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基于模糊自抗扰的无源控制及其在舰载火箭炮位置伺服系统中的应用

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兵器装备工程学报 2024年第S1期45卷 148-153页

作者：王蓉刘晖肖寒长安望江工业集团公司重庆400023 陆装驻重庆地区军代局驻重庆地区军代室重庆400060

介绍了一种基于模糊自抗扰控制(FADRC)的新型无源控制(PBC),该控制利用改进粒子群优化(IPSO)算法进行优化,并应用于由永磁同步电机(PMSM)驱动的舰载火箭炮位置伺服系统。基于互联与阻尼配置的无源控制(IDA-PBC)理论,采用端口受控耗散哈... 详细信息

介绍了一种基于模糊自抗扰控制(FADRC)的新型无源控制(PBC),该控制利用改进粒子群优化(IPSO)算法进行优化,并应用于由永磁同步电机(PMSM)驱动的舰载火箭炮位置伺服系统。基于互联与阻尼配置的无源控制(IDA-PBC)理论,采用端口受控耗散哈密顿(PCHD)方法,对永磁同步电机进行建模。为了改善传统ADRC的鲁棒性和动态性能,利用模糊控制对非线性状态误差反馈(NLSEF)的比例系数进行实时调整。此外,采用IPSO算法对5个模糊控制参数进行在线优化,以保证控制系统的快速性和全局最优性。仿真实验表明,与ADRC-PBC和FADRC-PBC控制器相比,所提出的IPSO-FADRC-PBC控制器具有更好的静态和动态性能。

关键词：无源控制模糊自抗扰控制舰载火箭炮永磁同步电机改进粒子群优化算法

基于陶瓷基板一体化封装的高可靠性LC滤波器组装工艺研究

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压电与声光 2024年第1期46卷 42-47页

作者：李亚飞温桎茹蒲志勇张钧翀张伟董姝吴秦中国电子科集团公司第二十六研究所重庆400060

针对陶瓷基板一体化封装结构的LC滤波器,采用回流焊方法进行装配,制作了具有高可靠性的LC滤波器。采用电阻点焊对绕线电感进行引脚固定,使用贴片红胶粘接固定片式电容,实现陶瓷一体化封装LC滤波器内部元件的预固定。通过点涂方式施加焊... 详细信息

针对陶瓷基板一体化封装结构的LC滤波器,采用回流焊方法进行装配,制作了具有高可靠性的LC滤波器。采用电阻点焊对绕线电感进行引脚固定,使用贴片红胶粘接固定片式电容,实现陶瓷一体化封装LC滤波器内部元件的预固定。通过点涂方式施加焊膏,经回流焊接形成润湿良好的焊点,利用微压水柱清洗去除残留的助焊剂。经过调试和涂胶固定绕线电感后采用平行缝焊完成产品封装。对回流焊装配的LC滤波器进行过程检验、温度和机械试验。结果表明,由所研究的组装工艺制成的LC滤波器具有较好的工序直通率,满足高可靠环境应用要求,适合于批量化生产。

关键词：陶瓷基板一体化封装 LC滤波器回流焊接可靠性

硅基MEMS梁-复合膜-岛压阻式压力传感器设计研究

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压电与声光 2024年第1期46卷 118-123页

作者：江浩黄晶袁宇鹏李春洋苗晋威李光贤中电科芯片技术(集团)有限公司重庆401332 国知创芯(重庆)科技有限公司重庆401332 中国电子科技集团公司第二十六研究所重庆400060

针对微机电系统(MEMS)压力传感器灵敏度与非线性度难以兼顾的问题,提出了一种梁-复合膜-岛压力传感结构,运用有限元仿真软件优化整体结构尺寸以得到最大纵横应力差、挠度,并设计压阻条压敏电阻掺杂类型、掺杂浓度、结构尺寸及分布位置... 详细信息

针对微机电系统(MEMS)压力传感器灵敏度与非线性度难以兼顾的问题,提出了一种梁-复合膜-岛压力传感结构,运用有限元仿真软件优化整体结构尺寸以得到最大纵横应力差、挠度,并设计压阻条压敏电阻掺杂类型、掺杂浓度、结构尺寸及分布位置。将梁-复合膜-岛结构与传统结构的输出进行仿真对比,由仿真结果可知,梁-复合膜-岛结构在0~60 kPa压力范围内灵敏度较相关结构提升7%以上,较E型结构提升2倍,非线性度为0.029%FSS,满足MEMS微压压力传感器的高灵敏度、高线性度等要求,可支撑医疗领域相关应用研究。

关键词：压阻式压力传感器压敏电阻高灵敏度微压

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陶瓷介质滤波器焊接工艺技术研究

压电与声光 2024年第2期46卷 149-153页

作者：李亚飞张钧翀龚旭李医虹唐盘良陈彦光马晋毅中国电子科集团公司第二十六研究所重庆400060

针对陶瓷介质滤波器装配焊接过程中出现介质胚体开裂的问题,通过对裂纹特征观察和材料物理性质分析,在金属屏蔽罩装接、印制板焊盘设计和回流焊工艺等方面进行改进。对焊接后的器件进行温度和力学等可靠性试验,产品测试合格率为100%,破... 详细信息

针对陶瓷介质滤波器装配焊接过程中出现介质胚体开裂的问题,通过对裂纹特征观察和材料物理性质分析,在金属屏蔽罩装接、印制板焊盘设计和回流焊工艺等方面进行改进。对焊接后的器件进行温度和力学等可靠性试验,产品测试合格率为100%,破坏性物理分析(DPA)剖样观察到介质滤波器不存在开裂或微裂纹的失效隐患。结果表明,该焊接工艺能解决陶瓷介质滤波器的焊接裂纹问题,实现了较高的产品可靠性。

关键词：介质滤波器焊接裂纹热应力可靠性

背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制备技术研究

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压电与声光 2024年第3期46卷 296-299页

作者：徐阳司美菊吴高米刘文怡巩乐乐甄静怡余奇陈金琳中国电子科技集团公司第二十六研究所重庆400060 国知创芯(重庆)科技有限公司重庆401332 中电科芯片技术(集团)有限公司重庆401332

随着移动通信技术的快速发展,薄膜体声波滤波器逐渐向高频和大带宽方向发展。该文研究了POI(LiNbO_(3)/SiO_(2)/Si)基片上背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制作工艺,通过研究POI基IDT光刻、背腔硅刻蚀等工艺,确定了IDT层曝光量和背... 详细信息

随着移动通信技术的快速发展,薄膜体声波滤波器逐渐向高频和大带宽方向发展。该文研究了POI(LiNbO_(3)/SiO_(2)/Si)基片上背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制作工艺,通过研究POI基IDT光刻、背腔硅刻蚀等工艺,确定了IDT层曝光量和背腔刻蚀等关键工艺参数。研制出的背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器,其谐振频率为4565 MHz,反谐振频率为5035 MHz,机电耦合系数为20.86%。此制备工艺对研究高频、大带宽薄膜体声波滤波器具有重要的参考意义。

关键词：干法刻蚀刻蚀速率横向激励机电耦合系数薄膜体声波谐振器

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低温度敏感度谐振式压力传感器设计与仿真

压电与声光 2024年第2期46卷 202-206页

作者：李光贤黄晶袁宇鹏杨靖李春洋张祖伟龙帅中电科芯片技术(集团)有限公司重庆401332 国知创芯(重庆)科技有限公司重庆401332 中国电子科技集团公司第二十六研究所重庆400060

为降低材料杨氏模量温度漂移和热应力对谐振式压力传感器温度漂移的影响,该文设计了一种基于Si-SiO 2复合H形谐振梁和双谐振器结构的低温度敏感度谐振压力传感器。通过有限元仿真软件COMSOL对传感器进行仿真验证。结果表明,在0~350 kPa... 详细信息

为降低材料杨氏模量温度漂移和热应力对谐振式压力传感器温度漂移的影响,该文设计了一种基于Si-SiO 2复合H形谐振梁和双谐振器结构的低温度敏感度谐振压力传感器。通过有限元仿真软件COMSOL对传感器进行仿真验证。结果表明,在0~350 kPa内传感器灵敏度可达21.146 Hz/kPa,-50~125℃内零点温度漂移低至0.2 Hz/℃。与全硅结构相比,灵敏度温度漂移由339×10^(-6)/℃降低至14.1×10^(-6)/℃,可适应工作温度范围较高的环境。

关键词：谐振式压力传感器温度漂移温度灵敏度漂移温度补偿

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一种高可靠连体式介质滤波器设计

压电与声光 2024年第2期46卷 143-148页

作者：魏强李鲲冯小东中国电子科技集团公司第二十六研究所重庆400060

根据椭圆函数响应,采用相对介电常数为37的高品质因数微波介质材料,该文设计了一种低损耗、连体式四级介质滤波器。通过1-4谐振器之间使用级联四元组(CQ)电容加载耦合,经优化后滤波器中心频率为1268 MHz,工作带宽为25 MHz,插入损耗≤2.5... 详细信息

根据椭圆函数响应,采用相对介电常数为37的高品质因数微波介质材料,该文设计了一种低损耗、连体式四级介质滤波器。通过1-4谐振器之间使用级联四元组(CQ)电容加载耦合,经优化后滤波器中心频率为1268 MHz,工作带宽为25 MHz,插入损耗≤2.5 dB,回波损耗≥18 dB,近端带外抑制≥40 dB。根据仿真模型结构参数,优化成型和金属化工艺,制备得到的样品,通过可靠性环境试验表明,该滤波器的性能测试结果与仿真结果吻合良好。

关键词：介质滤波器交叉耦合带外抑制可靠性

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硅基钽酸锂异质晶圆键合工艺研究

人工晶体学报 2024年第4期53卷 634-640页

作者：陈哲明丁雨憧邹少红龙勇石自彬马晋毅中国电子科技集团公司第二十六研究所重庆400060

5G移动通信的发展对声表面波滤波器提出了高频、小型化、集成化的要求。相较于传统压电体单晶材料,采用硅基压电单晶薄膜材料制备的声表面波滤波器具有高频、低插入损耗、高温稳定性等优势,是高性能声表面波器件发展的核心基础材料。Sma... 详细信息

5G移动通信的发展对声表面波滤波器提出了高频、小型化、集成化的要求。相较于传统压电体单晶材料,采用硅基压电单晶薄膜材料制备的声表面波滤波器具有高频、低插入损耗、高温稳定性等优势,是高性能声表面波器件发展的核心基础材料。Smart-Cut^(TM)是制备硅基压电单晶薄膜材料的主要方法,键合工艺是其中的核心工序,键合质量决定了硅基压电单晶薄膜晶圆材料的质量,并影响器件性能。本文通过低温直接键合工艺,对等离子活化、兆声清洗、预键合、键合加固四道工序展开优化,最终实现了键合强度高达1.84 J/m^(2)、键合面积超过99.9%的高质量硅基钽酸锂异质晶圆键合。

关键词：硅基钽酸锂低温直接键合等离子活化兆声清洗预键合键合加固声表面波滤波器

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JGD提拉单晶炉晶体模型的数字化

压电与声光 2024年第3期46卷 333-338页

作者：陈川贵丁雨憧龙勇何晔吴昊岑伟李青蔚中国电子科技集团公司第二十六研究所重庆401332

中国电科芯片研究院生产的JGD提拉单晶炉是一种上称重自动直径控制激光单晶炉,它实现了提拉法晶体全自动智能生长控制。利用JGD提拉单晶炉控制软件建立提拉法晶体数学模型,晶体生长全程以数学模型为标准,以晶体质量为控制量进行实时闭... 详细信息

中国电科芯片研究院生产的JGD提拉单晶炉是一种上称重自动直径控制激光单晶炉,它实现了提拉法晶体全自动智能生长控制。利用JGD提拉单晶炉控制软件建立提拉法晶体数学模型,晶体生长全程以数学模型为标准,以晶体质量为控制量进行实时闭环反馈控制。该软件建立的晶体数学模型有四段式晶体数学模型和任意多段晶体数学模型两种形式。在设计放肩段时,四段式晶体数学模型充分体现了晶体籽晶段与放肩段、等径段三位一体平滑过渡的理念;而任意多段晶体数学模型在曲线设计上更加灵活多样,晶体数学模型设计更便捷。JGD提拉单晶炉控制软件晶体数学模型被广泛用于多种晶体生长过程,如InSb、YAG等晶体。晶体外形控制良好、品质优良。

关键词：自动化晶体温场晶体数学模型数字化