检索结果-南通市图书馆

半导体光电 1989年第3期10卷 103-115页

作者：舒祥才重庆光电技术研究所技术处

一、GF9410U 型 GaAs 发光二极管1.器件结构及简要工作原理该 GaAs 发光二极管是在 n 型 GaAs 衬底上,通过液相外延技术形成一层 n 型 GaAs 和一层型 GaAs 同质 In 结,再用树脂封装而成。在正向偏咒下。

关键词： GaAs 发光二极管硅光电三极管

Ta-W/Hf合金的结构稳定性及力学性质的第一性原理计算

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原子与分子物理学报 2025年第1期42卷 135-144页

作者：周少兰李忠盛丛大龙韦禹詹青青赵子鹏冉旭东西南技术工程研究所重庆400039

Ta-W/Hf合金具有高熔点、高密度、高延展性等性质,在核电、武器装备等关键零部件中发挥着重要作用,本研究基于密度泛函理论的第一性原理方法,构建不同掺杂含量下的Ta-W/Hf合金模型,计算Ta-W/Hf的晶格常数、结合能、弹性常数、弹性模量... 详细信息

Ta-W/Hf合金具有高熔点、高密度、高延展性等性质,在核电、武器装备等关键零部件中发挥着重要作用,本研究基于密度泛函理论的第一性原理方法,构建不同掺杂含量下的Ta-W/Hf合金模型,计算Ta-W/Hf的晶格常数、结合能、弹性常数、弹性模量、泊松比、维氏硬度、电子态密度等性质参数,分析W、Hf掺杂元素对Ta合金稳定性及力学性能的影响.结果表明:Ta-W合金的晶格常数、弹性常数、体模量、杨氏模量、剪切模量均随着W含量的增加而增加;然而Ta-Hf合金的相关性质参数变化趋势则相反.同时,结合能及电子态密度结果表明Ta-W合金的稳定性与W含量呈正相关;Ta-Hf合金的稳定性随着Hf含量的增加而降低,但Hf的添加对Ta合金的各向异性趋势变化影响显著,且Hf可以明显提高Ta合金的韧性.

关键词： Ta-W/Hf合金第一性原理结构稳定力学性质

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稀土元素Er、Yb和Y掺杂ZrO_(2)的第一性原理研究

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原子与分子物理学报 2025年第1期42卷 156-162页

作者：熊威任浩重庆交通大学航空学院重庆402247 重庆交通大学绿色航空技术研究院重庆401147

氧化锆具有声子能量低,介电常数高和带隙较宽等优良特性,并且立方相的氧化锆(cZrO_(2))透光率高,适合作为上转换发光材料的基质.采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势法研究了稀土元素Er、Yb和Y掺杂cZrO_(2)的电子结构和光... 详细信息

氧化锆具有声子能量低,介电常数高和带隙较宽等优良特性,并且立方相的氧化锆(cZrO_(2))透光率高,适合作为上转换发光材料的基质.采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势法研究了稀土元素Er、Yb和Y掺杂cZrO_(2)的电子结构和光学性质.计算结果显示,掺入Y元素后,cZrO_(2)转变为直接带隙材料,继续掺入Er和Yb原子后,费米能级移动到价带内,带隙显著减小.Y和Er混掺后,增强了cZrO_(2)在近红外波段的吸收能力.继续掺入Yb后,cZrO_(2)对近红外波段的吸收能力有了进一步地增加.

关键词：氧化锆第一性原理电子结构光学性质

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基于注意力机制的高光谱图像降维在纸质文物霉斑识别的研究

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光谱学与光谱分析 2025年第1期45卷 246-255页

作者：汤斌贺渝龙唐欢龙邹荣王建旭谭博文覃丹罗希玲赵明富重庆理工大学重庆市光纤传感与光电检测重点实验室重庆400054 馆藏文物有害生物控制研究国家文物局重点科研基地(重庆中国三峡博物馆) 重庆400060

纸质文物作为文物传承的重要工具,用于记录不同时期人类历史及人文风貌,其在保存过程中极易受到霉菌等微生物的侵害。霉菌会加速纤维素的降解,在纸张表面生成霉斑,并且散落的孢子会随空气流动大范围传播,增加其他纸质文物发生霉变的风... 详细信息

纸质文物作为文物传承的重要工具,用于记录不同时期人类历史及人文风貌,其在保存过程中极易受到霉菌等微生物的侵害。霉菌会加速纤维素的降解,在纸张表面生成霉斑,并且散落的孢子会随空气流动大范围传播,增加其他纸质文物发生霉变的风险。因此,定期对纸质文物进行霉斑检测对了解纸质文物现状和纸质文物修复至关重要。高光谱成像技术是一种非接触性、非破坏性的检测技术,能同时获得空间数据和光谱数据,与计算机技术结合可以实现纸质文物的大批次实时无损检测。针对黑曲霉这一广泛出现的霉菌,提出一种基于注意力机制的高光谱数据降维方法,通过采集其高光谱数据,实现了高光谱冗余数据的自适应预处理。采集了来自重庆中国三峡博物馆提供的20份纸质文物黑曲霉霉斑样本,使用ENVI软件分析得出在413~855 nm波段范围内,黑曲霉霉斑感染区域和健康区域的平均光谱曲线,平均反射率差异明显;在855~1021 nm波段范围内,黑曲霉霉斑感染区域和墨迹区域的平均光谱曲线,平均反射率差异明显。文中将所提出方法与传统主成分分析和独立成分分析预处理方法分别处理原始高光谱数据,并将结果在经典U-Net、SegNet、DeepLabV3+和PSPNet四个语义分割网络上进行了对比。结果表明,该算法预处理的数据在U-Net和SegNet经典网络中有明显优势,相较于主成分分析法和独立成分分析法,霉斑识别精度取得了较大提升达到89.49%和88.46%,验证了本文所提出算法的有效性,为文物保护领域提供有效的支撑和新的思路。

关键词：高光谱数据预处理霉斑识别纸质文物注意力机制图像分割

背照式高量子效率AlGaN日盲紫外探测器设计

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红外与激光工程 2013年第12期42卷 3358-3362页

作者：赵文伯周勋李艳炯申志辉罗木昌重庆光电技术研究所重庆400060

高量子效率、高UV/VIS抑制比、宽的光谱响应范围、快的响应速度是AlGaN紫外探测器设计追求的主要目标。为了获得适宜于紫外焦平面阵列的探测器结构，结合MOCVD外延材料生长的特点，采用模拟计算与实验相结合的方法，设计了背照式高量子... 详细信息

高量子效率、高UV/VIS抑制比、宽的光谱响应范围、快的响应速度是AlGaN紫外探测器设计追求的主要目标。为了获得适宜于紫外焦平面阵列的探测器结构，结合MOCVD外延材料生长的特点，采用模拟计算与实验相结合的方法，设计了背照式高量子效率AlGaN日盲探测器。详细介绍了背照式AlxGa1-xN-pin紫外探测器结构参数设计的依据和设计过程，并给出了设计结果，通过工艺实验，对设计结果进行了优化。应用设计结果进行了器件试制，经测试试制器件，其峰值响应波长为270 nm，光谱响应范围为250～282 nm，峰值量子效率达到了57%（0 V），实验表明取得了比较理想的设计结果。

关键词：高量子效率 AlGaN 日盲紫外探测器

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CCD片上放大器的设计与仿真

半导体光电 2005年第B03期26卷 4-8,33页

作者：张坤重庆光电技术研究所重庆400060

详细讨论了不同片上放大器的设计与仿真；分析比较了影响CCD图像传感器信号输出幅度的因素；给出了仿真结果。

关键词： CCD图像传感器片上放大器仿真

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用于现代雷达系统的光波导

半导体光电 2003年第2期24卷 73-78页

作者：刘俊刚杨清宗重庆光电技术研究所重庆400060

　介绍了用于现代雷达系统的光波导的基本特性和设计考虑,包括其物理和传输性能。简介光波导的种类,讨论几种常用的光耦合技术和波导材料。指出光波导在现代雷达系统中应用的未来发展方向。

关键词：雷达光波导光耦合技术波导材料

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用于雷达的高速半导体激光器和探测器

半导体光电 2002年第5期23卷 293-298页

作者：杨清宗李福果重庆光电技术研究所重庆400060

介绍用于雷达的高速半导体激光器和探测器的特性 ,综述了这类器件的研究进展 ,重点讨论具有高的调制带宽的高速量子阱激光器和具有高的收集效率的高速PIN光电探测器。

关键词：高速半导体激光器高速半导体光探测器调制带宽收集效率雷达

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中波-长波红外双色QWIP探测器设计

红外与激光工程 2012年第8期41卷 1971-1978页

作者：周勋周勇罗木昌赵文伯重庆光电技术研究所重庆400060

双色QWIP是一类重要的第三代红外探测器,但很少有研究报道对其有源区结构以及耦合光栅参数进行系统的计算分析和优化设计。文中基于包络函数近似、传输矩阵模型、经典光学原理等理论对中波-长波红外双色QWIP探测器的多周期有源区以及二... 详细信息

双色QWIP是一类重要的第三代红外探测器,但很少有研究报道对其有源区结构以及耦合光栅参数进行系统的计算分析和优化设计。文中基于包络函数近似、传输矩阵模型、经典光学原理等理论对中波-长波红外双色QWIP探测器的多周期有源区以及二维耦合光栅进行了较为详细的优化设计。长波红外(LWIR)有源区采用GaAs/AlGaAs准匹配体系的多量子阱结构,峰值响应波长为8.5μm;中波红外(MWIR)有源区采用InGaAs/GaAs/AlGaAs应变体系的微带超晶格结构,峰值响应波长为4.5μm;子带间跃迁类型均设计为束缚态-准束缚态(B-QB)以降低暗电流,提高探测率。此外,通过折衷优化设计,采用单周期二维光栅以有效实现LWIR与MWIR的双色耦合。上述设计对双色QWIP器件的研制具有较好的实际指导意义。

关键词：双色QWIP 多量子阱微带超晶格 B—QB跃迁二维双色耦合光栅

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光图像传感器技术及其武器装备应用新进展

半导体光电 2005年第B03期26卷 170-175页

作者：孙志君欧代永重庆光电技术研究所，重庆400060

光电子技术的飞速发展已引起了军界和军火商的极大关注和产生强烈的刺激作用，对军事装备更新换代的深远影响正在改变现代战场作战的特点和概念。西方先进国家，特别是美军正忙于采购新的光电子技术武器装备，和拟定研发更为先进、更为... 详细信息

光电子技术的飞速发展已引起了军界和军火商的极大关注和产生强烈的刺激作用，对军事装备更新换代的深远影响正在改变现代战场作战的特点和概念。西方先进国家，特别是美军正忙于采购新的光电子技术武器装备，和拟定研发更为先进、更为高级的元器件计划。本文主要叙述光图像传感器器件技术及其军事装备应用新发展状况。

关键词：军事装备 CCD CMOS 红外焦平面阵列星载机载预警战术侦察反巡航导弹夜视吊舱多功能头盔红外对抗