检索结果-南通市图书馆

电子产品世界 2013年第2期20卷 15-20页

作者： Jae-Eul Yeon Won-Hwa Lee Kyu-Min Cho Hee-Jun Kim 韩国富川市飞兆半导体韩国分公司hvpcia部门消费电子电源系统团队韩国富川市柳韩大学信息与通信工程系韩国安山市汉阳大学电子与计算机工程学院

先进的单元结构和寿命控制技术已同时增强了功率MOSFET的导通电阻和反向恢复性能。本文介绍一种新开发的平面MOSFET—UniFETTM Ⅱ MOSFET—具有显著提高的体二极管特性,另外还介绍了其性能和效率。根据寿命控制的集中程度,UniFET Ⅱ MOS... 详细信息

先进的单元结构和寿命控制技术已同时增强了功率MOSFET的导通电阻和反向恢复性能。本文介绍一种新开发的平面MOSFET—UniFETTM Ⅱ MOSFET—具有显著提高的体二极管特性,另外还介绍了其性能和效率。根据寿命控制的集中程度,UniFET Ⅱ MOSFET可分为普通FET、FRFET和Ultra FRFET MOSFET,其反向恢复时间分别为传统MOSFET的70%、25%和15%左右。为了验证全新MOSFET的性能和效率,用带混频逆变器的150W HID灯镇流器进行了实验。结果证明,两个UniFET Ⅱ MOSFET可取代两个传统MOSFE和四个附加FRD,并且无MOSFET故障。

关键词： UniFET Ⅱ FRFET Ultra FRFET MOSFET故障混频逆变器和HID镇流器

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