论了中国在相关领域技术和产业化能力的发展状况,阐述了“大尺寸、降成本”是当前碳化硅及氮化镓技术的发展重心,并探讨了第三代半导体行业企业发展模式以及可能存在的问题及风险。尽管中国... 详细信息

在分析第三代半导体重要战略意义的基础上,讨论了中国在相关领域技术和产业化能力的发展状况,阐述了“大尺寸、降成本”是当前碳化硅及氮化镓技术的发展重心,并探讨了第三代半导体行业企业发展模式以及可能存在的问题及风险。尽管中国已具备良好基础,但仍存在不足,建议在国家政策的指导下,以应用牵引实现发展,加大产线的持续支持力度,系统地丰富产品形态,促进第三代半导体产业高质量发展,把握未来应用新机遇。

关键词：第三代半导体碳化硅氮化镓 5G通讯企业模式

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表面高阶曲线光栅半导体激光器横模特性分析

中国激光 2024年第8期51卷 38-45页

作者：梁宏进邹永刚范杰付曦瑶史可田锟长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022

半导体激光器在光通信、生物医疗、激光雷达等领域中得到广泛应用,其单模稳定输出特性一直是国内外的研究热点。制备了一种基于表面高阶曲线光栅的宽脊波导半导体激光器,刻蚀曲线型高阶光栅后高阶横模损耗远大于基横模损耗,同时设置宽... 详细信息

半导体激光器在光通信、生物医疗、激光雷达等领域中得到广泛应用,其单模稳定输出特性一直是国内外的研究热点。制备了一种基于表面高阶曲线光栅的宽脊波导半导体激光器,刻蚀曲线型高阶光栅后高阶横模损耗远大于基横模损耗,同时设置宽脊电流限制注入结构,使得高阶横模激射阈值高于基横模阈值,从而改善器件的横模特性并压窄光谱线宽。利用温控模块将器件的工作温度控制为18℃,对腔长为2 mm、条宽为500μm的器件进行测试,在0.5 A电流下测得慢轴发散角为5.3°,快轴发散角为29.2°,在1 A驱动电流下测得3 dB光谱线宽为0.173 nm,边模抑制比为22.6 dB。实验结果表明,表面高阶曲线光栅对宽脊波导半导体激光器中的高阶横模起到了抑制作用且能够压窄光谱线宽,有助于实现半导体激光器的单模稳定输出,同时器件采用紫外光刻工艺,大幅降低了器件的制备难度。

关键词：激光器半导体激光器高阶布拉格光栅曲线光栅高阶横模远场发散角

功率金属-氧化物半导体场效应晶体管静电放电栅源电容解析模型的建立

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物理学报 2024年第11期73卷 346-359页

作者：苏乐王彩琳谭在超罗寅杨武华张超西安理工大学电子工程系西安710048 苏州锴威特半导体股份有限公司张家港215600

在实际静电放电测试时,发现各种功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的静电放电测试结果均呈现出正反向耐压不对称现象,而人体与器件接触时的静电放电过程是不区分正反向的.正反向耐压差异较大对于功率MOSFET或作为静电放电保护... 详细信息

在实际静电放电测试时,发现各种功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的静电放电测试结果均呈现出正反向耐压不对称现象,而人体与器件接触时的静电放电过程是不区分正反向的.正反向耐压差异较大对于功率MOSFET或作为静电放电保护器件来说都是无法接受的,其造成器件失效的问题格外凸显.本文通过建立SGT-MOSFET,VUMOSFET和VDMOS在静电放电正反向电压下的栅源电容解析模型,对比分析了三种功率MOSFET器件静电放电正反向耐压不对称及其比值不同的原因,为器件的静电放电测试及可靠性分析提供了理论依据.

关键词：功率金属-氧化物半导体场效应晶体管静电放电栅源电容解析模型

SDL PUF:高可靠自适应偏差锁定PUF电路

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电子与信息学报 2024年第5期46卷 2274-2280页

作者：张源罗静茹张吉良湖南大学半导体学院(集成电路学院) 长沙410000

物理不可克隆函数(Physical Unclonable Function, PUF)作为一种新的硬件安全原语,通过提取工艺偏差产生唯一的响应序列为计算系统提供可信根。然而现有基于现场可编辑门阵列(Field Programmable Gate Array, FPGA)的PUF难以在较宽的温... 详细信息

物理不可克隆函数(Physical Unclonable Function, PUF)作为一种新的硬件安全原语,通过提取工艺偏差产生唯一的响应序列为计算系统提供可信根。然而现有基于现场可编辑门阵列(Field Programmable Gate Array, FPGA)的PUF难以在较宽的温度和电压范围内实现高可靠性。该文提出一种基于自定时环(Self-Timed Ring,STR)的自适应偏差锁定PUF(Self-adaption Deviation Locking PUF, SDL PUF),首先利用STR延迟引起的振荡频率差产生PUF响应;然后通过在初始化阶段自适应配置,有效扩大STR环内的事件到达时间偏差,从而显著提高PUF的可靠性;最后进一步提出一种对比混淆策略,通过提取工艺偏差自动生成随机比特配置并混淆比较器,以抵抗侧信道攻击。在Xilinx Virtex-6 FPGA上实验结果表明,SDL PUF在0~80°C的温度范围和0.85~1.15V的电压范围内误码率为0,唯一性和均匀性分别为49.29%和49.84%。

关键词：物理不可克隆函数自定时环 FPGA 可靠性

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如何测量功率回路中的杂散电感

变频器世界 2024年第3期27卷 29-31页

作者：方洁飞凌工业半导体

影响IGBT和SiCMOSFET在系统中的动态特性有两个非常重要的参数:寄生电感和寄生电容。而本文主要介绍功率回路中寄生电感的定义和测试方法,包括直流母线电容的寄生电感,直流母排寄生电感以及模块本身的寄生电感。

关键词：直流母线电容寄生电感杂散电感寄生电容功率回路测试方法动态特性直流母排