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氧气流量对等离子体增强化学气相沉积硅氧烷涂层的防原子氧性能的影响

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硅酸盐学报 2025年第01期 1-9页

作者：王虎王兰喜周晖李学磊杨淼李坤倪壮李中华王志民左华平何延春兰州空间技术物理研究所真空技术与物理重点实验室

低轨环境下的原子氧是造成聚酰亚胺薄膜被剥蚀失效的关键因素，硅氧烷涂层是对聚酰亚胺薄膜进行空间原子氧防护的重要手段。利用等离子体增强化学气相沉积的方法在聚酰亚胺薄膜基材上在不同氧气流量下制备了硅氧烷涂层，研究了氧气流量... 详细信息

低轨环境下的原子氧是造成聚酰亚胺薄膜被剥蚀失效的关键因素，硅氧烷涂层是对聚酰亚胺薄膜进行空间原子氧防护的重要手段。利用等离子体增强化学气相沉积的方法在聚酰亚胺薄膜基材上在不同氧气流量下制备了硅氧烷涂层，研究了氧气流量对涂层的沉积速率、断面形貌和成分的影响，对涂层样品开展了原子氧作用试验并测定了试验后的质量损失及表面形貌。研究结果表明，随着氧气流量的增加，涂层中的有机基团逐渐减少，同时SiOx结构逐渐增多。经原子氧暴露试验发现，涂层中的有机基团易与原子氧发生反应形成气态产物，造成较高的质量损失，表现出涂层的质量损失随着氧气流量的增加呈现出指数衰减趋势。然而，过高的氧气流量下制备的涂层可能会具有较高的结构应力，使其在原子氧作用时产生裂纹，表现出质量损失的急剧升高。

关键词：氧气流量等离子体增强化学气相沉积硅氧烷涂层防原子氧

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极端条件下含能材料的模拟研究思考

高压物理学报 2025年第1期39卷 17-43页

作者：姬广富中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理全国重点实验室四川绵阳621999

含能材料在军事、民用和航天等领域具有广泛应用,极端条件下其物理化学性质会发生显著变化。通过模拟研究预测和优化含能材料性能具有重要意义,包括性能预测、优化设计、安全评估、成本效率控制等。为此,综述了极端条件下含能材料的研... 详细信息

含能材料在军事、民用和航天等领域具有广泛应用,极端条件下其物理化学性质会发生显著变化。通过模拟研究预测和优化含能材料性能具有重要意义,包括性能预测、优化设计、安全评估、成本效率控制等。为此,综述了极端条件下含能材料的研究背景、基本性质、模拟研究方法及进展、关键问题以及相关实验研究进展。其中,详细介绍了量子力学、分子动力学、蒙特卡罗和有限元等模拟方法及其研究进展,阐述了高压、高温、激光作用和界面效应等极端条件下模拟研究的关键问题,并列举了含能材料在撞击感度、化学释能规律、3D打印、绿色电合成、爆轰机理和超高含能材料合成等方面的实验研究进展。通过遴选代表性研究,展示了模拟研究在实际问题中的应用和解决方案。同时,介绍了一些最新研究成果,以反映该领域的最新进展和未来趋势。此外,详细讨论了跨学科研究的实现方式以及含能材料在极端条件下的安全性问题,包括可能的风险和预防措施。

关键词：含能材料极端条件模拟研究高压高温激光作用

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氢致解理断裂机理

中国科学（A辑） 1989年第10期20卷 1065-1073页

作者：王燕斌褚武扬肖纪美北京科技大学金属物理教研室

本文通过实验和分析表明,Fe—Si单晶中稳定的解理裂纹核,由n个[001]型Cottrell位错构成,n随局部应力σ升高而下降。滑移面上塞积位错数m=10.7×(n-1/4)。如果不含氢,室温时n_0和m_0。很大,塞积应力m_0τ_0足可使其它滑移系开动,故不会... 详细信息

本文通过实验和分析表明,Fe—Si单晶中稳定的解理裂纹核,由n个[001]型Cottrell位错构成,n随局部应力σ升高而下降。滑移面上塞积位错数m=10.7×(n-1/4)。如果不含氢,室温时n_0和m_0。很大,塞积应力m_0τ_0足可使其它滑移系开动,故不会形成稳定的解理裂纹核,试样韧断。如有氢,它一方面能促进位错的增殖和反应;另一方面,带氢位错反应生成[001]位错时,氢复合成H_2,它产生的内压p和σ叠加,从而使n~*

关键词：氢致解理断裂裂纹塑性变形

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可伐合金与铜复合材料界面结构和强度的研究

东北工学院学报 1989年第5期10卷 509-513页

作者：刘国禄陈永贤孙福成东北工学院金属物理教研室

报道了可伐合金与无氧铜的复合材料界面结合强度的研究结果:界面两侧的结合是固溶体间的金属结合,界面的断裂强度不低于无氧铜的断裂强度。并用Seah的准化学方法计算了复合界面断裂强度,结果表明,界面断裂强度为 262 MPa,略高于无氧铜... 详细信息

报道了可伐合金与无氧铜的复合材料界面结合强度的研究结果:界面两侧的结合是固溶体间的金属结合,界面的断裂强度不低于无氧铜的断裂强度。并用Seah的准化学方法计算了复合界面断裂强度,结果表明,界面断裂强度为 262 MPa,略高于无氧铜的断裂强度,与试验结果一致。

关键词：可伐合金铜复合材料界面结构

L_(c9)合金晶界的微观结构影响应力腐蚀开裂的机理

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东北工学院学报 1989年第1期10卷 8-12页

作者：曾梅光刘新东北工学院金属物理教研室

研究了L_(c9)合金晶界的微观结构参数与应力腐蚀开裂的关系,以及晶界成分偏析。结果表明:随着时效程度的增加,晶界上 Mg向 MgZn_2 转移,粒子长大,粒子间距增加,晶界上固溶 Mg减小,晶界捕获H的能力减弱,应力腐蚀敏感性下降。

关键词：晶界偏析微观结构参数应力腐蚀

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固体阿秒探测技术

中国科学:物理学力学天文学 2025年第1期 71-88页

作者：刘雅欣崔虎彬彭赛男李亮兰鹏飞陶镇生复旦大学物理学系表面物理国家重点实验室华中科技大学武汉光电国家研究中心物理学院

随着超快飞秒激光技术的不断进步,泵浦-探测技术已成为研究凝聚态材料中电子态动态变化的重要手段.然而,当探索尺度缩小至原子级别,对探测技术的时间分辨率提出了更高要求. 2023年诺贝尔物理学奖的颁发,表彰了在产生阿秒光脉冲以研究电... 详细信息

随着超快飞秒激光技术的不断进步,泵浦-探测技术已成为研究凝聚态材料中电子态动态变化的重要手段.然而,当探索尺度缩小至原子级别,对探测技术的时间分辨率提出了更高要求. 2023年诺贝尔物理学奖的颁发,表彰了在产生阿秒光脉冲以研究电子动力学方面的杰出贡献,标志着阿秒科学的重大突破.固体阿秒探测技术的出现,为实时观测和记录固体中电子的超快运动提供了前所未有的精度,揭示了这些过程背后的物理机制.本文重点介绍了阿秒光电子能谱、固体高次谐波和阿秒瞬态吸收谱这三种主要实验技术,阐述了它们的基本原理、相关应用,并展望了未来的发展趋势和方向.这些研究不仅对于全面揭示光与物质相互作用的深层次信息至关重要,也为开发新一代达到光频的超快光电子器件奠定了坚实基础.

关键词：阿秒脉冲固体高次谐波超快过程

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高能同步辐射光源建设进展

科学通报 2025年第1期 60-69页

作者：潘卫民李京祎焦毅中国科学院高能物理研究所中国科学院粒子加速物理与技术重点实验室

高能同步辐射光源(High Enery Photon Source, HEPS)是国家发展和改革委员会批准建设的“十三五”国家重大科技基础设施项目之一.由中国科学院高能物理研究所承建, 2019年6月于北京市怀柔科学城开工建设,建设周期6.5年,主要建设内容包... 详细信息

高能同步辐射光源(High Enery Photon Source, HEPS)是国家发展和改革委员会批准建设的“十三五”国家重大科技基础设施项目之一.由中国科学院高能物理研究所承建, 2019年6月于北京市怀柔科学城开工建设,建设周期6.5年,主要建设内容包括加速器、光束线站、配套土建工程及辅助设施等. HEPS是一台基于准衍射极限储存环的高能区第四代同步辐射装置,主要包括一台能量0.5 Ge V直线加速器、一台能量0.5～6.0 Ge V增强器和一台能量6.0 Ge V储存环,最多可以承载90条光束线实验站,首期建设14条用户实验线站,建成后将是世界上最亮的同步辐射光源之一.自开工建设以来, HEPS先后完成了物理设计、设备加工和安装,以及直线加速器和增强器的调束.本文简介HEPS的建设进展.

关键词：重大科技基础设施同步辐射光源衍射极限储存环束流调试

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铁铝碳永磁合金的负温效应

工程科学学报 1979年第1期 181-190页

作者：董克柱金属物理教研室

应用示差冲击法、磁分析以及x射线衍射等方法研究了铁铝碳永磁合金在低温下的稳定性。试验表明该合金在低温下剩磁感应强度发生不可逆变化——负温效应,既有结构时效又有磁时效。结构时效的主要原因来自残留γ相向过饱和α相的转变,磁... 详细信息

应用示差冲击法、磁分析以及x射线衍射等方法研究了铁铝碳永磁合金在低温下的稳定性。试验表明该合金在低温下剩磁感应强度发生不可逆变化——负温效应,既有结构时效又有磁时效。结构时效的主要原因来自残留γ相向过饱和α相的转变,磁时效在重新充磁后则可以完全恢复。並且指出生产中欲防止负温效应,既要进行结构稳定化,又要进行磁稳定化处理。

关键词：负温效应磁时效不可逆变化永磁合金硬磁合金磁性合金相对变化率

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氢气氛区熔硅单晶热处理缺陷形成机理

工程科学学报 1979年第1期 173-180+196-203页

作者：蒋柏林,盛世雄,肖治刚金属物理教研室

本文用薄晶体电镜,x射线衍射形貌和金相腐蚀坑法研究了氢区熔硅单晶热处理缺陷形成机理。通过变温热处理,发现氢区熔硅单晶热处理缺陷主要是由氢沉淀引起的。沉淀过程可能首先是Si-H键分解,然后是氢的扩散聚集,测出沉淀过程激活能是56.... 详细信息

本文用薄晶体电镜,x射线衍射形貌和金相腐蚀坑法研究了氢区熔硅单晶热处理缺陷形成机理。通过变温热处理,发现氢区熔硅单晶热处理缺陷主要是由氢沉淀引起的。沉淀过程可能首先是Si-H键分解,然后是氢的扩散聚集,测出沉淀过程激活能是56.000±3000卡/克分子,它可能是Si-H键的分解激活能。沉淀物的析出面是{111}晶面,几何形态起始近似球状,然后变成扁椭球,最后是沿方向拉长的片状沉淀物。随着沉淀物的长大,在一定温度下(约600-700℃)会在沉淀物周围发射稜柱位错环,其分布形态和热处理温度有关。高温热处理时,沉淀物周围能发射出高对称的多组稜柱位错环,形成“星形”位错群。稜柱位错的稜柱面是{111}晶面,柏氏矢量是a╱2。发射方向是方向,位错线是方向。

关键词：区熔硅单晶金相腐蚀射线衍射周围激活能电镜活化能电子显微镜形貌沉淀物晶体沉淀过程形成机理