检索结果-南通市图书馆

光通信技术 1997年第3期21卷 227-231页

作者：吴超球电子工业部第34研究所科技处桂林541004

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四十四载兰台路情洒档案铸辉煌——电子工业部第十研究所档案工作回顾

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四川档案 1999年第5期 6-7页

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中国著名大型电子器件研究所——电子工业部第五十五研究所

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科学学与科学技术管理 1994年第1期 48-42页

电子工业部第五十五研究所是国内著名的大型电子器件研究所,成立于1958年9月,座落于明朝故宫遗址西侧,西距南京闹市区——新街口约1600米,东临中外驰名的中山陵风景区,交通便利,环境幽静,是理想的高科技研究和开发的场所.该所现有职工2... 详细信息

电子工业部第五十五研究所是国内著名的大型电子器件研究所,成立于1958年9月,座落于明朝故宫遗址西侧,西距南京闹市区——新街口约1600米,东临中外驰名的中山陵风景区,交通便利,环境幽静,是理想的高科技研究和开发的场所.该所现有职工2300人,其中有工程师496人,高级工程师231人,教授级高级工程师18人.

关键词：研究所电子器件微波通信中华人民共和国

在机械电子工业部工艺研究所成立三十周年庆祝大会上的祝贺词

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电子工艺技术 1992年第6期 4-5页

作者：何华生电子工业部副部长

各位领导、各位专家、全体同志们: 我很高兴地被邀请参加工艺研究所三十周年的大庆,我衷心地向我们战斗在电子工业工艺战线上付出艰辛劳动的同志们、离退干部和专家同志们致以热烈的祝贺和亲切的慰问。诞生在1962年的电子工业工艺研究所... 详细信息

各位领导、各位专家、全体同志们: 我很高兴地被邀请参加工艺研究所三十周年的大庆,我衷心地向我们战斗在电子工业工艺战线上付出艰辛劳动的同志们、离退干部和专家同志们致以热烈的祝贺和亲切的慰问。诞生在1962年的电子工业工艺研究所,时值我国发生自然灾害和外国对我进行疯狂地技术和经济封锁的困难时期,工艺所经过了30年的曲折艰苦创业,30年的风风雨雨,30年的坎坷艰辛,经历了电子工业胜利的完成从电子管时代——晶体管时代——集成电路时代的革命性变革的大发展,推动着电子工业工艺技术研究工作迅速进步。在军工民用和尖端科学领域的工艺技术的研究开发方

关键词：领域经过研究所彩电生产线插件机片式元器件

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机械电子工业部第十二研究所

光谱实验室 1993年第1期 4-4页

机械电子工业部第十二研究所(又名北京真空电子技术研究所)创建于1957年,拥有2400名职工,是以开展真空电子和光电子技术的基础研究和应用研究为主体的大型综合性研究所。地址:北京市朝阳区酒仙桥路13号,邮政编码:100016。通讯处:北京市... 详细信息

机械电子工业部第十二研究所(又名北京真空电子技术研究所)创建于1957年,拥有2400名职工,是以开展真空电子和光电子技术的基础研究和应用研究为主体的大型综合性研究所。地址:北京市朝阳区酒仙桥路13号,邮政编码:100016。通讯处:北京市749信箱。本所从事各类新型微波电真空器件的研制和小批量中试生产。其产品包括:大功率速调管、行波速调管、栅控行波管、宽频带行波管、同轴磁控管、捷变频磁控管、前向波放大管、充气闸流管、天线开关管、冷阴极触发管、微波三四极管、气体激光器、特种光源、空

关键词：栅控行波管真空电子技术同轴磁控管电真空器件电子器件

艰苦奋斗,坚持科研方向奋发图强,走国产化道路机械电子工业部第四十五研究所专用设备国产化成效显著

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电子工业专用设备 1990年第4期 16-18页

作者：吴声满机电部第45研究所

机电部第45研究所是国内主要从事半导体光学微细加工设备研究与开发的综合性科研机构。六十年代由天津搬迁到甘肃平凉。在三线困难的条件下,为发展我国的半导体专用设备辛勤耕耘,多项科研成果填补了国家的空白。特别是近几年来,在部有... 详细信息

机电部第45研究所是国内主要从事半导体光学微细加工设备研究与开发的综合性科研机构。六十年代由天津搬迁到甘肃平凉。在三线困难的条件下,为发展我国的半导体专用设备辛勤耕耘,多项科研成果填补了国家的空白。特别是近几年来,在部有关部门的关怀指导下,以改革总揽全局,狠抓了转轨变型工作,变单纯科研型为科研经营型,投身到国民经济建设的主战场;狠抓产品结构的调整,从单一的半导体专用设备的研究转为以半导

关键词：设备国产化专用设备专业设备生产设备国产化工作铝电解电容器研究所彩电道路引进设备收入增长天津产品产量产量延迟线馈电设备无线电经济效益

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中口径枪弹全弹道建模及弹道特征量分析

兵器装备工程学报 2025年

作者：司鹏王云龙宋杰卢大斌南京理工大学中国兵器工业第208研究所

为了研究某中口径机枪内弹道特征量的时空分布规律以及射弹散布，建立了一维两相流内弹道模型和六自由度随机外弹道模型。通过将数值模拟得到的弹道参量与射击试验结果进行对比，验证了计算模型的正确性。应用该数学模型分析了装药量、... 详细信息

为了研究某中口径机枪内弹道特征量的时空分布规律以及射弹散布，建立了一维两相流内弹道模型和六自由度随机外弹道模型。通过将数值模拟得到的弹道参量与射击试验结果进行对比，验证了计算模型的正确性。应用该数学模型分析了装药量、弹重和火药弧厚对内外弹道参量的影响。结果表明：在子弹运动后火药完全燃烧前，膛内轴向压力梯度较大，一维两相流内弹道模型能够有效描述该特性；子弹出膛后，射弹散布呈现出高度偏差略大于横向偏差的特点；相比于弹重，装药量和火药弧厚对内外弹道性能的影响更为显著，随装药量增加，膛压、子弹初速和射弹散布增加，而火药弧厚产生相反影响。研究结果可对中口径自动武器的弹道设计和优化提供参考。

关键词：中口径枪弹内弹道外弹道射弹散布数值模拟

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温度循环对硅通孔绝缘层漏电机制的影响研究

物理学报 2025年

作者：任云坤陈思秦飞北京工业大学电子封装技术与可靠性研究所工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室

硅通孔（TSV）作为实现三维集成电路互连的关键技术，其侧壁界面的完整性对TSV的漏电特性至关重要。本文开展了温度循环实验，结合漏电流I-V测试、微观结构观察和EDS元素分析，分析了温度循环对TSV侧壁界面完整性及对绝缘层漏电机制的... 详细信息

硅通孔（TSV）作为实现三维集成电路互连的关键技术，其侧壁界面的完整性对TSV的漏电特性至关重要。本文开展了温度循环实验，结合漏电流I-V测试、微观结构观察和EDS元素分析，分析了温度循环对TSV侧壁界面完整性及对绝缘层漏电机制的影响。研究表明，随着温度循环次数的增加，TSV阻挡层的完整性逐渐降低，漏电流显著增加，绝缘层的漏电机制从肖特基发射机制转变为肖特基发射与Poole-Frenkel发射机制共同作用，这种转变在高电场条件下更为显著。进一步的TSV界面完整性分析表明，温度循环引起的热机械应力导致了TSV填充铜与阻挡层界面间缺陷产生，这些缺陷促进铜原子扩散到绝缘层，形成漏电路径，是导致绝缘层介电性能下降的主要原因之一。

关键词：硅通孔漏电机制温度循环

电子工业部第九研究所一九八三年科技成果鉴定会简介

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磁性材料及器件 1984年第2期 71-72页

作者：周华电子工业部九所

经电子工业部和元器件工业管理局批准,1983年11月23日至11月26日电子工业部第九研究所召开了1983年科技成果鉴定会。这次会议有来自全国各地工厂、研究所、高等院校及使用部门的164位代表参

关键词：研究所磁泡材料磁存贮材料电子轻子科技成果鉴定

机械电子工业部上海工业锅炉研究所关于启用“机械电子工业部上海工业锅炉研究所”印章的通知

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工业锅炉 1988年第4期 38-38页

各省、市、自治区机械电子工业厅、局.各有关企、事业单位:根据机械电子工业部电改(1988)865号文“关于更改机械电子工业部部份部属单位名称的通知”,将原“国家机械工业委员会上海工业锅炉研究所”更名为“机械电子工业部上海工业锅炉... 详细信息

各省、市、自治区机械电子工业厅、局.各有关企、事业单位:根据机械电子工业部电改(1988)865号文“关于更改机械电子工业部部份部属单位名称的通知”,将原“国家机械工业委员会上海工业锅炉研究所”更名为“机械电子工业部上海工业锅炉研究所”。印章从一九八八年十二月一日起启用,原“国家机械委员会上海工业锅

关键词：机械电子工业部研究所工业锅炉上海