检索结果-南通市图书馆

中国集成电路 2006年第6期15卷 50-54页

作者：莱迪思半导体公司莱迪思半导体公司

存储器综述在过去数年里,电子市场,确切地说是存储器市场,经历了巨大的变化.在2000年电子工业低迷时期之前,电子系统设计师很少考虑他们下一个设计中元器件的成本,而更关注它们能够达到的最高性能.

关键词：存储器对齐存贮器计算机 DDR 数据窗口接口设计

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用复位发生器和电压监控器来避免故障

电子产品世界 2008年第5期15卷 119-121页

作者：莱迪思半导体公司莱迪思半导体公司

介绍用可编程电源管理器件,莱迪思公司的POWR607对电压进行监控,产生复位信号的解决方案。POWR607是在系统可编程器件,配置存储在片上E2CMOS存储器中。

关键词：在系统可编程 POWR607 可编程电源管理器件

存储器类型综述及DDR接口设计的实现(下)

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中国集成电路 2006年第7期15卷 61-64页

作者：莱迪思半导体公司莱迪思半导体公司

用FPGA器件实现DDR存储器接口现在我们已经详细说明了一个典型的DDR接口的要求,我们能够转而在一个FPGA中实现这一DDR存储器接口了.

关键词：存储器接口接口设计 DDR FPGA器件类型

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USB Type-C解析

今日电子 2016年第1期 38-40页

作者：莱迪思半导体公司莱迪思半导体公司

本文将为您简要介绍一下USB Type-C。它有5项主要特性使USB Type-C成为灵活、可扩展的接口。主要特性1供电USB Type-C接口默认的5V供电向后兼容之前的USB接口。不仅如此,全新的USB Type-C接口包含4个引脚分别专门用于供电和接地。“USB... 详细信息

本文将为您简要介绍一下USB Type-C。它有5项主要特性使USB Type-C成为灵活、可扩展的接口。主要特性1供电USB Type-C接口默认的5V供电向后兼容之前的USB接口。不仅如此,全新的USB Type-C接口包含4个引脚分别专门用于供电和接地。“USB供电规范（USB Power Delivery Specification）”可使USB Type-C接口最高可支持20V的电压以及5A的电流。

关键词：接口包可扩展的音频信号替代模式 USB Type-C 接口传输外部设备集成功能非结构化使用支持

使用低成本FPGA巧妙地扩展微处理器的连接

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世界电子元器件 2014年第3期 33-34页

作者：莱迪思半导体公司莱迪思半导体公司

在现代电子系统设计中，微处理器是不可缺少的一个部件。然而，随着系统变得越来越复杂，拥有更广泛的功能和用户接口时，

关键词：微处理器低成本电子系统设计连接用户接口

在奔跑中前进,绽放“芯”力量——访合肥中恒微半导体有限公司创始人、董事长袁磊

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变频器世界 2024年第6期27卷 9-12页

作者：袁磊合肥中恒微半导体有限公司

忙。这是合肥中恒微半导体有限公司(以下简称中恒微)创始人、董事长袁磊的工作常态。早上八点,袁磊已经开启了一天的工作模式,他忙着抓技术,忙着抓管理,忙着出差,忙着参加会议,更多的是忙着思考以及对公司发展的不断复盘。而在袁磊的带... 详细信息

忙。这是合肥中恒微半导体有限公司(以下简称中恒微)创始人、董事长袁磊的工作常态。早上八点,袁磊已经开启了一天的工作模式,他忙着抓技术,忙着抓管理,忙着出差,忙着参加会议,更多的是忙着思考以及对公司发展的不断复盘。而在袁磊的带领下,这家自2018年成立以来就一直专注于IGBT的芯片技术以及模块封装测试技术上的持续研究及创新的公司,已经走在大多数人的前面,但它仍然在规划自己的每一步,并朝着最后的目标进发。

关键词：袁磊模块封装芯片技术半导体董事长创始人合肥

苏州新施诺:顺时聚势,成为全球领先的AMHS解决方案提供商——访苏州新施诺半导体设备有限公司总经理王宏玉

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物流技术与应用 2024年第5期29卷 94-97页

作者：江宏王宏玉不详苏州新施诺半导体设备有限公司

苏州新施诺公司以“成为全球AMHS技术第一”为愿景,依托韩国Synus Tech公司与新松机器人公司在洁净物流系统领域的核心技术,通过国内外协同研发及供应链整合,不断升级AMHS系统解决方案,为客户提供稳定可靠高效的洁净物流系统设备与控制... 详细信息

苏州新施诺公司以“成为全球AMHS技术第一”为愿景,依托韩国Synus Tech公司与新松机器人公司在洁净物流系统领域的核心技术,通过国内外协同研发及供应链整合,不断升级AMHS系统解决方案,为客户提供稳定可靠高效的洁净物流系统设备与控制软件,以及优质快捷的服务,助力中国半导体行业发展。

关键词：供应链整合物流系统半导体设备半导体行业控制软件访苏州提供商协同研发

界面工程调控石墨烯/氮化镓紫外光电探测性能研究(特邀)

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激光与光电子学进展 2024年第3期61卷 1-6页

作者：高芳亮陈坤刘青王幸福杨纪锐徐明俊贺宇浩石宇豪许腾文阳志超李述体华南师范大学半导体科学与技术学院广东广州510631 东莞南方半导体科技有限公司广东东莞523781

界面工程是提高光电探测器性能的有效方法之一。报道了基于界面工程调控的石墨烯(Gr,2D)/GaN(3D)范德瓦耳斯异质结紫外光电探测器。GaN吸收光子产生电子空穴对,并在内建电场作用下发生分离。其中,光生空穴利用隧穿效应向Gr一侧迁移,而... 详细信息

界面工程是提高光电探测器性能的有效方法之一。报道了基于界面工程调控的石墨烯(Gr,2D)/GaN(3D)范德瓦耳斯异质结紫外光电探测器。GaN吸收光子产生电子空穴对,并在内建电场作用下发生分离。其中,光生空穴利用隧穿效应向Gr一侧迁移,而光生电子向GaN一侧迁移。在较高的电场驱动下,载流子将发生碰撞,造成光电流倍增,使得器件的光吸收效率与光电转化效率有明显提升。因此,器件在-2 V偏压条件和5μW/cm^(2)紫外光照射下,展示出较高的响应度(395.2 A/W)和较大的探测率(4.425×10^(15)Jones)值。该研究丰富了界面工程技术在Gr基紫外光电探测器的应用,为制备高性能紫外探测器提供了可能。

关键词：氮化镓二维/三维金属有机化学气相沉积紫外探测器

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碳化硅同质外延质量影响因素的分析与综述

人工晶体学报 2024年第2期53卷 210-217页

作者：郭钰刘春俊张新河沈鹏远张博娄艳芳彭同华杨建北京天科合达半导体股份有限公司北京102600 深圳市重投天科半导体有限公司深圳518108

碳化硅(SiC)外延质量会直接影响器件的性能和使用寿命,在SiC器件应用中起到关键作用。SiC外延质量一方面受衬底质量的影响,例如衬底的堆垛层错(SF)会贯穿到外延层中形成条状层错(BSF),螺位错(TSD)会贯穿到外延层中形成坑点或Frank型层错... 详细信息

碳化硅(SiC)外延质量会直接影响器件的性能和使用寿命,在SiC器件应用中起到关键作用。SiC外延质量一方面受衬底质量的影响,例如衬底的堆垛层错(SF)会贯穿到外延层中形成条状层错(BSF),螺位错(TSD)会贯穿到外延层中形成坑点或Frank型层错(Frank SF)等。另一方面受到外延工艺的影响,如在外延过程中衬底的基平面位错(BPD)受应力等条件作用会滑移形成Σ形基平面位错(Σ-BPD),衬底的TSD或刃位错(TED)会衍生为腐蚀坑(Pits),以及新产生SF和硅滴等。因此,获得高质量的SiC外延晶片需要从优选SiC衬底和优化外延工艺两方面入手。本文对外延生长过程中晶体缺陷如何转化并影响器件性能进行了系统分析和综述,并基于北京天科合达半导体股份有限公司量产的高质量6英寸SiC衬底,探讨了常见缺陷,如BPD、层错、硅滴和Pits等的形成机理及其控制技术,并对Σ-BPD的产生机理和消除方法进行研究,最终获得了片内厚度和浓度均匀性良好、缺陷密度低的外延产品,完成了650和1 200 V外延片产品的开发和产业化工作。

关键词：碳化硅同质外延外延生长缺陷位错小坑

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1700 V精细沟槽栅IGBT器件设计

半导体技术 2024年第4期49卷 310-315,329页

作者：郑婷婷南京南瑞半导体有限公司南京211100

为了改善绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件关断损耗和导通压降之间的折中关系,同时降低器件制造成本,基于1 700 V电压平台设计了一种采用精细沟槽栅结构的IGBT。采用TCAD软件进行仿真,研究衬底电阻率、衬底厚度、沟槽栅深度、沟槽栅宽度、... 详细信息

为了改善绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件关断损耗和导通压降之间的折中关系,同时降低器件制造成本,基于1 700 V电压平台设计了一种采用精细沟槽栅结构的IGBT。采用TCAD软件进行仿真,研究衬底电阻率、衬底厚度、沟槽栅深度、沟槽栅宽度、载流子存储层注入剂量、沟槽栅元胞结构等因素对精细沟槽栅IGBT器件性能参数的影响,确定了最优工艺参数,并对1 700 V精细沟槽栅IGBT芯片进行流片和封装。测试结果显示,相比普通沟槽栅IGBT模块,1 700 V精细沟槽栅IGBT模块在芯片面积减小34.2%的情况下,关断损耗降低了8.6%,导通压降仅升高5.5%,器件性价比得到了优化。

关键词：精细沟槽栅结构绝缘栅双极型晶体管(IGBT) TCAD仿真元胞结构器件性价比