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铜基非晶合金板弯曲塑性及剪切带间距的研究

金属学报 2005年第10期41卷 1031-1036页

作者：江峰张志博张敬贺林孙军西安交通大学金属材料强度国家重点实验室

制备了一种压缩断裂塑性应变接近2%的铜基块状非晶板材,并利用三点弯曲实验进行了其弯曲塑性、剪切带间距与试样厚度关系的研究.结果表明:非晶合金的弯曲断裂塑性应变明显依赖于试样厚度,即弯曲断裂塑性应变随试样厚度增加呈指数衰减关... 详细信息

制备了一种压缩断裂塑性应变接近2%的铜基块状非晶板材,并利用三点弯曲实验进行了其弯曲塑性、剪切带间距与试样厚度关系的研究.结果表明:非晶合金的弯曲断裂塑性应变明显依赖于试样厚度,即弯曲断裂塑性应变随试样厚度增加呈指数衰减关系减少;弯曲时剪切带间距随试样厚度增加而线性增加;剪切带间距与试样厚度的比值对于同一非晶合金为恒定值,但随非晶合金种类的不同而变化,与非晶合金的塑性变形能力有关.

关键词：铜基块状非晶弯曲塑性剪切带间距

基于小波变换Cu-W薄膜表面形貌表征与硬度值分散性评价

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物理学报 2004年第7期53卷 2281-2286页

作者：汪渊白宣羽徐可为西安交通大学金属材料强度国家重点实验室

提出了一种基于小波变换描述薄膜表面形貌的方法 .运用离散小波变换法研究磁控溅射Cu W薄膜表面特征随溅射时间的演变 .结果表明 ,Cu W薄膜在溅射时间超过 6 0 0s时才达到稳定 .不同薄膜表面形貌的变化主要是由高频部分引起 .薄膜的粗... 详细信息

提出了一种基于小波变换描述薄膜表面形貌的方法 .运用离散小波变换法研究磁控溅射Cu W薄膜表面特征随溅射时间的演变 .结果表明 ,Cu W薄膜在溅射时间超过 6 0 0s时才达到稳定 .不同薄膜表面形貌的变化主要是由高频部分引起 .薄膜的粗糙表面会引起纳米压入硬度值的分散 ,这种分散性可用基于小波变换的薄膜表面形貌多尺度分解评价 .

关键词：铜-钨薄膜小波变换表面形貌表征硬度值纳米压入分散性

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凝胶注模工艺制备高强度多孔氮化硅陶瓷

无机材料学报 2004年第4期19卷 743-748页

作者：张雯王红洁张勇金志浩西安交通大学金属材料强度国家重点实验室西安710049

采用凝胶注模成型工艺,成功地制备了具有高强度、结构比较均匀并有较高气孔率的氮化硅多孔陶瓷。本文研究了制得的多孔氮化硅的力学性能和微观结构,并讨论了获得高性能的原因。结果表明,采用适当的成型条件可制备出结构均匀、强度高、... 详细信息

采用凝胶注模成型工艺,成功地制备了具有高强度、结构比较均匀并有较高气孔率的氮化硅多孔陶瓷。本文研究了制得的多孔氮化硅的力学性能和微观结构,并讨论了获得高性能的原因。结果表明,采用适当的成型条件可制备出结构均匀、强度高、加工性能优良的坯体,烧成的多孔氮化硅陶瓷强度均>150MPa,气孔率>50％。SEM照片显示气孔是由长柱状β-Si3N4晶搭接而成的。均匀的气孔分布和柱晶结构是获得高性能的主要原因。

关键词：凝胶注模多孔陶瓷氮化硅

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基体对硅钼薄膜结构及电学性能的影响

稀有金属材料与工程 2006年第3期35卷 408-411页

作者：信绍广徐可为陈华张茂国西安交通大学金属材料强度国家重点实验室

采用射频磁控溅射法在硅基底上制备了硅钼薄膜,并研究了不同基体对薄膜相结构、表面形貌及电学性能的影响。XRD,AFM和SEM分析结果表明,硅和石英玻璃基体上沉积的硅钼薄膜为非晶,而氧化铝基体上沉积的硅钼薄膜为多晶。四探针电阻测试结... 详细信息

采用射频磁控溅射法在硅基底上制备了硅钼薄膜,并研究了不同基体对薄膜相结构、表面形貌及电学性能的影响。XRD,AFM和SEM分析结果表明,硅和石英玻璃基体上沉积的硅钼薄膜为非晶,而氧化铝基体上沉积的硅钼薄膜为多晶。四探针电阻测试结果表明,随着退火温度的升高,硅基体和氧化铝基体上的硅钼薄膜其方阻逐渐降低,而石英玻璃基体上的硅钼薄膜其方阻却异常增大。

关键词：基体磁控溅射 MoSi2薄膜方阻

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生物形态多孔氮化钛陶瓷的碳热氮化法制备

稀有金属材料与工程 2006年第A2期35卷 133-136页

作者：罗民高积强张笑杨建峰侯广亚欧阳达金志浩西安交通大学金属材料强度国家重点实验室

研究了以生物模板(木炭)浸渍TiO2溶胶,高温碳热-氮化制备TiN陶瓷的工艺过程。应用热力学原理计算了经溶胶浸渍后形成的TiO2／C复合体系的氮化条件,确定了N2,CO分压对氮化温度的影响。采用碳热氮化法,在高浓度的氮气压力下反应烧结制备... 详细信息

研究了以生物模板(木炭)浸渍TiO2溶胶,高温碳热-氮化制备TiN陶瓷的工艺过程。应用热力学原理计算了经溶胶浸渍后形成的TiO2／C复合体系的氮化条件,确定了N2,CO分压对氮化温度的影响。采用碳热氮化法,在高浓度的氮气压力下反应烧结制备了具有生物形貌的多孔TiN／C陶瓷。结果表明:在1400℃,4 h,0．5 MPa氮气压力下,得到了具有立方晶体结构的TiN／C多孔陶瓷,并保留了木材模板的显微结构。

关键词：生物模板木材陶瓷氮化钛碳热-氮化法

第一性原理研究取代基对含能材料撞击感度的影响

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原子与分子物理学报 2025年第3期42卷 124-134页

作者：黎红艳卢妹包恃缘刘福生刘正堂白志鑫刘其军西南交通大学物理科学与技术学院成都610031 西北工业大学凝固技术国家重点实验室西安710072

取代基的种类和位置会影响含能材料的分子结构和化学键强度,从而对其撞击感度产生影响.本文基于第一性原理计算方法分析了氨基基团和甲基基团对三硝基苯类含能材料撞击感度的影响.根据计算得到的弹性常数,通过Voigt-Reuss-Hill平均法计... 详细信息

取代基的种类和位置会影响含能材料的分子结构和化学键强度,从而对其撞击感度产生影响.本文基于第一性原理计算方法分析了氨基基团和甲基基团对三硝基苯类含能材料撞击感度的影响.根据计算得到的弹性常数,通过Voigt-Reuss-Hill平均法计算得到了几种含能材料的体积模量B、剪切模量G、杨氏模量E和泊松比v.接着,尝试通过分析氨基和甲基取代基的种类和数量对力学参数、能带结构、态密度等性质的影响.在一定程度下,氨基个数与撞击感度之间呈负相关,与禁带宽度呈正相关,可以通过比较带隙值来判断一组含氨基的多硝基芳烃材料的撞击感度大小关系.相较于氨基,甲基数量与力学性能的相关性较氨基取代基更好,甲基数量变化对材料的总态密度能量影响更大;甲基数量与材料的撞击感度之间没有相关性但与禁带宽度呈负相关,无法通过带隙值的大小来确定一组含甲基的硝基芳烃类含能材料的撞击感度大小关系.

关键词：含能材料撞击感度取代基力学性质电子性质

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反应磁控溅射MgO薄膜溅射模式的分形维表征

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金属学报 2003年第10期39卷 1051-1054页

作者：汪渊徐可为西安交通大学金属材料强度国家重点实验室

用反应磁控溅射的方法制备了MgO薄膜.基于原子力显微镜观测,并借助Fourier变换,计算了薄膜表面形貌的分形维数.发现分形维数变化对应于薄膜溅射模式的变化,二者之间有相关性.氧分压30％的分形维数是一个临界点.分形维数若发生明显跌落,... 详细信息

用反应磁控溅射的方法制备了MgO薄膜.基于原子力显微镜观测,并借助Fourier变换,计算了薄膜表面形貌的分形维数.发现分形维数变化对应于薄膜溅射模式的变化,二者之间有相关性.氧分压30％的分形维数是一个临界点.分形维数若发生明显跌落,意味着溅射模式发生变化.界于临界值两侧的分形维数,分别对应两种截然不同的溅射模式.与临界值对应的溅射状态则处于金属模式和氧化物模式的混和状态.

关键词：反应溅射 MgO薄膜分形维溅射模式

TiC-Ti复合材料自蔓延高温合成中的组织转变

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稀有金属材料与工程 2005年第10期34卷 1592-1596页

作者：肖国庆范群成顾美转金志浩西安交通大学金属材料强度国家重点实验室

用燃烧波淬熄法研究了TiC-Ti金属陶瓷自蔓延高温合成(SHS法)中的组织转变和反应机理。淬熄试样中保留了未反应区、反应区及已反应区。用扫描电子显微镜观察了燃烧反应中的显微组织转变过程,用能谱仪分析了各微区的成分变化,测量了燃烧温... 详细信息

用燃烧波淬熄法研究了TiC-Ti金属陶瓷自蔓延高温合成(SHS法)中的组织转变和反应机理。淬熄试样中保留了未反应区、反应区及已反应区。用扫描电子显微镜观察了燃烧反应中的显微组织转变过程,用能谱仪分析了各微区的成分变化,测量了燃烧温度Tc,并用XRD分析了反应产物的相组成。实验结果表明:TiC-Ti复合材料的自蔓延高温合成机理可以用溶解-析出机制来描述;Ti首先部分熔化,C溶解在Ti液中,并和Ti发生反应生成TiCx,随着温度的升高,TiCx熔化,形成Ti-C熔体,在降温过程中,细小的TiC大量从Ti-C熔体中析出并聚集,最终形成TiC增强Ti基复合材料。

关键词： TiC-Ti 复合材料自蔓延高温合成组织转变

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碳族单质超导性的第一性原理研究

原子与分子物理学报 2025年第4期42卷 87-92页

作者：韩沛辰林永熠郑磊刘其军刘正堂高娟西南交通大学物理科学与技术学院成都610031 西北工业大学凝固技术国家重点实验室西安710072

同为第四主族的元素,碳、硅、锗、锡、铅具有相似的价电子排布,但超导性却并不相同.锡和铅在常压下即可实现超导,硅和锗则需要在高压下才具有超导性,而碳的常规晶体结构在常压和高压下均尚未发现其超导性.压力在很大程度上是通过改变晶... 详细信息

同为第四主族的元素,碳、硅、锗、锡、铅具有相似的价电子排布,但超导性却并不相同.锡和铅在常压下即可实现超导,硅和锗则需要在高压下才具有超导性,而碳的常规晶体结构在常压和高压下均尚未发现其超导性.压力在很大程度上是通过改变晶体结构和原子之间的位置进而影响其超导性,本论文基于密度泛函理论的第一性原理计算,对碳、硅、锗、锡、铅五种第四主族元素的单质的晶体结构、电子结构、声子性质以及超导性质进行系统地对比分析.计算结果表明费米能级附近的电子态密度越高,金属体系实现超导所需的压力越小.在具有金属性的体系中价带靠近费米能级处带隙的存在会使电子更容易局域在费米能级附近,从而增大费米能级附近电子态的数目并提高体系的超导性.此研究为探究超导机制并提高材料的超导性提供思路.

关键词：超导性第一性原理计算碳族元素电子结构