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表面注入P-top区double RESURF功率器件表面电场模型

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物理学报 2007年第11期56卷 6660-6665页

作者：李琦李肇基张波电子科技大学ic设计中心成都610054

提出表面注入P-top区double RESURF功率器件表面电场和击穿电压解析模型.基于分区求解二维Poisson方程,获得double RESURF表面电场的解析式.借助此模型,研究了器件结构参数对表面电场和电势的影响;计算了漂移区长度和厚度与击穿电压的关... 详细信息

提出表面注入P-top区double RESURF功率器件表面电场和击穿电压解析模型.基于分区求解二维Poisson方程,获得double RESURF表面电场的解析式.借助此模型,研究了器件结构参数对表面电场和电势的影响;计算了漂移区长度和厚度与击穿电压的关系,给出了获得最大击穿电压和最小导通电阻的途径.数值结果,解析结果和试验结果符合较好.

关键词：表面注入 double RESURF 表面电场击穿电压

漂移区表面阶梯掺杂LDMOS的击穿电压模型

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物理学报 2008年第3期57卷 1891-1896页

作者：李琦张波李肇基电子科技大学ic设计中心成都610054

提出表面阶梯掺杂(SD:Step Doping on surface)LDMOS的二维击穿电压模型.基于求解多区二维Poisson方程,获得SD结构表面电场的解析式.借助此模型,研究其结构参数对击穿电压的影响;计算优化漂移区浓度和厚度与结构参数的关系,给出获得最... 详细信息

提出表面阶梯掺杂(SD:Step Doping on surface)LDMOS的二维击穿电压模型.基于求解多区二维Poisson方程,获得SD结构表面电场的解析式.借助此模型,研究其结构参数对击穿电压的影响;计算优化漂移区浓度和厚度与结构参数的关系,给出获得最大击穿电压的途径.数值结果,解析结果和试验结果符合较好.漂移区各区和衬底电场相互调制,在漂移区中部产生新的峰值,改善电场分布;高掺杂区位于表面,降低了正向导通电阻.结果表明:SD结构较常规结构击穿电压从192V提高到242V,导通电阻下降33%.

关键词：优化调制表面阶梯掺杂二维击穿电压模型漂移区高压集成电路

Boost变换器跨周期调制(PSM)的状态空间平均模型

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电子与信息学报 2006年第10期28卷 1955-1958页

作者：牛全民罗萍李肇基张波电子科技大学ic设计中心

基于Boost变换器,利用状态空间平均法对跨周调制(PulseSkippingModulation,PSM)进行建模和特性分析,推导出电感电流连续(CCM)和电感电流断续(DCM)时系统变压比,调制度M与负载的关系及系统转换效率的理想化公式,得到PSM具有轻载下高转换... 详细信息

基于Boost变换器,利用状态空间平均法对跨周调制(PulseSkippingModulation,PSM)进行建模和特性分析,推导出电感电流连续(CCM)和电感电流断续(DCM)时系统变压比,调制度M与负载的关系及系统转换效率的理想化公式,得到PSM具有轻载下高转换效率的结论,并设计具有PSM调制特性的控制电路,给出仿真结果。

关键词： Boost变换器跨周调制(PSM) 调制度状态空间平均方程

薄外延层RESURF LDMOS完全耐压模型

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固体电子学研究与进展 2007年第4期27卷 540-544页

作者：李琦张波李肇基电子科技大学 ic 设计中心成都610054

提出硅基薄外延RESURF LDMOS不全耗尽和完全耗尽的完全耐压模型。基于求解二维Poisson方程,获得该结构二维表面电场和击穿电压的完整解析表达式。借助此模型研究击穿电压与器件结构参数、外延层掺杂浓度和衬底掺杂浓度的关系;在满足最... 详细信息

提出硅基薄外延RESURF LDMOS不全耗尽和完全耗尽的完全耐压模型。基于求解二维Poisson方程,获得该结构二维表面电场和击穿电压的完整解析表达式。借助此模型研究击穿电压与器件结构参数、外延层掺杂浓度和衬底掺杂浓度的关系;在满足最优表面电场和完全耗尽条件下,得到器件优化的RESURF判据。解析结果、MEDicI数值结果和实验结果吻合较好,验证了模型的准确性。

关键词：薄外延完全击穿电压模型

电阻场板LDMOS表面电场解析模型及优化设计

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固体电子学研究与进展 2008年第2期28卷 185-189页

作者：李琦李肇基电子科技大学ic设计中心成都610054

提出具有电阻场板(Resistive field plate,RFP)硅基LDMOS表面电场和击穿电压解析模型。基于求解二维Poisson方程,此模型给出了二维表面电场和电势与器件结构参数和漏偏压关系的解析表达式;计算漂移区长度与击穿电压的关系,提出了一种优... 详细信息

提出具有电阻场板(Resistive field plate,RFP)硅基LDMOS表面电场和击穿电压解析模型。基于求解二维Poisson方程,此模型给出了二维表面电场和电势与器件结构参数和漏偏压关系的解析表达式;计算漂移区长度与击穿电压的关系,提出了一种优化高压器件的有效方法。解析结果与用MEDicI模拟的数值结果吻合较好,验证了模型的准确性,该模型可用于体硅RFPLDMOS的设计优化。

关键词：电阻场板表面电场击穿电压模型

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双面阶梯埋氧层部分SOI高压器件新结构

物理学报 2008年第10期57卷 6565-6570页

作者：李琦张波李肇基桂林电子科技大学信息与通信学院桂林541004 电子科技大学ic设计中心成都610054

提出了双面阶梯埋氧层部分绝缘硅(silicon oninsulator,SIO)高压器件新结构.双面阶梯埋氧层的附加电场对表面电场的调制作用使表面电场达到近似理想的均匀分布,耗尽层通过源极下硅窗口进一步向硅衬底扩展,使埋氧层中纵向电场高达常规SO... 详细信息

提出了双面阶梯埋氧层部分绝缘硅(silicon oninsulator,SIO)高压器件新结构.双面阶梯埋氧层的附加电场对表面电场的调制作用使表面电场达到近似理想的均匀分布,耗尽层通过源极下硅窗口进一步向硅衬底扩展,使埋氧层中纵向电场高达常规SOI结构的两倍,且缓解了常规SOI结构的自热效应.建立了漂移区电场的二维解析模型,获得了器件结构参数间的优化关系.结果表明,在导通电阻相近的情况下,双面阶梯埋氧层部分SOI结构击穿电压较常规SOI器件提高58%,温度降低10—30 K.

关键词：双面阶梯埋氧层调制自热效应

基于细节增强和多颜色空间学习的联合监督水下图像增强算法

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现代电子技术 2025年第1期48卷 23-28页

作者：胡锐程家亮胡伏原苏州科技大学信息化建设与管理中心江苏苏州215009 苏州科技大学电子与信息工程学院江苏苏州215009

由于水下特殊的成像环境,水下图像往往具有严重的色偏雾化等现象。因此文中根据水下光学成像模型设计了一种新的增强算法,即基于细节增强和多颜色空间学习的无监督水下图像增强算法(UUIE-DEMCSL)。该算法设计了一种基于多颜色空间的增... 详细信息

由于水下特殊的成像环境,水下图像往往具有严重的色偏雾化等现象。因此文中根据水下光学成像模型设计了一种新的增强算法,即基于细节增强和多颜色空间学习的无监督水下图像增强算法(UUIE-DEMCSL)。该算法设计了一种基于多颜色空间的增强网络,将输入转换为多个颜色空间(HSV、RGB、LAB)进行特征提取,并将提取到的特征融合,使得网络能学习到更多的图像特征信息,从而对输入图像进行更为精确的增强。最后,UUIE-DEMCSL根据水下光学成像模型和联合监督学习框架进行设计,使其更适合水下图像增强任务的应用场景。在不同数据集上大量的实验结果表明,文中提出的UUIE-DEMCSL算法能生成视觉质量良好的水下增强图像,且各项指标具有显著的优势。

关键词：水下图像增强多颜色空间学习无监督学习细节增强特征提取特征融合

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视场大小对虚拟场景沉浸感知的影响机制研究

激光与光电子学进展 2025年

作者：韩启帅夏振平程成顾敏明胡伏原苏州科技大学电子与信息工程学院江苏省工业智能低碳技术工程中心

随着元宇宙的快速发展，虚拟环境中对沉浸感的需求不断提升。作为人机交互的核心入口，显示系统的设计对用户的沉浸体验有着至关重要的影响。本文聚焦虚拟现实显示系统中视场大小对沉浸感的影响，依托虚拟现实近眼显示技术，构建了六种... 详细信息

随着元宇宙的快速发展，虚拟环境中对沉浸感的需求不断提升。作为人机交互的核心入口，显示系统的设计对用户的沉浸体验有着至关重要的影响。本文聚焦虚拟现实显示系统中视场大小对沉浸感的影响，依托虚拟现实近眼显示技术，构建了六种不同视场大小的虚拟场景。受测者在场景中完成感知交互任务，实验过程中使用脑电设备实时记录其脑电活动数据，用于量化客观沉浸感。同时，受测者在每个任务完成后通过沉浸感问卷报告主观沉浸状态。实验结果表明，视场大小对主观和客观沉浸感量化结果均具有极高度的显著性影响（p 设计的对角线视场范围（60°至110°）内，视场越大，沉浸感越强。基于视场大小对沉浸感的影响机制，本文构建了视场大小对沉浸感的影响模型，模型的决定系数达到0.8488。研究内容有望为面向元宇宙的沉浸式显示系统设计与用户感知效果优化提供参考。

关键词：元宇宙沉浸感知显示视场视觉交互神经认知

容积调强弧形治疗与射波刀六维颅骨追踪技术对头颈部肿瘤晶格空间分割放疗的剂量学研究

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国际医学放射学杂志 2025年

作者：袁珂廖雄飞王先良郎锦义应微四川省肿瘤临床医学研究中心四川省肿瘤医院·研究所四川省癌症防治中心电子科技大学附属肿瘤医院放射肿瘤学四川省重点实验室电子科技大学物理学院

目的对比容积调强弧形治疗（VMAT）和射波刀六维（CK-6D）颅骨追踪技术在头颈部肿瘤晶格放射治疗（LRT）的剂量学和治疗效率的差异,并分析技术优势。方法回顾性选取接受基于VMAT技术（VMAT方案）完成LRT治疗的头颈部肿瘤病人7例,并将... 详细信息

目的对比容积调强弧形治疗（VMAT）和射波刀六维（CK-6D）颅骨追踪技术在头颈部肿瘤晶格放射治疗（LRT）的剂量学和治疗效率的差异,并分析技术优势。方法回顾性选取接受基于VMAT技术（VMAT方案）完成LRT治疗的头颈部肿瘤病人7例,并将病人的CT影像及相关放射治疗结构集导入CK-6D计划系统（CK-6D方案）,选择可变（Iris）准直器进行治疗计划设计。2种方案采用相同的处方剂量,比较2种方案下病人的肿瘤靶区（GTV）和晶格肿瘤靶区（GTV-Lattice）的90%体积照射剂量(D90)、平均照射剂量(Dmean)、剂量峰谷比（PVDR）以及消融剂量比（ADR）。测量危及器官的剂量学参数,包括脑干、脊髓、视交叉的Dmax,腮腺的Dmean,0.05～1 cm3体积的皮肤接受的照射剂量(D0.05mL-D1 mL)和Dmean等。采用配对t检验比较2个方案的治疗时间、Gamma通过率、PVDR、ADR和跳数（MU）。结果与VMAT方案相比,CK-6D方案GTV的Dmean降低,而GTV-Lattice的D90和Dmean升高（均P0.05）。CK-6D方案的治疗时间、PVDR和MU均高于VMAT方案（均P0.05）。结论头颈部肿瘤LRT治疗中,相较于VMAT技术,CK-6D在肿瘤靶区内可实现更高的PVDR和更大的剂量梯度。然而,结合治疗时间的因素,应权衡选择合适的技术以优化治疗效果和效率。

关键词：调强放疗射波刀空间分割放射治疗晶格放射治疗峰谷剂量比头颈部肿瘤