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449 篇 医学
- 189 篇 临床医学
- 103 篇 基础医学(可授医学...
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- 45 篇 公共卫生与预防医...
- 43 篇 中西医结合
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320 篇 教育学
- 286 篇 教育学
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210 篇 理学
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- 35 篇 管理科学与工程(可...
59 篇 农学
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32 篇 历史学
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主题

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15 篇 创新
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14 篇 性能
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38 篇 四川文理学院
30 篇 浙江科技学院
27 篇 浙江省绍兴文理学...
27 篇 中国科学院高能物...
26 篇 浙江绍兴文理学院
26 篇 绍兴市人民医院
26 篇 江南大学
26 篇 东华大学
24 篇 宁波大学
24 篇 浙江理工大学
23 篇 绍兴文理学院医学...
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21 篇 河海大学

作者

54 篇 刘学红
47 篇 邹专勇
38 篇 张金萍
37 篇 洪剑寒
36 篇 刘文庆
34 篇 张泳
32 篇 占海华
29 篇 伍法权
27 篇 钱红飞
26 篇 王宝义
26 篇 何智海
26 篇 王伟
25 篇 魏龙
25 篇 方晟
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用符合多普勒展宽谱(CDB)研究不锈钢中氢与缺陷的相互作用

用符合多普勒展宽谱(CDB)研究不锈钢中氢与缺陷的相互作用

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第九届全国正电子谱学会议

作者：陈叶清吴奕初徐晟王柱武汉大学物理科学与技术学院

本文采用正电子湮没寿命谱(PALS),符合多普勒展宽谱(CDB)等方法研究了AISI304不锈钢中氢与缺陷的相互作用。PALS实验结果表明:氢致缺陷尺寸随充氢电流密度的增大而变大,缺陷数量随充氢电流密度的增大而增多。进一步地,通过比较CDB实验... 详细信息

本文采用正电子湮没寿命谱(PALS),符合多普勒展宽谱(CDB)等方法研究了AISI304不锈钢中氢与缺陷的相互作用。PALS实验结果表明:氢致缺陷尺寸随充氢电流密度的增大而变大,缺陷数量随充氢电流密度的增大而增多。进一步地,通过比较CDB实验的商谱曲线,发现在电解充氢后,高动量区出现了明显的特征峰,且峰位不随充氢条件改变;这表明氢可能会与空位发生相互作用,氢进入样品内部以后,可以作为聚集空位的核心而形成空位团,即形成氢与缺陷的复合体,导致缺陷化学环境的变化。原子力显微镜(AFM)观察证实随着充氢电流密度的增大,充氢时间的增多,样品表面的氢损伤越明显;充氢可能导致样品近表面大量微空洞的产生。

关键词：正电子湮没符合多普勒展宽谱氢缺陷不锈钢

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EVA/累托石纳米复合材料的制备及微结构的研究

EVA/累托石纳米复合材料的制备及微结构的研究

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第九届全国正电子谱学会议

作者：陈喆方鹏飞张少平王少阶武汉大学物理科学与技术学院

高分子/层状硅酸盐(PLS)纳米复合材料与传统填充聚合物相比,不仅改善了高分子基体的机械性能,还具有气体阻隔、耐热、阻燃等潜在的特性。EVA是乙烯/醋酸乙烯共聚物的简称,具有耐冲击性、颜填料相容性、耐环境应力开裂性和良好的光学性...

高分子/层状硅酸盐(PLS)纳米复合材料与传统填充聚合物相比,不仅改善了高分子基体的机械性能,还具有气体阻隔、耐热、阻燃等潜在的特性。EVA是乙烯/醋酸乙烯共聚物的简称,具有耐冲击性、颜填料相容性、耐环境应力开裂性和良好的光学性能、耐低温及无毒的特性,应用于建材、电气配件、电缆绝缘材料和日用品等领域,但也具有易燃并产生有毒烟雾等缺点,因此人们希望通过制备PLS纳米复合材料来改善其综合性能。累托石是一种典型的层状硅酸盐,其层间距在2个纳米左右。本文利用熔融共混的方法制备EVA/累托石纳米复合材料,同时应用正电子湮没谱学的方法对EVA/累托石纳米复合材料进行了

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高分子材料正电子谱学的研究进展

高分子材料正电子谱学的研究进展

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第九届全国正电子谱学会议

作者：王波祁宁王志奋王少阶武汉大学物理科学与技术学院

随着材料科学的发展,高分子材料的应用日益广泛,其发展速度之快,种类之多,(共混、共聚、纳米复合材料)均相与多相等功能材料(结构材料、功能材料)已成为当今材料科学研究的热点之一。众所周知,高分子材料的微观结构对材料的宏观物理化... 详细信息

随着材料科学的发展,高分子材料的应用日益广泛,其发展速度之快,种类之多,(共混、共聚、纳米复合材料)均相与多相等功能材料(结构材料、功能材料)已成为当今材料科学研究的热点之一。众所周知,高分子材料的微观结构对材料的宏观物理化学性能有重要影响,材料的微结构研究也是实现材料的分子设计之必需。大量研究表明,高分子材料中存在大量没有被分子链占住的体积一自由体积空间。从结构上看,它是高聚物中分子链向无规分布的空穴:从分子运动的角度看,它是分子链做运动所需的空间。它与高分子材料的输运性质密切相关。基于自由体积概念而建立的自由体积理论已成功地解释了高分子材料的粘滞状、粘弹性,玻璃化转变、时温等效原理及驰豫现象。尽管有多种方法来研究自由体积特性,但因其受到各种限制,使得自由体积探测极为困难。武汉大学从90年代初开始高聚物正电子谱学研究。十多年来,我们利用正电子湮没技

关键词：高分子材料正电子谱学纳米复合材料微结构自由体积空间

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电子辐照在研究半导体材料微结构中的应用

电子辐照在研究半导体材料微结构中的应用

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第九届全国正电子谱学会议

作者：邵云东王柱苏本法武汉大学物理科学与技术学院

电子辐照在研究半导体材料微结构和半导体器件制造中是一种非常重要的技术。电子辐照可在半导体材料中引入深能级,从而改变少子寿命。电子辐照在这方面的已有广泛应用。快速可控硅可在较高频率下工作,在逆变变频、节能和脉冲电路中具有...

电子辐照在研究半导体材料微结构和半导体器件制造中是一种非常重要的技术。电子辐照可在半导体材料中引入深能级,从而改变少子寿命。电子辐照在这方面的已有广泛应用。快速可控硅可在较高频率下工作,在逆变变频、节能和脉冲电路中具有广泛的应用。采用扩金工艺来调节器件的少子寿命是传统的做法,与之相比,用电子辐照来控制器件的少子寿命从而控制其关断时间和通态压降具有非常明显的优势。用电子辐照技术,产品一致性、重复性好,成品率高:辐照

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用符合多普勒展宽谱研究Y型沸石中CdSe纳米团簇

用符合多普勒展宽谱研究Y型沸石中CdSe纳米团簇

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第九届全国正电子谱学会议

作者：马莉黄长虹王少阶武汉大学物理科学与技术学院

沸石分子筛是一种具有规则纳米孔洞的硅酸盐材料,利用它们的规则孔洞作为反应器,可以制备出具有均匀性、单相性和稳定性好的半导体纳米团簇,并可以形成高密度的三维量子超晶格结构。这种制备团簇的方法简便、成本低、实验条件易控制,团...

沸石分子筛是一种具有规则纳米孔洞的硅酸盐材料,利用它们的规则孔洞作为反应器,可以制备出具有均匀性、单相性和稳定性好的半导体纳米团簇,并可以形成高密度的三维量子超晶格结构。这种制备团簇的方法简便、成本低、实验条件易控制,团簇的构型、尺寸和光学性质可调,有着广泛的潜在应用前景。我们用正电子寿命谱对沸石分子筛的结构进行了研究,证明了Ps原子可以探测沸石笼内体积的大小,并且对笼内表面的化学状态非常敏感。又在Y型沸石分子筛中组装了CdSe半导体纳米团簇,利用正电子湮没寿命谱和高分辨率透射电镜研究了其生长、分布和形貌结构,图1为Y型沸石分子筛中组装CdSe团簇的透射电镜高倍像。

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基于捕获的新型正电子束及应用展望

基于捕获的新型正电子束及应用展望

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第九届全国正电子谱学会议

作者：吴奕初王波王少阶武汉大学物理科学与技术学院

慢正电子束源在各种科学和技术领域具有广泛应用,包括原子物理研究,等离子体物理,天体物理模拟,质谱学,反氢原子生产和材料科学。特别是目前在材料科学研究中,慢正电子束技术已成为研究材料表面、界面的微结构和缺陷的灵敏探针之一,相...

慢正电子束源在各种科学和技术领域具有广泛应用,包括原子物理研究,等离子体物理,天体物理模拟,质谱学,反氢原子生产和材料科学。特别是目前在材料科学研究中,慢正电子束技术已成为研究材料表面、界面的微结构和缺陷的灵敏探针之一,相关的技术可能发展成商用产品。目前的正电子束主要依赖于传统的电子束技术(包括高强度脉冲LINAC束或22Na放射源),现已达到发展的顶峰。正电子捕获阱提供了另一种束形成的方法,该方法不仅具有自己独特的、唯一的能力,而且可更有效使用稀有的正电子资源。本文首先介绍正电子的捕获、冷却和压缩技术及基于捕获的正电子束形成技术,包括产生冷束,正电子能量为25meV(室温),甚至更低;采用简单方法产生脉冲束;采用旋转磁场对正电子实现径向压缩,导致亮度增强,产生微束和具有广泛应用潜力的巨大脉冲。然后

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用正电子湮没技术研究半导体材料GaSb的微结构

用正电子湮没技术研究半导体材料GaSb的微结构

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第九届全国正电子谱学会议

作者：邵云东王柱武汉大学物理科学与技术学院

GaSb是一种新兴的半导体光电材料,它有禁带宽度窄的特点,可以用来制作长波长发光器件及其衬底,在制作太阳能电池方面也有着非常广阔的前景。GaSb体材料中的缺陷种类多而且复杂,许多研究者都怀疑原生GaSb呈P型的原因就是其体材料中的某...

GaSb是一种新兴的半导体光电材料,它有禁带宽度窄的特点,可以用来制作长波长发光器件及其衬底,在制作太阳能电池方面也有着非常广阔的前景。GaSb体材料中的缺陷种类多而且复杂,许多研究者都怀疑原生GaSb呈P型的原因就是其体材料中的某种缺陷或者多种缺陷相互作用的综合效果。正电子湮没技术非常适合于研究半导体材料中的缺陷。许多研究者已经在用正电子湮没技术研究GaSh缺陷方面开展了很多工作,本文将综合讨论GaSb中的缺陷及正电子湮没技术在这方面的应用。

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不同表面粗糙度GaAs的正电子寿命谱研究

不同表面粗糙度GaAs的正电子寿命谱研究

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第九届全国正电子谱学会议

作者：王柱郑子尧武汉大学物理科学与技术学院

面积大约1cm2、厚度1mm左右的GaAs单晶片,分别用600#、1200#、2000#三种不同的水磨砂纸以及抛光液进行抛光,获得了不同表面粗糙度的GaAs样品。用原子力显微镜(AFM)观察包括未打磨样品在内的5种不同表面粗糙度的样品的表面形貌,发现样品... 详细信息

面积大约1cm2、厚度1mm左右的GaAs单晶片,分别用600#、1200#、2000#三种不同的水磨砂纸以及抛光液进行抛光,获得了不同表面粗糙度的GaAs样品。用原子力显微镜(AFM)观察包括未打磨样品在内的5种不同表面粗糙度的样品的表面形貌,发现样品表面粗糙度依次下降。再用正电子寿命谱仪测量5种样品的

关键词：正电子湮没缺陷半导体原子力显微镜 GaAs

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CDB的源修正

CDB的源修正

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第九届全国正电子谱学会议

作者：苏本法王柱黄长虹王少阶武汉大学物理科学与技术学院

我们测量了Ti、Ni、Cu、Al以及Si的符合多普勒展宽谱,对于Ni的多普勒展宽谱,采用最小二乘法拟合出其中的源湮没强度。并给出了Si的多普勒展宽谱在源修正前后的商谱曲线,讨论了源成分的影响。文章中用高斯.抛物线模型拟合多普勒展宽谱,... 详细信息

我们测量了Ti、Ni、Cu、Al以及Si的符合多普勒展宽谱,对于Ni的多普勒展宽谱,采用最小二乘法拟合出其中的源湮没强度。并给出了Si的多普勒展宽谱在源修正前后的商谱曲线,讨论了源成分的影响。文章中用高斯.抛物线模型拟合多普勒展宽谱,将多普勒展宽谱中自由电子的湮没贡献和核心电子的湮没贡献分开,进而探讨了只对核心电子的湮没贡献做源修正的方法。

关键词：正电子湮没符合多普勒展宽谱源修正最小二乘法

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ZrO2陶瓷烧结过程的研究

ZrO2陶瓷烧结过程的研究

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第九届全国正电子谱学会议

作者：张水合刘文晶兰州大学物理科学与技术学院

采用正电子湮没寿命谱研究了ZrO2陶瓷的烧结过程。结果表面,经过造粒后的氧化锆陶瓷在600℃之前的烧结初期基本上表现为大量气孔迅速消失的过程,在烧结中期(600℃-1200℃)主要表现为界面消失的过程,发生相变时(1200℃)产生了大量的小尺... 详细信息

采用正电子湮没寿命谱研究了ZrO2陶瓷的烧结过程。结果表面,经过造粒后的氧化锆陶瓷在600℃之前的烧结初期基本上表现为大量气孔迅速消失的过程,在烧结中期(600℃-1200℃)主要表现为界面消失的过程,发生相变时(1200℃)产生了大量的小尺寸晶粒,出现了大量的晶界,表现出了类似大块纳米材料的现象。

关键词：氧化锆陶瓷烧结过程纳米材料晶界正电子湮没寿命谱

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