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电化学法制备高密度导电聚吡咯的性能研究

物理学报 2007年第7期56卷 4256-4261页

作者：王杰徐友龙陈曦杜显锋李喜飞西安交通大学电信学院西安710049

系统地研究了溶剂、温度和聚合电流密度对电化学制备本征导电聚吡咯(PPy)膜密度的影响,分别用四探针法和热失重(TG)法研究了不同密度的PPy膜的电导率和热稳定性.用循环伏安法(CV)和电化学阻抗谱(EIS)法比较了不同密度的PPy膜的电化学性... 详细信息

系统地研究了溶剂、温度和聚合电流密度对电化学制备本征导电聚吡咯(PPy)膜密度的影响,分别用四探针法和热失重(TG)法研究了不同密度的PPy膜的电导率和热稳定性.用循环伏安法(CV)和电化学阻抗谱(EIS)法比较了不同密度的PPy膜的电化学性能.研究表明,在室温下,在乙氰/水(AN/H2O,99/1)溶液比在水溶液中容易得到高密度的PPy膜.高聚合电流密度(如10mA/cm2)可以进一步提高PPy膜的密度,用X射线光电子能谱(XPS)对其结构进行了分析.在AN/H2O(99/1)溶液中用小电流密度(0.1mA/cm2)聚合时,低温(-20℃)有利于提高PPy膜的密度;然而在高电流密度(10mA/cm2)时,低温(-20℃)不利于提高PPy膜的密度.高密度的PPy膜(1.42g/cm3)用电流密度10mA/cm2在0℃的AN/H2O(99/1)溶液中制得.该合成方法和常用的低温低电流密度方法制备高密度的PPy膜相比,合成时间短,条件易实现,更利于实用化.更重要的是,高密度的PPy膜不仅具有高电导率(～220S/cm)和高热稳定性,还具有低的电化学活性.因此,高密度的PPy膜不仅是一种优异的电子导电的电极材料,而且是一种潜在的优异的防腐材料.

关键词：聚吡咯膜密度电导率热稳定性

热分解氧化反应对TiO_2电容压敏电阻器性能的影响

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无机材料学报 2000年第1期15卷 93-96页

作者：罗建军方湘怡武明堂西安交通大学电信学院西安710049

研究了具有热分解氧化反应的ＣｕＯ、ＭｎＯ２等的一类氧化物对ＴｉＯ２压敏电阻器性能的影响，采用Ｃ—Ｖ分析、Ｉ—Ｖ测量和介电测量等实验手段，分析了它们的作用机理．结果发现，在晶界处发生的热分解氧化反应能增加界面态密度，提... 详细信息

研究了具有热分解氧化反应的ＣｕＯ、ＭｎＯ２等的一类氧化物对ＴｉＯ２压敏电阻器性能的影响，采用Ｃ—Ｖ分析、Ｉ—Ｖ测量和介电测量等实验手段，分析了它们的作用机理．结果发现，在晶界处发生的热分解氧化反应能增加界面态密度，提高晶界势垒高度，从而改善ＴｉＯ２电容压敏电阻器的非线性性能．

关键词：电容压敏电阻器热分解二氧化钛电阻器氧化

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一类含参数不确定性混沌系统的自适应控制

物理学报 2001年第5期50卷 847-850页

作者：李智韩崇昭西安交通大学电信学院西安710049

基于Lyaponov函数 ,对一类含参数不确定性混沌系统 ,当系统的不确定性参数具有未知界时 ,给出了自适应控制器的设计方法和构造控制器的解析式 .构造混沌控制器直接代入控制器的参数化公式即可 .方法简单 ,无需拼凑 ,能够使系统消除混沌... 详细信息

基于Lyaponov函数 ,对一类含参数不确定性混沌系统 ,当系统的不确定性参数具有未知界时 ,给出了自适应控制器的设计方法和构造控制器的解析式 .构造混沌控制器直接代入控制器的参数化公式即可 .方法简单 ,无需拼凑 ,能够使系统消除混沌并渐近稳定到任何期望的光滑轨道上 .而整个设计过程无需预先知道未知参数的估计值和精确值 .

关键词：混沌系统自适应混沌控制 Lyaponov函数参数不确定性补偿器

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分布式自动删除平均恒虚警率检测技术

自动化学报 2009年第7期35卷 903-910页

作者：刘盼芝韩崇昭西安交通大学电信学院综合所西安710049

根据自动删除平均算法提出了一种新的分布式多传感器的目标检测算法.在该方法中,首先根据自动删除平均算法(Censored cell-averaging,CCA)得到各传感器的杂波/噪声电平估计,然后将检测单元电平与得到的杂波/噪声电平估计值相比较,得到... 详细信息

根据自动删除平均算法提出了一种新的分布式多传感器的目标检测算法.在该方法中,首先根据自动删除平均算法(Censored cell-averaging,CCA)得到各传感器的杂波/噪声电平估计,然后将检测单元电平与得到的杂波/噪声电平估计值相比较,得到有无目标的局部判决,并将其传送到融合中心.融合中心采用"k/N"融合准则得到有无目标的全局判决.其中,自动删除平均算法的优势明显,它不需要干扰的先验信息,可以容纳的干扰目标数不会像顺序统计量OS(k)(Order statistics)方法那样受指定k值的限制,更接近实际.自动删除平均算法还可以检测本身可能是目标的干扰.在假定目标服从Swerling 2型起伏的情况下,导出了相应的检测概率与虚警概率解析表达式.多种检测器数值和图表分析的比较结果表明了该方法的有效性和优越性.

关键词：恒虚警率检测分布式数据融合检测器自动删除技术检测概率虚警概率分布式检测

氧化锌纳米结构的电化学控制制备及其光致发光性能

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无机材料学报 2011年第6期26卷 602-606页

作者：张雯贺永宁周成波崔吾元西安交通大学理学院西安710049 西安交通大学电信学院西安710049

利用电化学沉积法,通过调节电解液浓度、时间、温度等因素,在氧化铟锡(ITO)导电玻璃上制备了形貌不同的氧化锌(ZnO)纳米薄膜.通过X射线衍射、扫描电镜、透射电镜、光致发光谱等测试手段对不同形貌的ZnO纳米薄膜进行了表征和研究.研究表... 详细信息

利用电化学沉积法,通过调节电解液浓度、时间、温度等因素,在氧化铟锡(ITO)导电玻璃上制备了形貌不同的氧化锌(ZnO)纳米薄膜.通过X射线衍射、扫描电镜、透射电镜、光致发光谱等测试手段对不同形貌的ZnO纳米薄膜进行了表征和研究.研究表明,在高于阈值电压的情况下氧化锌薄膜迅速生成,微观形貌主要受电解质溶液的浓度影响,随着电解质浓度的升高可分别获得胞芽状、棒状、片层状结构,结合晶体生长理论探讨了不同形貌ZnO薄膜的成因.室温光致发光谱显示片状的ZnO纳米薄膜在近带边有较强的宽化激发峰,而可见区的发光峰受到明显抑制,这一结构有望应用于光电器件、传感器等领域.

关键词：氧化锌纳米结构电化学法光致发光

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工业图像中屋脊边缘多尺度检测方法

红外与毫米波学报 1998年第6期17卷 411-416页

作者：梁德群西安交通大学电子与信息工程学院图像所

针对屋脊边缘的特点，提出了一种多尺度屋脊边缘的检测方法．该方法分析了图像中屋脊边缘的可能性，并根据该可能性度量自适应调整滤波器的尺度参数．分析了对屋脊边缘进行滤波的尺度参数选取范围。

关键词：边缘检测屋脊边缘小波变换多尺度检测图像

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掺杂离子对聚吡咯膜的电化学容量性能的影响

物理化学学报 2007年第3期23卷 299-304页

作者：王杰徐友龙陈曦杜显锋李喜飞西安交通大学电信学院西安710049

用电化学方法制备了分别以对甲基苯磺酸根(TOS-),高氯酸根(ClO4-)和氯离子(Cl-)掺杂的聚吡咯(PPy)膜.用循环伏安(CV)、恒电流充放电和电化学阻抗谱(EIS)等测试了它们的电化学容量性能.用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分别研究了这三种... 详细信息

用电化学方法制备了分别以对甲基苯磺酸根(TOS-),高氯酸根(ClO4-)和氯离子(Cl-)掺杂的聚吡咯(PPy)膜.用循环伏安(CV)、恒电流充放电和电化学阻抗谱(EIS)等测试了它们的电化学容量性能.用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分别研究了这三种PPy膜的形貌和结构.研究发现,由于具有疏松多孔的形貌和更有序的分子链结构,PPy-TOS和PPy-Cl膜具有较好的充放电能力,在深度充放电时仍具有很小的电化学电阻,其离子扩散接近理想电容器的离子扩散机理.PPy-Cl(聚合电量2mAh·cm-2)的比容量在扫描速率为5mV·s-1时高达270F·g-1,扫描速率200mV·s-1时仍高达175F·g-1,特别是,其比能量高达35.3mWh·***-TOS由于有质量较大的掺杂离子(TOS-)因而比容量略低(146F·g-1,扫描速率5mV·s-1),但具有超快速充放电能力,在扫描速率为200mV·s-1时,比容量为123.6F·g-1,其比功率高达10W·g-1.并且,两种电极材料均具有稳定的电化学循环性能.

关键词：聚吡咯容量电化学聚合掺杂离子超级电容器

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基于EM的联合信道参数估计和数据检测算法

电子与信息学报 2006年第11期28卷 2130-2134页

作者：张蕊萍张太镒龚政委西安交通大学电信学院

为提高OFDM系统的传输效率,考虑正交频分复用(OFDM)系统的特殊结构,该文提出一种使用少量导频的EM(ExpectationMaximization)迭代信道参数估计算法。在每次迭代中不但更新信道冲激响应而且更新噪声方差的估计值。为进一步提高算法的收... 详细信息

为提高OFDM系统的传输效率,考虑正交频分复用(OFDM)系统的特殊结构,该文提出一种使用少量导频的EM(ExpectationMaximization)迭代信道参数估计算法。在每次迭代中不但更新信道冲激响应而且更新噪声方差的估计值。为进一步提高算法的收敛速度,提出联合信道参数估计和数据检测算法。仿真结果表明,在插入较少导频时,基于EM的信道估计算法仍能收敛到给定参数的信道,联合信道参数估计和数据检测算法迭代次数明显减少,并且保持系统的误码率性能不变。

关键词：正交频分复用相关检测信道估计 EM算法

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Si/Ge应变层超晶格的椭偏光谱

光学学报 1997年第7期17卷 870-873页

作者：张瑞智罗晋生西安交通大学电信学院

测量了几种不同组分的（Ｓｉ）Ｍ／（Ｇｅ）Ｎ应变超晶格材料的椭偏光谱（２．０～５．０ｅＶ），并得到了其介电函数谱；应用介电函数的临界点理论，研究了（Ｓｉ）Ｍ／（Ｇｅ）Ｎ应变超晶格材料的光学性质。发现短周期Ｓｉ／Ｇｅ应变... 详细信息

测量了几种不同组分的（Ｓｉ）Ｍ／（Ｇｅ）Ｎ应变超晶格材料的椭偏光谱（２．０～５．０ｅＶ），并得到了其介电函数谱；应用介电函数的临界点理论，研究了（Ｓｉ）Ｍ／（Ｇｅ）Ｎ应变超晶格材料的光学性质。发现短周期Ｓｉ／Ｇｅ应变超晶格除了具有明显的Ｅ１和Ｅ２带间跃迁外，还存在与应力和超晶格能带的折迭效应有关的跃迁峰，其能量分别位于２．３～３．０ｅＶ和３．３～４．

关键词：椭偏光谱介电函数超晶格材料半导体晶体