检索结果-南通市图书馆

面向商业航天卫星成本效益的三模冗余软错误防护技术:近似计算的实践

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

电子与信息学报 2024年第5期46卷 1604-1612页

作者：李炎胡岳鸣曾晓洋复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室上海201203

三模冗余(TMR)作为如今集成电路可靠性领域中最为常用且有效的软错误加固技术,在满足高容错要求之时,不可避免地牺牲了庞大的硬件损耗。为实现面积、功耗等硬件性能和容错电路加固能力的折中考虑,适应低成本高可靠性加固的时代需求,针... 详细信息

三模冗余(TMR)作为如今集成电路可靠性领域中最为常用且有效的软错误加固技术,在满足高容错要求之时,不可避免地牺牲了庞大的硬件损耗。为实现面积、功耗等硬件性能和容错电路加固能力的折中考虑,适应低成本高可靠性加固的时代需求,针对基于近似计算的三模冗余加固技术(ATMR)进行研究,该文提出一种基于近似门单元(ApxLib)的动态调整多目标优化框架(ApxLib+DAMOO)。首先,其基本优化框架采用非支配排序遗传算法(NSGA-Ⅱ)实现,通过极性分析与预创建的近似库对电路实现快速近似。随后,该框架提出动态概率调整和极性扩张两种创新机制,根据可测性分析对遗传算法中门单元的突变概率进行动态更新,对双向门单元进行定向识别和重构,以实现寻优效率和寻优效果的双重优化。实验结果表明,该文提出的优化框架与传统NSGA-Ⅱ相比,在相同硬件损耗下可实现最大10%~20%的额外软错误率(SER)降低,且其执行时间平均降低18.7%。

关键词：容软错误加固三模冗余近似计算多目标优化

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

GaN驱动芯片的增强型抗干扰欠压保护电路

微电子学 2024年第3期54卷 432-436页

作者：杨潇雨杨曼琳吴昊王妍汪紫薇蒲阳集成电路与微系统全国重点实验室重庆400060

针对汽车电子高性能GaN驱动芯片需求,为解决GaN器件栅极存在低压误开、高共模瞬态、抗干扰能力差等问题,提出了一种低温度系数、低功耗、高回差电压、具有双重比较的欠压保护电路。该电路采用双重比较参考电路,设置合理的比较电压,增大... 详细信息

针对汽车电子高性能GaN驱动芯片需求,为解决GaN器件栅极存在低压误开、高共模瞬态、抗干扰能力差等问题,提出了一种低温度系数、低功耗、高回差电压、具有双重比较的欠压保护电路。该电路采用双重比较参考电路,设置合理的比较电压,增大电路回差电压,极大提高了电路的抗干扰能力。电源上电至预设电压后,系统解除保护锁定,GaN器件通路开启,电源驱动后级GaN器件栅极,实现GaN器件欠压保护功能,提高稳定性。采用0.18μm BCD工艺进行设计。仿真结果表明,电源上电至8.5 V时,电路解除欠压保护功能,带隙基准电路输出1.5×10^(-5)/℃高精度5 V电压至GaN驱动电路栅端。电源下电至8 V时,电路启动欠压保护功能,芯片系统关断,实现GaN器件保护功能。回差电压为0.5 V,静态电流为60μA。该欠压保护电路满足低温度系数、低功耗、高回差电压等要求。

关键词： GaN驱动电路欠压保护电路低压误开双重比较

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

沉头孔螺旋铣削加工有限元仿真分析

航空学报 2024年第1期45卷 275-286页

作者：盛方怡杨国林孟凡通董志刚康仁科高性能精密制造全国重点实验室大连116024

航空航天构件装配过程中需要加工大量沉头孔,难加工材料的大量使用给装配制孔技术带来了新挑战。螺旋铣孔是一种装配制孔新方法,配合特殊刀具可实现沉头孔加工,并且能够利用螺旋铣孔切削原理上的特点来提高沉头孔加工质量。首先,进行了... 详细信息

航空航天构件装配过程中需要加工大量沉头孔,难加工材料的大量使用给装配制孔技术带来了新挑战。螺旋铣孔是一种装配制孔新方法,配合特殊刀具可实现沉头孔加工,并且能够利用螺旋铣孔切削原理上的特点来提高沉头孔加工质量。首先,进行了沉头孔螺旋铣削加工的运动学分析,然后利用有限元仿真了钛合金材料沉头孔螺旋铣削过程。接下来,通过沉头孔螺旋铣削试验中的切削力和切屑形态对有限元仿真的准确性进行了验证。最后,使用建立的仿真模型分析了锪窝深度和工艺参数对钛合金沉头孔螺旋铣削过程中刀具所受切削力的影响规律。

关键词：螺旋铣孔锪窝沉头孔切削力有限元仿真

面向数字信号处理领域的近似计算技术应用与研究进展

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电子与信息学报 2024年第5期46卷 1843-1852页

作者：王旭陈珂闫成刚王成华刘伟强南京航空航天大学集成电路学院南京211106 空天集成电路与微系统工信部重点实验室南京211106

在信号处理领域,近似计算技术备受关注。复杂算法和海量数据限制了应用的处理速度且增加了系统硬件消耗。由于信号具有冗余性,精确结果并非必需,满足用户可接受的结果已足够。因此,采用近似计算技术可以有效减少计算量,提高计算效率和... 详细信息

在信号处理领域,近似计算技术备受关注。复杂算法和海量数据限制了应用的处理速度且增加了系统硬件消耗。由于信号具有冗余性,精确结果并非必需,满足用户可接受的结果已足够。因此,采用近似计算技术可以有效减少计算量,提高计算效率和系统性能。该文以近似计算技术的不同设计层次为切入,首先介绍了信号处理应用的特点,综述了近年来近似计算技术在算法和电路层面的研究进展,并调研了通信、视频图像以及雷达等信号处理方向的近似计算技术方案。最后,对该领域的发展方向进行了讨论和展望,为推动近似计算技术在信号处理领域的应用提供了思路。

关键词：近似计算新兴计算范式数字信号处理研究进展

0.13 μm SiGe HBT低剂量率损伤增强效应研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

微电子学 2024年

作者：张小磊魏佳男傅婧易孝辉张培健袁军付晓君重庆邮电大学集成电路与微系统全国重点实验室(重庆)

本文开展了0.13 μm SiGe HBT的低剂量率损伤增强效应评估研究，通过60Co源辐照实验对比了高、低剂量率条件下SiGe HBT的总剂量响应。实验结果表明在1Mrad（Si）累积剂量下被测器件未表现出明显的低剂量率损伤增强效应，基极电流损伤... 详细信息

本文开展了0.13 μm SiGe HBT的低剂量率损伤增强效应评估研究，通过60Co源辐照实验对比了高、低剂量率条件下SiGe HBT的总剂量响应。实验结果表明在1Mrad（Si）累积剂量下被测器件未表现出明显的低剂量率损伤增强效应，基极电流损伤增强因子（EF）不超过1.5。结合器件结构分析和TCAD数值仿真，认为ELDRS敏感性的降低应与采用超薄EB Spacer隔离削弱了空间电场对氧化物电荷输运的抑制作用有关。

关键词： SiGe HBT 总剂量效应低剂量率辐射损伤增强效应影响因素

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

磁阵列微波放电中和器的电子引出机制

物理学报 2024年第11期73卷 231-236页

作者：付瑜亮张思远孙安邦马祖福王亚楠西安交通大学电工材料电气绝缘全国重点实验室西安710049

微波放电中和器作为微波离子推力器系统的重要组成部分,在维持航天器电位平衡、中和羽流方面发挥着重要作用,其电子引出性能直接关系到电推力器系统的工作状态.在磁阵列微波放电中和器的磁场结构定型实验中,发现调转磁阵列朝向后引出电... 详细信息

微波放电中和器作为微波离子推力器系统的重要组成部分,在维持航天器电位平衡、中和羽流方面发挥着重要作用,其电子引出性能直接关系到电推力器系统的工作状态.在磁阵列微波放电中和器的磁场结构定型实验中,发现调转磁阵列朝向后引出电流的伏安特性曲线差异极大.由于磁阵列微波放电中和器的放电室直径仅10 mm,介入式探针诊断对等离子体干扰大,本文采用了一体化粒子模拟方法对中和器的工作过程进行仿真,仿真结果与实验现象相符合.通过对比不同磁场结构、工作电压下的等离子体参数分布,发现引出孔附近的电势分布决定着中和器的电子引出能力;并进一步揭示了离子在中和器电子引出过程中发挥的关键作用,阐明了磁场结构对中和器电子引出能力的影响机制.最后,本文总结了微波放电中和器有效引出电子的两个必要条件:1)磁场梯度指向引出孔,引导等离子体迁移;2)引出孔附近有足够的离子抬升电势,降低或打破电势阱.

关键词：电子回旋共振中和器电子引出

金属微粒影响三电极气体火花开关击穿过程的仿真研究

同方期刊数据库博看期刊评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2024年第1期73卷 248-257页

作者：周鑫淼张博雅陈立李兴文西安交通大学电工材料电气绝缘全国重点实验室西安710049

气体火花开关在脉冲功率技术中得到了大量应用,但由于脉冲功率技术大电流高电压的特点,气体火花开关在使用过程中很容易对电极表面造成烧蚀,烧蚀产生的金属微粒会显著影响开关的稳定性和可靠性.本文首先针对大气压氮气环境下的三电极气... 详细信息

气体火花开关在脉冲功率技术中得到了大量应用,但由于脉冲功率技术大电流高电压的特点,气体火花开关在使用过程中很容易对电极表面造成烧蚀,烧蚀产生的金属微粒会显著影响开关的稳定性和可靠性.本文首先针对大气压氮气环境下的三电极气体火花开关放电过程进行建模,对触发极边缘高场强区域的电离系数进行修正,使用场致电子发射电流模拟初始电子产生的过程,深入探究开关导通的物理机理,详细叙述开关击穿过程各阶段的放电形态.接着研究了金属微粒对于击穿过程的影响,研究表明金属微粒的存在增强了触发极附近的电场,加速了初始电子云的产生,同时金属微粒与触发极之间会率先击穿,并成为后续流注发展的源头.除此之外,金属微粒对于流注的传播具有阻碍作用,使放电通道产生分支.最后本文讨论了不同形状以及尺寸的金属微粒对于放电过程的影响,这些都为进一步研究三电极气体火花开关放电过程以及金属微粒诱发开关击穿的物理机理提供了理论支撑.

关键词：流注放电气体火花开关金属微粒场致发射

维普期刊数据库博看期刊

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

单片集成式高响应光电探测器件设计

半导体光电 2024年

作者：李明傅婧蒋君贤刘戈扬倪飘重庆光电技术研究所集成电路与微系统全国重点实验室

针对光电探测单元与标准工艺兼容、单片集成与工艺技术融合难度大等问题,文章基于互补双极标准工艺设计了单片集成式高响应光电探测器件,采用光电探测器和信号处理电路单片集成方案,开展高响应光电探测单元和低延迟高速率信号处理电路... 详细信息

针对光电探测单元与标准工艺兼容、单片集成与工艺技术融合难度大等问题,文章基于互补双极标准工艺设计了单片集成式高响应光电探测器件,采用光电探测器和信号处理电路单片集成方案,开展高响应光电探测单元和低延迟高速率信号处理电路的设计与仿真,实现了器件的单片集成、工艺技术融合和高响应光电探测。测试结果表明,光电响应特性和信号处理功能正常,实现了高响应(峰值响应达到0.462A/W)、快数据输出速率(最大达12Mbd)、低传输延迟(小于41.8ns)、低输出逻辑电平(0.15V)、低输出漏电(小于1.5μA)等光电探测要求。所设计的器件整体技术性能优异,可满足小型化、高集成、低成本的光电探测系统应用要求。

关键词：单片集成高响应光电探测低延迟低漏电输出

基于45 nm CMOS SOI工艺的毫米波双频段低相噪压控振荡器设计

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

电子学报 2024年第7期52卷 2161-2169页

作者：陈喆王品清周培根陈继新洪伟东南大学毫米波全国重点实验室

本文基于45 nm互补金属氧化物半导体绝缘体上硅工艺（Complementary Metal Oxide Semiconductor Silicon On Insulator,CMOS SOI）设计了一款支持5G毫米波24.25～27.5 GHz和37～43.5 GHz双频段的低相位噪声压控振荡器（Voltage Controlled Oscillator,VCO）.基于CMOS SOI工艺良好的晶体管开关特性，结合开关电容阵列及开关电感方案，提高宽带调谐电容、电感Q值，扩展VCO工作频段，降低相位噪声.同时，输出匹配网络也采用开关电容切换方式，实现了5G毫米波双频段良好阻抗匹配及稳定功率输出.流片测试结果表明该VCO可以完整覆盖5G毫米波双频段24.25～27.5 GHz和37～43.5 GHz，低频段输出功率-4.8～0 dBm，高频段输出功率-6.4～-2.3 dBm.在24.482 GHz载频，1 MHz频偏处的相位噪声为-105.1 dBc/Hz；在43.308 GHz载频，1 MHz频偏处的相位噪声为-95.3 dBc/Hz. VCO核心直流功耗15.3～18.5 mW，电路核心面积为0.198 mm2.低频段（高频段）的FoM(Figure of Merit)及FoMT优值分别达到-181.3 dBc/Hz(-175.4 dBc/Hz)、-194.3 dBc/Hz(-188.3 dBc/Hz).

关键词：互补金属氧化物半导体绝缘体上硅工艺压控振荡器 5G毫米波双频段