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一款具有过温指示功能的高速功率运算放大器

半导体技术 2025年第03期 273-281+312页

作者：冯仕豪余德水马奎杨发顺贵州大学大数据与信息工程学院贵州省微纳电子与软件技术重点实验室半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心

基于80 V双极型集成电路工艺，设计了一种具有过温指示功能的高速功率运算放大器。该设计采用源极驱动-共基放大的输入级电路结构，选用p沟道结型场效应晶体管(JFET)作为输入管，实现了低输入偏置电流和高转换速率。为防止输出功率晶体... 详细信息

基于80 V双极型集成电路工艺，设计了一种具有过温指示功能的高速功率运算放大器。该设计采用源极驱动-共基放大的输入级电路结构，选用p沟道结型场效应晶体管(JFET)作为输入管，实现了低输入偏置电流和高转换速率。为防止输出功率晶体管因过热而损坏，设计了过温指示及热关断模块，在139～164℃的温度区间内具有迟滞型热关断与过温指示功能。芯片测试结果显示，该电路的输入偏置电流为16.804 pA,输入失调电流为2.49 pA,开环电压增益为128.2 dB,转换速率为19.57 V/μs,增益带宽积为3.5 MHz。

关键词：结型场效应晶体管(JFET)输入功率运放高转换速率低失调过温保护

基于MBE技术进行Ga、Bi原子团簇共沉积制备的研究

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原子与分子物理学报 2025年 73-77页

作者：马玉麟郭祥丁召贵州大学大数据与信息工程学院贵州省微纳电子与软件技术重点实验室半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心

由于GaAs1-xBix半导体具有较大的带隙收缩、良好的温度稳定性和强自旋轨道分裂等物理特性,因此研究其制备工艺对于解决远距探测和污染监测等应用需求,以及促进波长在2～20μm范围内的小型可靠半导体激光器具有重大意义.目前,对于GaAs1-x... 详细信息

由于GaAs1-xBix半导体具有较大的带隙收缩、良好的温度稳定性和强自旋轨道分裂等物理特性,因此研究其制备工艺对于解决远距探测和污染监测等应用需求,以及促进波长在2～20μm范围内的小型可靠半导体激光器具有重大意义.目前,对于GaAs1-xBix材料中Ga、Bi原子团簇共淀积制备的工艺仍存在争议.为此,基于分子束外延（Molecular beam epitaxy, MBE）技术对Ga和Bi共淀积的工艺进行了研究.通过原子力显微镜（Atomic force microscope, AFM）对样品进行表征后发现,先淀积Bi后淀积Ga会导致已形成的Bi原子团簇发生脱附现象,因此该方案不可行;同时淀积Ga和Bi时,Bi原子作为表面活性剂会增加Ga原子团簇的高度,该方案可行,但团簇的整体高度会增加;先淀积Ga后淀积Bi时,Ga原子团簇在二次退火过程中高度会略有降低,因此在Ga和Bi原子团簇的共淀积制备过程中,该方案最佳.研究结果为可控制备GaAs1-xBix量子点（Quantum dots, QDs）提供了重要的实验基础.

关键词： MBE Ga Bi 原子团簇共淀积

基于分子束外延技术可控制备Bi原子团簇的研究

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原子与分子物理学报 2025年第2期42卷 79-84页

作者：马玉麟郭祥丁召贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵阳550025

本研究基于分子束外延(MBE)技术在Si(111)衬底表面成功制备金属Bi原子团簇.首先,分别在100℃、125℃、150℃、175℃、200℃的生长温度下,制备了大小均一、密度不同的Bi原子团簇.实验结果表明,可以通过改变生长温度来精细控制Bi原子团簇... 详细信息

本研究基于分子束外延(MBE)技术在Si(111)衬底表面成功制备金属Bi原子团簇.首先,分别在100℃、125℃、150℃、175℃、200℃的生长温度下,制备了大小均一、密度不同的Bi原子团簇.实验结果表明,可以通过改变生长温度来精细控制Bi原子团簇的密度,当温度升高100℃,密度从1.05×10^(11)cm^(-2)降低至2.5×10^(7)cm^(-2),实现对团簇密度4个数量级的可控调节,并且发现Bi原子团簇密度对生长温度的依赖性符合经典成核理论.其次,分别在10 s、15 s、20 s的沉积时长下,制备了密度相同、尺寸各异的Bi原子团簇.实验结果表明,可以通过改变沉积时长来精细控制Bi原子团簇的尺寸:当沉积时长增加10 s,高度和直径分别从8.5 nm和65 nm增大到13.7 nm和100 nm,实现对团簇尺寸在10 nm高度、80 nm直径范围的可控调节,并且发现Bi原子团簇尺寸对沉积时长的依赖性符合晶体生长动力学.与分子束外延制备传统的Ⅲ族(Al,Ga,In)原子团簇做对比,这些结果可以为制备Ⅴ族原子团簇提供实验参考和指导,从而促进纳米级含Bi材料的制备.

关键词：分子束外延 Bi原子团簇生长温度沉积时长经典成核理论晶体生长动力学

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基于分子束外延技术可控制备Ga原子团簇的研究

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原子与分子物理学报 2025年第3期42卷 77-84页

本研究基于分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)技术在Si(100)衬底表面成功制备金属Ga原子团簇.通过控制变量法,研究其尺寸形貌与工艺参数之间的关系.第一组对照实验分别在940℃、970℃、1000℃的Ga源温度下制备Ga原子团簇.实验结... 详细信息

本研究基于分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)技术在Si(100)衬底表面成功制备金属Ga原子团簇.通过控制变量法,研究其尺寸形貌与工艺参数之间的关系.第一组对照实验分别在940℃、970℃、1000℃的Ga源温度下制备Ga原子团簇.实验结果表明,Ga源温度的升高导致Ga的蒸发量增加,进而沉积在Si衬底表面的Ga原子增多,Ga原子自组装成团簇,最终表现为Ga原子团簇的高度升高.第二组对照实验分别在3 s、6 s、10 s、40 s、50 s、60 s的沉积时长下制备Ga原子团簇.实验结果表明,沉积时长增加导致团簇的高度逐渐增加,主要由新吸附原子和竞争效应驱动.第三组对照实验分别在0 s、60 s、300 s的退火时长下制备Ga原子团簇.实验结果表明,退火时长的增加导致团簇的高度下降和团簇内的原子重新排列和分布有关.第四组对照实验分别在420℃、500℃的退火温度下制备Ga原子团簇.实验结果表明,升温至500℃退火会促进Ga原子团簇呈现有序排列,是表面原子的热运动和Ga原子团簇与Si(100)的晶格匹配度的共同作用的结果.

关键词： MBE Ga原子团簇 Ga源温度沉积时长退火时长

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Ag掺杂g-C3N4单原子催化剂的第一性原理研究

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原子与分子物理学报 2025年 7-13页

作者：江橙橙谢泉周卢玉贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所

增加催化剂表面的活性位点一直是增加催化剂效率的一个关键目标.通过单原子催化剂（Ag@g-C3N4）实现了太阳能高效转化为化学能,其中电荷转移,光吸收都得到提升,密度泛函理论被用于证实其在光催化领域的独特优势.由于贵金属Ag单原子的引... 详细信息

增加催化剂表面的活性位点一直是增加催化剂效率的一个关键目标.通过单原子催化剂（Ag@g-C3N4）实现了太阳能高效转化为化学能,其中电荷转移,光吸收都得到提升,密度泛函理论被用于证实其在光催化领域的独特优势.由于贵金属Ag单原子的引入,VBM向下移动并超过费米能级,呈现出半金属性质,掺杂Ag单原子后的催化剂基底的电子态密度分布大幅改变,实现了基底活性位点的增加和电荷的快速分离和转移.与原始基底g-C3N4相比,新的电子态分布和杂质能级的生成导致带隙从2.77 eV缩小到2.41 eV,加速电子和空穴的转移和分离,导致光吸收范围红移,增强对红外光区域的利用.通过对比导带和价带的位置,预测了其可见光下水分解的功能,为单原子催化剂的进一步优化提供理论支持.

关键词：二维g-C N 单原子催化剂光催化水分解第一性原理

双轴应变对NbSe_(2)/MoSi_(2)N_(4)肖特基势垒的调控

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原子与分子物理学报 2025年第5期42卷 182-188页

作者：张宇哲安梦雅谢泉贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所贵阳550025

最近一种高质量的二维(Two-dimensional,2D)半导体材料MoSi_(2)N_(4)(MSN)在实验上被成功合成,具有优异的电气和机械性能.尽管最近有大量的研究致力于揭示MSN的材料特性,但到目前为止,对MSN的电接触物理特性的探索还比较少.在这项工作中... 详细信息

最近一种高质量的二维(Two-dimensional,2D)半导体材料MoSi_(2)N_(4)(MSN)在实验上被成功合成,具有优异的电气和机械性能.尽管最近有大量的研究致力于揭示MSN的材料特性,但到目前为止,对MSN的电接触物理特性的探索还比较少.在这项工作中,构建了金属-半导体NbSe_(2)/MSN肖特基结并使用第一性原理密度泛函理论计算研究了该肖特基结的材料特性.发现NbSe_(2)/MSN接触具有超低肖特基势垒高度(Schottky barrier height,SBH),这有利于纳米电子学应用.SBH可以通过施加双轴应变的方式进行有效的调控.当施加拉伸应变时能实现NbSe_(2)/MSN肖特基结由p型肖特基接触转变为p型欧姆接触,而当施加较大的压缩应变时能实现p型肖特基接触和n型肖特基接触之间的转换.我们的研究结果为MSN的2D电触点的物理特性提供了见解,并将为设计基于MSN的2D纳米器件的高性能电触点提供关键的一步.

关键词： MoSi_(2)N_(4) NbSe_(2) 肖特基结欧姆接触

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信息与通信技术推动电子商务智能物流的发展

电子商务评论 2025年第1期14卷 772-781页

作者：王梅芳张杰贵州大学大数据与信息工程学院贵州贵阳

智能物流(SL)通过利用物联网(IoT)、人工智能(AI)、区块链、云计算、5G等信息与通信技术(ICT),为电子商务提供了竞争优势。这些技术能够实现自动化、优化,并支持货物的实时追踪与监控,预测并防止延误,优化配送路线和时间表。智能物流还... 详细信息

智能物流(SL)通过利用物联网(IoT)、人工智能(AI)、区块链、云计算、5G等信息与通信技术(ICT),为电子商务提供了竞争优势。这些技术能够实现自动化、优化,并支持货物的实时追踪与监控,预测并防止延误,优化配送路线和时间表。智能物流还提供了更高的可见性和控制力,使电子商务企业能够快速、高效地应对需求或供应的变化。本研究的目的在于探讨数字化对电子商务贸易物流的影响,重点分析智能物流在电子商务行业中的重要性。我们还发现了多个研究空白和未来研究的方向,包括计算机视觉技术的使用不足、对产品质量检测和残障人士可访问性的研究需求。此外,我们建议探索深度学习在解决车辆路径问题(VRP)中的潜力,并优化传感数据量以减少数据存储和传输的成本。Smart Logistics (SL) provides competitive advantages to e-commerce by leveraging Information and Communication Technologies (ICT), such as the Internet of Things (IoT), Artificial Intelligence (AI), blockchain, cloud computing, and 5G. These technologies enable automation and optimization, support real-time tracking and monitoring of goods, predict and prevent delays, and optimize delivery routes and schedules. Smart logistics also offers greater visibility and control, allowing e-commerce companies to respond quickly and efficiently to changes in demand or supply. The purpose of this study is to explore the impact of digitization on e-commerce trade logistics, focusing on the importance of smart logistics in the e-commerce industry. We have also identified several research gaps and future research directions, including the underutilization of computer vision technologies and the need for research on product quality inspection and accessibility for people with disabilities. Furthermore, we suggest exploring the potential of deep learning in solving the Vehicle Routing Problem (VRP) and optimizing the amount of sensor data to reduce costs associated with data storage and transmission.

关键词：智能物流智能电子商务物流信息通信技术供应链人工智能云计算 5G 区块链

基于深度学习进化的超大规模业务请求与服务功能链高效匹配

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电子商务评论 2025年第1期14卷 910-918页

作者：王东博贵州大学大数据与信息工程学院贵州贵阳

随着5G技术与电子商务平台的深度融合,实现业务请求与服务功能链(SFC)之间的高效匹配,对于保障电子商务各类交易的平稳运行与顺利实施具有深远的研究意义。如何为这些多样化的业务请求匹配到满足其特定需求的SFC,已成为当前电子商务领... 详细信息

随着5G技术与电子商务平台的深度融合,实现业务请求与服务功能链(SFC)之间的高效匹配,对于保障电子商务各类交易的平稳运行与顺利实施具有深远的研究意义。如何为这些多样化的业务请求匹配到满足其特定需求的SFC,已成为当前电子商务领域亟待解决的重要问题。为应对上述挑战,本文深入剖析了电子商务业务请求与NFC的固有特征,并据此构建了两者之间的精准匹配模型。本文创新性地设计了一个基于深度学习进化的优化算法,旨在高效求解所建立的匹配模型。该算法通过巧妙引入卷积神经网络处理业务请求特征并求解适应度函数为遗传算法提供优化的搜索环境,显著提升了匹配模型的精度与效率,并有效降低了计算复杂度,从而为电子商务环境中的服务功能链匹配问题提供了一种新颖且实用的解决方案。The deep integration of 5G technology with e-commerce platforms underscores the profound research significance of achieving efficient matching between business requests and service function chains (SFC) to ensure the smooth operation and successful implementation of diverse e-commerce transactions. A pivotal challenge in the current e-commerce domain is matching these diversified business requests to SFC that meet their specific needs. To address this challenge, this paper conducts an in-depth analysis of the inherent characteristics of e-commerce business requests and SFCs, and subsequently constructs a precise matching model between them. Innovatively, we design an optimization algorithm based on deep learning evolution, tailored to efficiently solve the established matching model. By ingeniously incorporating convolutional neural networks (CNNs) to process business request features and solving the fitness function to provide an optimized search environment for the genetic algorithm, the proposed algorithm significantly enhances the accuracy and efficiency of the matching model while effectively reducing computational complexity. This paper thus presents a novel and practical solution to the problem of service function chain matching in e-commerce environments.

关键词：电子商务超大规模高效匹配深度学习遗传算法

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二维GaN中带电缺陷性质的第一性原理研究

原子与分子物理学报 2025年第4期42卷 147-155页

作者：罗子江毛淇陈志涛李改刘雪飞王继红顺德职业技术学院智能制造学院顺德528300 贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025

带电缺陷形成能与电荷转移能级对探索材料中n-type或p-type掺杂具有重要指导意义.基于第一性原理方法,本文结合二维带电缺陷校正理论,将半局域泛函电荷转移能级有效转换到杂化泛函精度,对六方二维氮化镓(Hexagonal gallium nitride,h-_(... 详细信息

带电缺陷形成能与电荷转移能级对探索材料中n-type或p-type掺杂具有重要指导意义.基于第一性原理方法,本文结合二维带电缺陷校正理论,将半局域泛函电荷转移能级有效转换到杂化泛函精度,对六方二维氮化镓(Hexagonal gallium nitride,h-_(Ga)N)12种n-type和p-type带电掺杂体系结构性质、磁学性质及缺陷性质进行系统研究.n-type体系包括C_(Ga),Si_(Ga),Ge_(Ga),O_(N),S_(N),Se_(N),p-type体系包括Be_(Ga),Mg_(Ga),Ca_(Ga),C_(N),Si_(N),Ge_(N),结果表明Ge_(Ga)和Be_(Ga)分别是n-type和p-type中最稳定缺陷.n-type体系最稳定价态为0和1+价,施主离子化能分布在低于导带底~0.4到~0.6 eV能量区间,表现为深施主能级特性,会捕获p型h-GaN中空穴,影响空穴导电率;p-type体系最稳定价态为1-,0(Ge_(N)除外),1+价,受主离子化能分布在高于价带顶~1.25到2.85 eV能量区间,表现为深受主能级特性,会捕获n(p)型h-GaN中电子(空穴),影响n(p)载流子导电率.研究结果表明,二维h-GaN体系很难通过单缺陷实现n或p-type掺杂,实验上需要考虑复合缺陷实现双极型掺杂.

关键词：二维GaN 第一性原理带电缺陷理论计算