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Zn缺陷对ZnO薄膜光学特性的影响

辽宁大学学报（自然科学版） 2009年第1期36卷 6-8页

作者：谭天亚陈俊杰单晶江雪吴炜郭永新辽宁大学物理学院沈阳市光电子功能器件与检测技术重点实验室辽宁沈阳110036

采用射频磁控溅射方法在熔石英玻璃衬底上制备了ZnO薄膜.薄膜的X射线衍射(XRD)分析表明样品具有较好的结晶性和良好的c轴取向.光致发光(PL)性能分析发现,分别在398 nm和470 nm波长出现了较强的发光峰,与ZnO薄膜通常的发光峰位置明显不同... 详细信息

采用射频磁控溅射方法在熔石英玻璃衬底上制备了ZnO薄膜.薄膜的X射线衍射(XRD)分析表明样品具有较好的结晶性和良好的c轴取向.光致发光(PL)性能分析发现,分别在398 nm和470 nm波长出现了较强的发光峰,与ZnO薄膜通常的发光峰位置明显不同.通过分析表明,398 nm波长的发光峰是由于导带电子跃迁到Zn空位引起,470 nm波长的发光峰是由于间隙Zn电子跃迁到Zn空位上而产生.

关键词： ZnO薄膜光致发光 Zn缺陷

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全工况下光伏组件输出特性的预测建模与研究

光子学报 2014年第11期43卷 36-42页

作者：肖文波胡方雨戴锦南昌航空大学无损检测技术教育部重点实验室南昌330063

在光生电流远大于二极管反向饱和电流,并联电阻为无穷大且二极管反向饱和电流与光强无关的假设条件下,理论上推导出全工况光伏组件输出特性预测模型,并采用Matlab/Simulink搭建了仿真系统.对单(多)晶硅光伏组件的实验与预测对比,表明模... 详细信息

在光生电流远大于二极管反向饱和电流,并联电阻为无穷大且二极管反向饱和电流与光强无关的假设条件下,理论上推导出全工况光伏组件输出特性预测模型,并采用Matlab/Simulink搭建了仿真系统.对单(多)晶硅光伏组件的实验与预测对比,表明模型可以准确预测组件在任意光强与温度下的输出特性,预测误差在6%以下.研究结果发现,相对于光强变化,温度变化对组件输出特性预测影响更大;多晶硅组件预测难于单晶硅组件.对实际环境中单位光强与单位温度实时改变时的预测表明,组件输出主要由所受辐照总光强决定,而不是器件温度;且需要根据外界情况调整组件的输出电压,以实现最大功率输出.

关键词：光伏组件输出特性仿真预测模型光强与温度

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单模压缩奇偶相干态的四次方压缩特性

辽宁大学学报（自然科学版） 2009年第3期36卷 201-204页

作者：张静慕春波张明刘洪雨吴炜谭天亚辽宁大学物理学院沈阳市光电子功能器件与检测技术重点实验室辽宁沈阳110036

用单模压缩算子作用在单模奇偶相干态上即可得到单模压缩奇偶相干态.本文研究了这类量子态的四次方压缩特性,结果表明单模压缩奇偶相干态存在很强的四次方压缩特性,并且压缩程度随着压缩参量r的增大而增强.

关键词：单模压缩奇偶相干态高阶压缩特性四次方压缩效应

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ZnO基透明导电薄膜制备方法研究进展

辽宁大学学报（自然科学版） 2007年第4期34卷 334-338页

作者：谭天亚江雪崔春阳李春梅徐广文吴炜郭永新辽宁大学物理学院沈阳市光电子功能器件与检测技术重点实验室辽宁沈阳110036

ZnO基透明导电薄膜与掺锡氧化铟薄膜(ITO)相比,不仅性能与其相似,还具有ITO很多无法比拟的优点.因此,制备ZnO基透明导电薄膜成为当今研究热点.综述了ZnO基透明导电薄膜制备方法的研究进展,并对各自的优缺点进行了讨论.

关键词：透明导电薄膜 ZnO 制备方法电阻率透射率

GOSs-稀土配合物紫外增强材料的光谱分析与稳定性研究

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光谱学与光谱分析 2020年第2期40卷 379-384页

作者：李志远刘雪连郑安东王国栋夏果陆红波合肥工业大学光电技术研究院特种显示技术国家工程实验室现代显示技术省部共建国家重点实验室安徽合肥230009 合肥工业大学化学与化工学院安徽省先进功能材料与器件重点实验室安徽合肥230009 中国科学院通用光学定标与表征技术重点实验室安徽合肥230031

氧化石墨烯薄片(GOSs)作为一种新型的二维片状材料,具有较高的比表面积、丰富的表面含氧官能团以及良好的光热稳定性。而稀土配合物通过无机稀土元素与有机配体的结合表现出优异的荧光特性。为了将两类材料具有的物化特性结合起来应用... 详细信息

氧化石墨烯薄片(GOSs)作为一种新型的二维片状材料,具有较高的比表面积、丰富的表面含氧官能团以及良好的光热稳定性。而稀土配合物通过无机稀土元素与有机配体的结合表现出优异的荧光特性。为了将两类材料具有的物化特性结合起来应用于紫外光谱探测领域。选取了合适的有机配体啉菲罗啉(1,10-邻二氮杂菲,phen)、2’2-联嘧啶(bpm)作为桥联分子,把氧化石墨烯(GOSs)与稀土配合物通过氢键自组装作用进行复合,制备了高效稳定可调的GOSs-稀土配合物复合荧光材料GOSs-Eu(BA)3phen和GOSs-Eu(TTA)3bpm,并且制备了相应的聚乙烯醇(PVA)共混紫外增强薄膜,对其光谱特性与稳定性进行了深入的研究。采用红外光谱、扫描电镜和金相显微镜等方法,对紫外增强材料进行了性能表征。采用吸收光谱,荧光光谱等方法,对紫外增强薄膜进行了性能表征。此外,通过热重测试(TGA)表征了GOSs氢键复合前后紫外增强材料的热稳定性,通过荧光强度-紫外光照次数表征了GOSs氢键复合前后紫外增强薄膜的光稳定性。红外光谱分析发现,进行配位前后有机配体的特征峰产生了频移,表明稀土配合物中Eu 3+与配体之间存在着明显的配位作用。在进行复合之后,桥联配体的特征峰也产生了偏移,表明GOSs与稀土配合物通过桥联分子的氢键作用进行了进行复合。吸收光谱与荧光光谱测定结果表明增强薄膜吸收峰在200~400 nm,荧光主峰在612 nm左右,为Eu 3+特征红色荧光峰,且不同配体可以实现不同范围的吸收产生差异化的荧光表现。扫描电镜和金相显微镜清晰地展示了稀土配合物复合前后的微观形貌,即颗粒状稀土配合物附着在石墨烯薄片上。光稳定性测试表明经过GOSs氢键复合之后,Eu(BA)3phen和Eu(TTA)3bpm稀土配合物荧光材料在进行25次荧光强度测试后光漂白程度分别下降了4.26%和6.41%,提高了其光稳定性。热重测试也表明在经过GOSs氢键复合之后,稀土配合物的热稳定性有了很大提高。总之,得益于GOSs和稀土配合物的特性结合,所制备的紫外增强材料表现出优异的荧光特性与稳定性,必将在紫外探测方面有着广阔的应用前景。

关键词：氧化石墨烯薄片稀土配合物紫外增强薄膜可调稳定

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激光加工中双工位加工系统的研究

中国激光 2013年第10期40卷 91-96页

作者：张健吴锐欢李泽曦陈国张庆茂刘颂豪华南师范大学广东省微纳光子功能材料与器件重点实验室广东广州510006

为满足多工位或多工种的激光加工需求，以Nd：YAG脉冲激光器为光源，提出了双工位加工的实施方案，设计出能实时改变激光光路的双工位分光装置，以及能对系统进行控制的系统控制电路，并确定了系统的工作流程及工作时序。最终实现与单... 详细信息

为满足多工位或多工种的激光加工需求，以Nd：YAG脉冲激光器为光源，提出了双工位加工的实施方案，设计出能实时改变激光光路的双工位分光装置，以及能对系统进行控制的系统控制电路，并确定了系统的工作流程及工作时序。最终实现与单工位时等功率输出的双工位系统。为检验实际加工效果，对Az91D镁合金和3003铝合金分别进行了熔覆和焊接试验，并利用扫描电子显微镜（sEM）和电化学测量系统分别检测熔覆试样的熔覆层与基体结合界面的特征及耐腐蚀性，同时对焊接试样的显微硬度及拉伸性能进行检测。结果表明，熔覆后，熔覆层与基体结合良好，熔覆层组织致密、无裂纹和孔洞，自腐蚀电位比基体提高1．18V，腐蚀电流降低约5个数量级；焊接后，铝合金的硬度变化范围为HV4.9 27～54，抗拉强度约为母材的82．3％，与单工位加工系统相比，加工效率提高了24．6％，取得了较好的加工效果。

关键词：激光技术双工位加工激光加工熔覆焊接

固相法制备Ce,Cr∶YAG透明陶瓷及其荧光性能研究

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发光学报 2016年第10期37卷 1213-1216页

作者：修光捷曾群王飞姚春凤华南师范大学信息光电子科技学院广东省微纳光子功能材料与器件重点实验室广东广州510006 华南师范大学实验中心广东广州510006

以高纯Al_2O_3、Y_2O_3、Cr_2O_3和CeO_2为原料,采用固相法制备了Ce,Cr∶YAG透明陶瓷。通过XRD测试和荧光测试,研究了0.5%Ce^(3+),0.1%Cr^(3+)掺杂的YAG透明陶瓷片的晶相结构和光学性能。结果表明:1 750℃烧结获得的该陶瓷片为YAG纯相,... 详细信息

以高纯Al_2O_3、Y_2O_3、Cr_2O_3和CeO_2为原料,采用固相法制备了Ce,Cr∶YAG透明陶瓷。通过XRD测试和荧光测试,研究了0.5%Ce^(3+),0.1%Cr^(3+)掺杂的YAG透明陶瓷片的晶相结构和光学性能。结果表明:1 750℃烧结获得的该陶瓷片为YAG纯相,在可见光区的透过率达到了70%以上。在430 nm的光激励下,透明陶瓷同时表现出了Ce^(3+)、Cr^(3+)的特征发射峰,在补充白光LED的红光部分方面具有一定的实际应用价值。

关键词： Ce,Cr∶YAG 固相反应透明陶瓷

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4H-SiC欧姆接触与测试方法研究

固体电子学研究与进展 2008年第1期28卷 38-41页

作者：陈刚柏松李哲阳韩平南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室南京210008 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016

主要针对不同金属和工艺条件下的4H-SiC欧姆接触特性进行对比研究,形成4H-SiC的优良欧姆接触的最佳条件。通过TLM方法结合四探针测量得到特征接触电阻率,测得NiCr和Ni与4H-SiC的最佳特征接触电阻率分别达到ρc=9.02×10-6Ω.cm2,ρc=2.2... 详细信息

主要针对不同金属和工艺条件下的4H-SiC欧姆接触特性进行对比研究,形成4H-SiC的优良欧姆接触的最佳条件。通过TLM方法结合四探针测量得到特征接触电阻率,测得NiCr和Ni与4H-SiC的最佳特征接触电阻率分别达到ρc=9.02×10-6Ω.cm2,ρc=2.22×10-7Ω.cm2,能够很好满足SiC器件的需要。

关键词：碳化硅欧姆接触特征接触电阻率退火

钙钛矿相界面插层对SrFeO_(x)基忆阻器的性能提升

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物理学报 2023年第9期72卷 151-160页

作者：陈开辉樊贞董帅李文杰陈奕宏田国陈德杨秦明辉曾敏陆旭兵周国富高兴森刘俊明华南师范大学华南先进光电子研究院先进材料研究所广州510006 华南师范大学华南先进光电子研究院广东省光信息材料与技术重点实验室和国家绿色光电子国际联合研究中心广州510006 南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京210093

SrFeO_(x)(SFO)是一种能在SrFeO_(2.5)钙铁石(BM)相和SrFeO_(3)钙钛矿(PV)相之间发生可逆拓扑相变的材料.这种相变能显著改变电导却维持晶格框架不变,使SFO成为一种可靠的阻变材料.目前大部分SFO基忆阻器使用单层BM-SFO作为阻变功能层,... 详细信息

SrFeO_(x)(SFO)是一种能在SrFeO_(2.5)钙铁石(BM)相和SrFeO_(3)钙钛矿(PV)相之间发生可逆拓扑相变的材料.这种相变能显著改变电导却维持晶格框架不变,使SFO成为一种可靠的阻变材料.目前大部分SFO基忆阻器使用单层BM-SFO作为阻变功能层,这种器件一般表现出突变型阻变行为,因而其应用被局限于两态存储.对于神经形态计算等应用,单层BM-SFO忆阻器存在阻态数少、阻值波动大等问题.为解决这些问题,本研究设计出BM-SFO/PV-SFO双层忆阻器,其中PV-SFO层为富氧界面插层,可在导电细丝形成过程中提供大量氧离子并在断裂过程中回收氧离子,使导电细丝的几何尺寸(如直径)在更大范围内可调,从而获得更多、更连续且稳定的阻态,可用于模拟长时程增强和抑制等突触行为.基于该器件仿真构建了全连接神经网络(ANN),在手写体数字光学识别(ORHD)数据集进行在线训练后获得了86.3%的识别准确率,相比于单层忆阻器基ANN的准确率提升69.3%.本研究为SFO基忆阻器性能调控提供了一种新方法,并展示了它们作为人工突触器件在神经形态计算方面的应用潜力.

关键词： SrFeOx基忆阻器人工突触神经网络界面插层

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