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用于毫米波晶圆测量的动态校准技术

微波学报 2024年

作者：刘晨高岭孙静王一帮栾鹏中国电子科技集团公司第十三研究所

为修正传统校准方法无法处理的探针与探针之间串扰或泄漏误差问题，提出了一种在毫米波频率下进行晶圆测量的动态校准技术。应用该动态校准技术，开发了一种新的误差模型。在校准和测量晶圆器件时，该模型将泄漏误差分开进行处理。在校... 详细信息

为修正传统校准方法无法处理的探针与探针之间串扰或泄漏误差问题，提出了一种在毫米波频率下进行晶圆测量的动态校准技术。应用该动态校准技术，开发了一种新的误差模型。在校准和测量晶圆器件时，该模型将泄漏误差分开进行处理。在校准过程中利用虚拟标准对（例如开路-开路对或负载-负载对），可以在系统校准期间正确地测量泄漏误差，并在测量晶圆器件时去除泄漏误差对测量结果的影响。基于此，测量结果的准确度可以提高10%。此外还发现，在求解新误差项的方程时使用短路-短路对会产生奇异解，因此不能使用短路-短路对作为虚拟标准对。

关键词：毫米波测量晶圆测量散射参数误差模型泄漏误差串扰

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一种低附加相位噪声的放大器设计

微波学报 2024年

作者：王增双张加程朱大成耿栋中国电子科技集团公司第十三研究所

本文设计了一款低附加相位噪声的达林顿放大器。本文首先介绍了放大器的噪声系数和附加相位噪声的基本概念，其次通过公式推导的方式阐述了两者的关系，最后通过工艺选择、电路优化等方面来降低放大器的附加相位噪声。该放大器采用GaAs... 详细信息

本文设计了一款低附加相位噪声的达林顿放大器。本文首先介绍了放大器的噪声系数和附加相位噪声的基本概念，其次通过公式推导的方式阐述了两者的关系，最后通过工艺选择、电路优化等方面来降低放大器的附加相位噪声。该放大器采用GaAs异质结双极晶体管（HBT）工艺进行了设计仿真和流片，芯片尺寸为0.6 mm×0.6 mm×0.1 mm。测试结果表明，在电源电压为+5 V条件下，该放大器电流为60 mA，工作频率为0.01～2.0 GHz，P1dB为19 dBm，噪声系数为2.7 dB，工作频率100 MHz时的附加相位噪声为-162 dBc/Hz@1kHz、-170 dBc/Hz@10kHz、-172 dBc/Hz@100kHz。

关键词：附加相位噪声达林顿放大器噪声系数 GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺

用于极紫外光刻的高功率能量回收型自由电子激光光源

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中国激光 2024年第7期51卷 105-113页

作者：周奎李鹏吴岱黎明中国工程物理研究院应用电子学研究所四川绵阳621900

未来极紫外光刻技术的发展亟需更高功率的光刻光源,能量回收型自由电子激光光源可以实现千瓦量级以上的功率输出,是一种极具潜力的高功率极紫外光刻光源。主要介绍了高功率能量回收型自由电子激光光源的工作原理、发展现状以及所面临的... 详细信息

未来极紫外光刻技术的发展亟需更高功率的光刻光源,能量回收型自由电子激光光源可以实现千瓦量级以上的功率输出,是一种极具潜力的高功率极紫外光刻光源。主要介绍了高功率能量回收型自由电子激光光源的工作原理、发展现状以及所面临的关键技术挑战。

关键词：激光光学极紫外光刻能量回收型直线加速器自由电子激光光阴极注入器超导加速器

2~6 GHz 100 W高效率平衡式功率放大器的研制

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电子科技大学学报 2024年第1期53卷 8-13页

作者：来晋明徐会博李志友倪涛王超杰银军王海龙马晓华西安电子科技大学微电子学院西安710071 中国电子科技集团公司第二十九研究所成都610036 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050050

为解决传统宽带大功率放大器工作效率低的问题,采用新型电阻电抗连续B/J类功放模式拓展晶体管高效率的输出负载阻抗空间,从而提高宽带功放的漏级输出效率。提出了一款基于0.25μm栅长的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的平衡式功放... 详细信息

为解决传统宽带大功率放大器工作效率低的问题,采用新型电阻电抗连续B/J类功放模式拓展晶体管高效率的输出负载阻抗空间,从而提高宽带功放的漏级输出效率。提出了一款基于0.25μm栅长的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的平衡式功放。该功放将LC匹配网络和切比雪夫阻抗变换器相结合实现GaN HEMT器件宽带输入输出阻抗匹配,并利用3 dB Lange耦合器实现宽带平衡式功率合成。在连续波测试条件下,该平衡式功放在2~6 GHz频带内输出功率大于100 W,漏极效率大于45%,功率增益大于9.0 dB,抗负载失配比优于5:1。

关键词： GaN HEMT 宽带平衡式功率合成功率放大器

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氢终端金刚石薄膜生长及其表面结构

物理学报 2024年第8期73卷 323-328页

作者：马孟宇蔚翠何泽召郭建超刘庆彬冯志红中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 河北半导体研究所固态微波器件与电路全国重点实验室石家庄050051

氢终端金刚石的导电性问题是目前限制其在器件领域应用的关键因素.传统的氢终端金刚石制备工艺由于金刚石中含有杂质元素以及表面的加工损伤的存在,限制了氢终端金刚石的电特性.在金刚石衬底上直接外延一层高纯、表面平整的氢终端金刚... 详细信息

氢终端金刚石的导电性问题是目前限制其在器件领域应用的关键因素.传统的氢终端金刚石制备工艺由于金刚石中含有杂质元素以及表面的加工损伤的存在,限制了氢终端金刚石的电特性.在金刚石衬底上直接外延一层高纯、表面平整的氢终端金刚石薄膜成为一种可行方案,但该方案仍存在薄膜质量表征困难,表面粗糙度较大等问题.本文采用微波等离子体化学气相沉积(CVD)技术,在含氮CVD金刚石衬底上外延一层亚微米级厚度金刚石薄膜,并研究分析了不同甲烷浓度对金刚石薄膜生长以及导电性能的影响.测试结果显示:金刚石薄膜生长厚度为230—810 nm,且外延层氮浓度含量低于1×10^(16) atom/cm^(3),不同的甲烷浓度生长时,金刚石外延层表面出现了三种生长模式,这主要与金刚石的生长和刻蚀作用相关.经过短时间生长后的金刚石薄膜表面为氢终端(2×1:H)结构,而氧、氮元素在其中的占比极低,这使得生长后的金刚石薄膜具有P型导电特性.霍尔测试结果显示,甲烷浓度为4%条件下生长的氢终端金刚石薄膜导电性最好,其方块电阻为4981Ω/square,空穴迁移率为207 cm^(2)/(V·s),有效地提升了氢终端金刚石电特性,为推进大功率金刚石器件发展应用起到支撑作用.

关键词：氢终端金刚石甲烷浓度生长模式电性能

一种适用于DC/DC变换器的双向磁反馈电路研究

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电源学报 2024年第1期22卷 22-31页

作者：高东辉贺啟峰蔡可红徐成宝中国电子科技集团公司第四十三研究所合肥230088

针对隔离式DC/DC变换器空间辐射应用的特殊性,为了提高反馈精度和稳定性,一般采用磁隔离反馈电路。介绍了几种常用的幅值调节磁反馈电路工作原理,针对其存在的需要额外的次级供电电压问题,引入正-反激式幅值调节双向磁反馈电路,并对该... 详细信息

针对隔离式DC/DC变换器空间辐射应用的特殊性,为了提高反馈精度和稳定性,一般采用磁隔离反馈电路。介绍了几种常用的幅值调节磁反馈电路工作原理,针对其存在的需要额外的次级供电电压问题,引入正-反激式幅值调节双向磁反馈电路,并对该电路进行改进,在实现相同功能的前提下,以双绕组变压器替代三绕组变压器,有效减小了磁芯体积,简化了电路结构。详细分析了该电路的工作原理、脉冲采样电路和磁反馈变压器设计方法,并以该种磁反馈电路为基础,搭建了一台100 W输出DC/DC变换器实验样机,仿真和实验结果证明了该磁隔离反馈电路的有效性,并为工程设计提供了理论指导。

关键词：磁反馈幅值调节正-反激变压器

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密封电子元器件与装置多余物检测发展综述

电工技术学报 2024年第10期39卷 3152-3179,3217页

作者：李鹏飞翟国富孙志刚王国涛赵相江哈尔滨工业大学电器与电子可靠性研究所哈尔滨150001 黑龙江大学电子工程学院哈尔滨150080

密封电子元器件与装置作为航天系统中的重要组成部分,具有高精密性、高可靠性以及高复杂性的典型特点,而多余物问题是严重影响其高可靠性的主要因素之一。随着航天技术的快速发展,多余物检测技术也在不断改进与深入。该文以认识多余物... 详细信息

密封电子元器件与装置作为航天系统中的重要组成部分,具有高精密性、高可靠性以及高复杂性的典型特点,而多余物问题是严重影响其高可靠性的主要因素之一。随着航天技术的快速发展,多余物检测技术也在不断改进与深入。该文以认识多余物、控制多余物产生以及检测多余物为主线,围绕多余物的防控方法、检测方法、检测标准进行综合论述。着重分析了检测方法中的颗粒碰撞噪声检测(PIND)方法,分别从小型元器件多余物检测、中大型装置多余物检测两个角度,针对现有研究进展逐一进行了详细的介绍。在此基础上,结合现有国内多余物检测研究的现状,针对多余物检测的难点与未来发展趋势进行归纳,并提出了期望与目标。

关键词：密封电子元器件与装置多余物检测颗粒碰撞噪声检测(PIND)方法标准预防与控制

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光电子技术在信息通信领域的应用与前景研究

中文科技期刊数据库（全文版）工程技术 2024年第5期 201-204页

作者：史超中国电子科技集团公司第十三研究所河北石家庄050000

随着科技的飞速发展,光电子技术已经在信息通信领域体现出重要的应用价值和潜力。本研究通过详细阐述光电子技术的基本原理及其在信息通信中的主要应用,比如在光通信、图像处理、光存储、传感器等方面,揭示了光电子技术对信息通信的重... 详细信息

随着科技的飞速发展,光电子技术已经在信息通信领域体现出重要的应用价值和潜力。本研究通过详细阐述光电子技术的基本原理及其在信息通信中的主要应用,比如在光通信、图像处理、光存储、传感器等方面,揭示了光电子技术对信息通信的重要贡献。研究发现,利用光电子技术,不仅可以实现高速、高容量的数据传输,同时也可以提高系统的稳定性,降低能耗。然而,光电子技术在信息通信领域的应用还面临一些挑战,例如技术复杂性以及可靠性问题。本研究提出一些潜在的解决方案,如发展新的材料和设备,优化系统结构,及加强相关领域的研究等,以推动光电子技术在信息通信领域的进一步发展。

关键词：光电子技术信息通信光通信数据传输稳定性

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一种三维集成的Ku波段高功率T/R模块

半导体技术 2024年第6期49卷 569-574页

作者：陈兴张超陈东博赵永志中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

基于硅基微电子机械系统(MEMS)三维(3D)异构集成工艺,设计并制作了用于相控阵天线系统的三维堆叠式Ku波段四通道高功率收发(T/R)模块。该模块由两层硅基封装堆叠而成,层间采用球栅阵列(BGA)植球堆叠,实现模块小型化;采用高低阻抗匹配建... 详细信息

基于硅基微电子机械系统(MEMS)三维(3D)异构集成工艺,设计并制作了用于相控阵天线系统的三维堆叠式Ku波段四通道高功率收发(T/R)模块。该模块由两层硅基封装堆叠而成,层间采用球栅阵列(BGA)植球堆叠,实现模块小型化;采用高低阻抗匹配建模,保证低损耗输出,采用导热垫加微流道散热板达到了良好的散热效果,实现模块高功率输出;对模块的微波垂直互连结构和散热进行建模和仿真。测试结果表明,在14~18 GHz内发射通道饱和输出功率大于40 dBm,接收通道增益大于21 dB,噪声系数小于3.5 dB,模块尺寸仅为14.0 mm×14.0 mm×3.3 mm。该模块在兼顾高集成度的同时性能指标得到了进一步提升。

关键词：硅基微电子机械系统(MEMS) 收发(T/R)模块三维集成高功率散热设计