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检索条件"机构=长沙韶光微电子总公司"
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YS-1型NOx高效净化装置
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环境保护 1994年 第10期22卷 37-38页
作者： 余德金 长沙韶光微电子总公司
YS-1型NO_x高效净化装置对灯丝溶丝与其他腐蚀工艺中瞬间产生的高浓度NO_x废酸气,能在工艺过程中有效进行分解、净化,对于少量未被分解吸收的NO_x和其他配酸、加热等工艺中产生的其他废酸气则通过净化塔与专用与高效吸收剂进行吸收与分... 详细信息
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利用F/V转换器测量电网频率
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电测与仪表 1992年 第9期29卷 31-32,45页
作者： 张裕烂 长沙韶光微电子总公司
介绍一种由LM331频率/电压转换器组成的电网频率测量电路,该电路原理简单、成本低廉、精度较高,其输出是模拟量,作为电力远动装置的遥测信息尤为合适。文章介绍了LM331的工作原理和测量电路的设计。
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SG765A型车速报警电路的设计与应用
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半导体技术 1997年 第3期13卷 55-58页
作者： 谭夏生 谭四金 长沙韶光微电子总公司
介绍了ＳＧ７６５Ａ的版图设计以及该电路的主要特点和性能，并给出了其典型应用。
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运算放大器和电压比较器测试技术的实践应用
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半导体技术 2006年 第4期31卷 280-283页
作者： 王广武 长沙韶光微电子总公司/长沙韶光半导体有限公司 长沙410129
针对半导体集成电路运算放大器失效模式指出了其测试方法,通过分解半导体集成电路运算(电压)放大器、电压比较器测试电原理图,说明了该类器件的一些主要性能参数测试原理,介绍了在生产实践中测试技术应用方法和注意事项,提出了生产单位... 详细信息
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多晶侧壁LDD CMOS工艺技术
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半导体技术 1989年 第6期5卷 29-32页
作者： 彭忠献 国营韶光微电子总公司
LDD结构的形成技术基本上有三种类型:双注入、侧壁掩膜注入及隐埋注入.本文采用多晶硅作侧壁掩膜注入方法形成LDD结构,多晶硅采用SF_σ+Ar进行反应离子刻蚀而成.最后成功地试制了栅宽为2μm的CMOS环振和栅宽为2.5μm的CMOS300门阵列,得... 详细信息
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应用SDB技术制造压力传感器
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传感器技术 1994年 第6期13卷 38-40页
作者： 刘振东 韶光微电子总公司
提出了一种由SDB (Silicon-to-silicon Direct Bonding)技术制造压力传感器的方法。叙述了这种方法的优点。例如,完全的IC工艺兼容性,高晶位的性能,固有的低温度系数,以及制造上的现实性。
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一种前后台结合的Pipelined ADC校准技术
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半导体技术 2025年 第1期50卷 46-54页
作者： 薛颜 徐文荣 于宗光 李琨 李加燊 中国电子科技集团公司第五十八研究所 江苏无锡214000 合肥工业大学微电子学院 合肥230009
针对Pipelined模数转换器(ADC)中采样电容失配和运放增益误差带来的非线性问题,提出了一种前后台结合的Pipelined ADC校准技术。前台校准技术通过对ADC量化结果的余量分析,补偿相应流水级的量化结果,后台校准技术基于伪随机(PN)注入的方... 详细信息
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深U型槽的反应离子刻蚀技术
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微电子学与计算机 1990年 第2期7卷 1-3页
作者： 彭忠献 王方 李荫波 黄敝 韶光微电子总公司 骊山微电子学研究所
在VLSI 工艺中,U 型槽隔离方法很重要.本文报道了采用CF_4、SF_6、Ar、Cl_2、O_2、BCl_3、CHF_3等气体及其混合物进行的RIE(反应离子刻蚀)实验,发现Cl_2+Ar 最适用于深U 型槽的刻蚀,并成功地刻出了2μm 宽、6μm 深的U 型槽.
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便携式电子装置电池的充电管理
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电源技术应用 2003年 第4期6卷 52-56页
作者： 吴占先 韶光微电子总公司 湖南长沙410126
结合应用实例,简要介绍了几种充电电池的不同特性,及BQ2000充电管理芯片的应用以及使用中的注意事项。
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用SG270/LM4884和AT89C51设计的音频信号均幅控制放大器
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电子元器件应用 2007年 第6期9卷 1-3页
作者： 王广武 长沙韶光微电子总公司 湖南长沙410129
介绍了用SG270可控增益音频放大器、AT89C51单片机和LM4884B可抑制射频干扰音频放大器进行自反馈即时调控音频输入信号放大和智能协调控制均幅信号输出的电路组成,提出了用于音源不稳定或嘈杂背景下话筒(麦克风)音频信号智能放大器的设... 详细信息
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