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电子技术应用 2006年第12期32卷 140-140页

近日，美国国家半导体公司（National Semiconductor Corporation）（美国纽约证券交易所上市代号：NSM）宣布最新推出一款单声道2、65WD类（Class D）Boomer音频放大器可将电磁干扰大幅减少，比美国联邦电信委员会（FCC）规定的最低标... 详细信息

近日，美国国家半导体公司（National Semiconductor Corporation）（美国纽约证券交易所上市代号：NSM）宣布最新推出一款单声道2、65WD类（Class D）Boomer音频放大器可将电磁干扰大幅减少，比美国联邦电信委员会（FCC）规定的最低标准还低11dB以上。采用此款音频放大器的移动电话、智能电话、音乐播放机、笔记本电脑、DVD播放机、电子游戏机以及其他便携式电子产品等能进一步减少系统噪声。

关键词：美国国家半导体公司音频放大器电磁干扰 Boomer Semiconductor D类便携式电子产品 DVD播放机

信息时代引导信息电器——访美国国家半导体公司总裁布莱恩·赫拉

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互联网周刊 1999年第12期 36-37页

作者：胡泳布莱恩.赫拉美国国家半导体公司

国家半导体公司(National Semiconductor)并不耀眼,它是美国第六大半导体公司、第三大微处理器生产厂商。但它所实施的产品策略却非常前卫:它倡导的“单芯片系统”积数年之功,已初显峥嵘;它率先尝试“信息电器”理念,以满足信息时代信... 详细信息

国家半导体公司(National Semiconductor)并不耀眼,它是美国第六大半导体公司、第三大微处理器生产厂商。但它所实施的产品策略却非常前卫:它倡导的“单芯片系统”积数年之功,已初显峥嵘;它率先尝试“信息电器”理念,以满足信息时代信息无所不在的需求。公司策略的背后是它的领军人物布莱恩·赫拉,人称“宁愿充当信息时代的前锋而不是见机行事的后卫”。赫拉1996年5月由LSI逻辑公司加入国家半导体公司,他在LSI逻辑公司担任副总裁,负责产品部,此前担任英特尔公司微机事业部市场总监。在国家半导体公司,赫拉通过一系列的购并和出售活动为他构想的单芯片系统奠定了坚实的基础,公司的重点不再是传统的模拟芯片及混和信号芯片业务,而是与互联网应用相配套的单芯片PC。 3月24日,赫拉在担任国家半导体公司总裁以来第一次访华,并在Comdex/China′99上发表了“中国:21世纪潮流领导者”的主题演讲,一方面阐述了信息电器将在人们生活中所起的重要作用,另一方面也提出了中国将成为21世纪新技术和应用的潮流领导者的观点。我在他下榻的凯宾斯基饭店采访了他,在座的还有国家半导体公司中国区业务总经理兼亚洲区信息电器事业部总监李彬先生。

关键词：信息电器半导体信息时代领导者单芯片系统微处理器英特尔计算机时代系统公司潮流

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美国国家半导体公司全面应用IFS

CAD/CAM与制造业信息化 2004年第9期 27-28页

作者： IFS公司 IFS公司

一、公司介绍美国国家半导体公司(简称NS)的总部位于加利福尼亚州的圣克拉(Santa Clara),其致力于推动信息时代的发展--公司将真实世界的模拟技术和完美工艺的数字技术相结合,专注基于模拟技术的半导体产品,包括电源管理、图像技术、显... 详细信息

一、公司介绍美国国家半导体公司(简称NS)的总部位于加利福尼亚州的圣克拉(Santa Clara),其致力于推动信息时代的发展--公司将真实世界的模拟技术和完美工艺的数字技术相结合,专注基于模拟技术的半导体产品,包括电源管理、图像技术、显示驱动器、音频、放大器和数据转换等领域的独立元件和子系统.公司关键的目标市场包括无线应用、显示器、PC、网络和各种便携式应用.作为业界模拟技术的翘楚,公司最近财年的销售额为16.7亿美元.

关键词：美国国家半导体公司专注半导体产品目标市场总部模拟技术世界放大器音频电源管理

美国国家半导体公司推出全新高速低耗数据采集系统(DAS)

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今日电子 1993年第2期 47-47页

美国国家半导体公司最近推出目前最快速的单片12位数据采集系统(DAS)电路,LM12H454及LM12H458,使其采集系统产品阵容更加充实。两者分别为四输入和八输入通道的电路,具有高速(吞吐量140KSPS)

关键词：数据采集系统 DAS 输入通道最大功耗产品阵容晨兴

磷化铟基高电子迁移率晶体管辐照效应研究现状

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核技术 2025年第1期48卷 27-41页

作者：方仁凤周书星曹文彧魏彦锋汪竞阳李树森颜家圣梁桂杰湖北文理学院低维光电材料与器件湖北省重点实验室襄阳441053 湖北台基半导体股份有限公司大功率半导体技术湖北省重点实验室襄阳441021

磷化铟(InP)基高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)凭借高频、高增益、低噪声等特性,广泛应用于卫星、载人航天、深空探测等空间通信系统中,但空间环境中的电子、质子、中子等高能粒子会影响InP基HEMT性能,降... 详细信息

磷化铟(InP)基高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)凭借高频、高增益、低噪声等特性,广泛应用于卫星、载人航天、深空探测等空间通信系统中,但空间环境中的电子、质子、中子等高能粒子会影响InP基HEMT性能,降低空间通信系统的可靠性。该文主要论述高能粒子辐射诱导缺陷对InP基HEMT器件直流(Direct Current,DC)特性、射频(Radio Frequency,RF)特性、跨导和扭结效应(Kink effect)的影响和退化机理,接着总结并分析了InP基HEMT抗辐射加固措施方面的研究进展。通过系统总结国内外InP基HEMT辐照效应研究进展,以期为研究InP基HEMT辐照效应损伤机制以及改进其抗辐射加固技术提供有价值的参考。最后,基于目前InP基HEMT辐照效应研究中仍存在的问题,提出了该器件抗辐射加固未来可重点关注的研究方向。

关键词：磷化铟高电子迁移率晶体管辐照效应辐射诱导缺陷抗辐射加固

重置风险空间：防范化解生成式人工智能技术风险的认识论研析

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自然辩证法通讯 2025年第2期 100-107页

作者：范毅强赵瑞南华大学哲学研究所超威半导体加拿大分公司Markham实验室

在农耕文明、工业文明之后，人类已进入信息文明时代。近年，以生成式人工智能(Generative AI)为代表的AI技术触发了新一轮科技革命。本文以技术为视角，在回望GAI技术演化的基础上，发现其技术组织形态包含了多种特征，以结构内嵌与自... 详细信息

在农耕文明、工业文明之后，人类已进入信息文明时代。近年，以生成式人工智能(Generative AI)为代表的AI技术触发了新一轮科技革命。本文以技术为视角，在回望GAI技术演化的基础上，发现其技术组织形态包含了多种特征，以结构内嵌与自相似性最为显著，且形成了以Transformer模型为基础的“分形”趋势。基于此，文章从GAI技术风险的逻辑起点出发，还原了技术风险的本质，完成了技术风险的内部证成，澄清了衍生于技术内部的错配、异步和错位风险。并在社会认识论基础上提出了以“重构风险空间”为目标的风险治理对策，防范化解GAI技术风险的生成、叠加与共振。

关键词：生成式人工智能技术风险社会认识论风险治理

锑化物半导体材料及其分子束外延生长研究进展

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半导体技术 2025年

作者：胡德鹏王红真路云峰贺训军哈尔滨理工大学电气与电子工程学院苏州信越半导体有限公司

锑化物半导体的带隙能量覆盖了整个红外区域，为开展材料的能带工程提供了很大的自由度和灵活性。分子束外延（MBE）是一种在超高真空环境下能够高度可控的生长高纯化合物薄膜材料的技术，在III-V族化合物半导体尤其是锑化物半导体材料... 详细信息

锑化物半导体的带隙能量覆盖了整个红外区域，为开展材料的能带工程提供了很大的自由度和灵活性。分子束外延（MBE）是一种在超高真空环境下能够高度可控的生长高纯化合物薄膜材料的技术，在III-V族化合物半导体尤其是锑化物半导体材料生长中得到了广泛应用。通过对锑化物半导体材料的特性、实际应用的探讨，着重介绍了分子束外延技术在锑化物生长领域的最新研究进展。首先，阐述了二元、三元和四元锑化物半导体材料的物理特性；其次，总结了相关的红外探测器、激光器和热光伏电池等器件在低暗电流和高工作温度等研究方向的进展；最后，针对锑化物半导体的MBE生长工艺和过程中存在的问题，总结了一些切实可行的解决方案，并且展望了未来锑化物半导体材料分子束外延的发展趋势。

关键词：锑化物半导体分子束外延能带结构生长工艺

锑化物半导体材料及其分子束外延生长研究进展

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半导体技术 2025年第03期 229-240页

作者：胡德鹏王红真路云峰贺训军哈尔滨理工大学电气与电子工程学院苏州信越半导体有限公司

锑化物半导体的带隙能量覆盖了整个红外区域，为开展材料的能带工程提供了很大的自由度和灵活性。分子束外延(MBE)是一种在超高真空环境下能够高度可控地生长高纯化合物薄膜材料的技术，在III-V族化合物半导体尤其是锑化物半导体材料生... 详细信息

锑化物半导体的带隙能量覆盖了整个红外区域，为开展材料的能带工程提供了很大的自由度和灵活性。分子束外延(MBE)是一种在超高真空环境下能够高度可控地生长高纯化合物薄膜材料的技术，在III-V族化合物半导体尤其是锑化物半导体材料生长中得到了广泛应用。通过对锑化物半导体材料的特性、实际应用的探讨，着重介绍了分子束外延技术在锑化物生长领域的最新研究进展。首先，阐述了二元、三元和四元锑化物半导体材料的物理特性；其次，总结了相关的红外探测器、激光器和热光伏电池等器件在低暗电流和高工作温度等研究方向的进展；最后，针对锑化物半导体的MBE生长工艺和过程中存在的问题，总结了一些切实可行的解决方案，并且展望了未来锑化物半导体材料分子束外延的发展趋势。

关键词：锑化物半导体分子束外延(MBE) 能带结构生长工艺

三星电子LCD成功的背后——记美国国家半导体与三星电子的成功合作

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电子产品世界 2003年第09B期10卷 26-28页